红外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种红外探测器，包括：衬底；沉积于所述衬底上的外延结构包括：P型掺杂缓冲层，形成于衬底上；长波红外单元，形成于P型掺杂缓冲层上，所述长波红外单元形成P

【技术实现步骤摘要】
红外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及红外光电材料与器件领域，尤其涉及一种红外探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]红外辐射探测是红外技术的重要组成部分，广泛应用于热成像、卫星遥感、气体监测、光通讯、光谱分析等领域。传统探测模式分为主动和被动两种模式。前者使用激光与探测器作为核心光电器件，主要工作在短波红外波段，用于测距、通讯等用途。后者使用探测器作为核心光电器件，主要工作在中长波红外波段，用于热成像、遥感等用途。在实际应用中常需要将多种模式探测系统拼接在一起构成一个总体探测系统来获取目标不同信息，提高抗干扰性能和识别能力、降低虚警率等。不同功能的器件拼接在一起难以实现设备的小型化，并且增加了探测系统的成本。所以提供一种同时具备热感应和测距功能的短长双色红外探测器及其制备方法是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

[0003]针对于现有的技术问题，本专利技术提供一种红外探测器及其制备方法，用于至少部分解决以上技术问题。
[0004]根据本专利技术的一个方面，提供一种红外探测器，包括：衬底；沉积于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器，包括：衬底(1)；沉积于所述衬底(1)上的外延结构(2)，所述外延结构(2)包括：P型掺杂缓冲层(21)，形成于衬底(1)上；长波红外单元(22)，形成于P型掺杂缓冲层(21)上，所述长波红外单元(22)形成P
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π
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M
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N结构，用于吸收长波红外线；N型公共接触层(23)，形成于长波红外单元(22)上；以及短波红外单元(24)，形成于N型公共接触层(23)上，所述短波红外单元(24)形成N
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I
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P结构，用于吸收短波红外线及测距；金属下电极(7)，与所述P型掺杂缓冲层(21)欧姆连接；以及金属上电极(3)，与所述短波红外单元(24)欧姆连接，所述金属上电极(3)形成有通光孔(4)。2.根据权利要求1所述的红外探测器，还包括：硫化层(6)，覆盖所述外延结构(2)和P型掺杂缓冲层(21)的位于所述金属下电极(7)和金属上电极(3)之间的区域；以及钝化层(5)，形成于所述硫化层(6)的外侧。3.根据权利要求1所述的红外探测器，其中，所述长波红外单元(22)的P
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π
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M
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N结构包括由下至上依次形成的用作P层的第一P型层(221)；用作π层的掺杂吸收层(222)；用作M层的M型势垒层(223)；以及用作N层的第一N型层(224)；其中，所述掺杂吸收层(222)用于吸收待测的长波红外线。4.根据权利要求3所述的红外探测器，所述第一P型层(221)、掺杂吸收层(222)、M型势垒层(22...

【专利技术属性】
技术研发人员：周文广，牛智川，徐应强，王国伟，蒋洞微，蒋俊锴，常发冉，李农，林芳祁，崔素宁，陈伟强，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：