制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件技术

本公开的实施例涉及制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件。用于检测UV辐射的器件，包括：具有N掺杂的SiC衬底；具有N掺杂的SiC漂移层，SiC漂移层在衬底之上延伸；阴极端子；以及阳极端子。阳极端子包括：具有P掺杂的掺杂阳极区，掺杂阳极区在漂移层中延伸；以及包括一个或多个富碳层，特别是石墨烯和/或石墨层的欧姆触点区，欧姆触点区在掺杂阳极区中延伸。欧姆触点区对于待检测的UV辐射透明。明。明。

【技术实现步骤摘要】
制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件


[0001]本公开涉及制造UV辐射检测器器件的方法和UV辐射检测器器件。具体地，本公开涉及具有对待检测的UV辐射透明的阳极端子或阴极端子的光电检测器二极管。

技术介绍

[0002]众所周知，特别是对于电源应用，具有宽带隙(特别是带隙能量值Eg高于1.1eV)、低导通电阻(R
ON
)、高热导率值、高操作频率以及高载流子饱和速度的半导体材料是生产电子组件(诸如二极管或晶体管)的理想选择。具有这些特性并且被设计用于制造电子组件的材料是碳化硅(SiC)。具体地，就前面列出的性质而言，碳化硅在其不同的多型体(例如，3C
‑
SiC、4H
‑
SiC、6H
‑
SiC)中比硅更优选。
[0003]与硅衬底上提供的类似器件相比，在碳化硅衬底上提供的电子器件具有许多优点，诸如低输出导通电阻、低泄漏电流、高操作温度和高操作频率。具体地，对例如来自太阳、天文物体或人造光源(在医学、军事、环境和天文领域)的紫外线(UV)辐射的检测在过去几年中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：通过以下方式来制造用于检测UV辐射的检测器器件：在具有第一导电性和掺杂物质的第一浓度的碳化硅SiC衬底的前侧上，形成具有所述第一导电性和掺杂物质的第二浓度的SiC的漂移层，掺杂物质的所述第二浓度低于所述第一浓度；在所述衬底的背侧上形成所述检测器器件的阴极端子；以及在所述漂移层中形成所述检测器器件的阳极端子，形成所述阳极端子包括：通过在所述漂移层中注入具有与所述第一导电性相反的第二导电性的掺杂物质来形成掺杂阳极区；以及利用激光在所述掺杂阳极区中形成包括一个或多个富碳层的第一欧姆触点区。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂阳极区从所述漂移层的顶面开始在所述漂移层中在深度上延伸，并且所述第一欧姆触点区具有顶面与所述漂移层的所述顶面重合的顶面。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一欧姆触点区包括：通过利用激光朝向所述掺杂阳极区生成第一激光束、并且引起所述掺杂阳极区的具有所述第二导电性的所述掺杂物质激活，将所述掺杂阳极区加热到1500℃至2600℃范围内的温度。4.根据权利要求3所述的方法，其中生成所述第一激光束包括：使用290nm至370nm范围内的波长；使用100ns至300ns范围内的脉冲持续时间；以及使用1.5J/cm2至4.5J/cm2范围内的能量密度。5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一欧姆触点区包括：仅在所述掺杂阳极区内形成所述一个或多个富碳层。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一欧姆触点区在所述掺杂阳极区中延伸1nm到20nm范围内的深度。7.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述阴极端子包括：通过朝向所述衬底的所述背侧生成第二激光束，将所述衬底加热到1500℃至2600℃范围内的温度，在所述衬底的所述背侧上形成包括一个或多个富碳层的第二欧姆触点区。8.根据权利要求7所述的方法，其中生成所述第二激光束包括：使用290nm至370nm范围内的波长；使用100ns至300ns范围内的脉冲持续时间；以及使用3J/cm2到4.5J/cm2范围内的能量密度。9.一种UV检测器器件，包括：具有第一导电性和掺杂物质的第一浓度的SiC衬底，所述SiC衬底具有彼此相对的前...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：