高指数基板上形成的长波红外光电检测器结构制造技术

用于检测入射光的层状结构包括具有高密勒指数晶体取向的表面的基板和在该基板的该表面上方形成的超晶格结构。与在基板的具有(100)晶体取向的表面上方形成的超晶格结构相比，超晶格结构与高密勒指数晶体取向对齐，并且基于晶体取向表现出红移长波红外响应范围。且基于晶体取向表现出红移长波红外响应范围。且基于晶体取向表现出红移长波红外响应范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高指数基板上形成的长波红外光电检测器结构
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本公开要求于2019年4月11日提交的美国临时专利申请No.62/832,639的35U.S.C.
§
119(e)的权益，该美国临时专利申请在此通过引用整体并入。

技术介绍

[0003]光电检测器通常在某些光谱范围内提供指示入射光的电子信号。例如，某些光电检测器架构采用块体层(bulk layer)来实现光电行为，而其他光电检测器架构包括超晶格结构(superlattice structure，SLS)。通常，在后一种类型中，为了增加光电检测器的操作波长，需要增加的超晶格(SL)周期，因为吸收是在波函数重叠的SL的界面处发生的，所以这可以导致吸收层材料的每厚度单位或每单个SL周期的吸收系数减小。

技术实现思路

[0004]本公开针对可用于光电检测的包括超晶格的层状结构。超晶格(SL)包括层的周期性结构(例如，两种材料的交替层，每层具有规定的厚度)。通过改变形成有SL结构的基板晶体取向，而不是改变SL周期或层成分本身，可以在不改变SL的物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层状结构，包括：基板，包括具有高密勒指数晶体取向的表面；以及超晶格结构，形成在基板的所述表面上方，其中所述超晶格结构与所述高密勒指数晶体取向对齐，并且其中所述超晶格结构基于所述晶体取向表现出红移长波红外响应范围。2.根据权利要求1所述的层状结构，其中所述高密勒指数晶体取向是(n11)取向。3.根据权利要求1所述的层状结构，其中所述超晶格结构不含镓。4.根据权利要求1所述的层状结构，其中所述超晶格结构包括吸收层，所述吸收层包括In和As的化合物。5.根据权利要求4所述的层状结构，其中所述吸收层包括Ga。6.根据权利要求4所述的层状结构，其中所述吸收层包括InAsSb和InAs的交替层。7.根据权利要求1所述的层状结构，其中所述基板包括III
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V族半导体材料。8.根据权利要求7所述的层状结构，其中所述III
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V族半导体材料是GaSb。9.根据权利要求1所述的层状结构，还包括在所述超晶格结构上方的阻挡层。10.根据权利要求9所述的层状结构，还包括在所述阻挡层上方的顶层。11.根据权利要求10所述的层状结构，其中所述顶层包括接触层，所述接触层包含III族元素和V族元素的化合物。12.根据权利要求1所述的层状结构，还包括形成在所述基板上方的缓冲层。13.根据权利要求12所述的层状结构，其中所述缓冲层直接形成在所述基板上方。14.根据权利要求12所述的层状结构，其中所述缓冲层包括III
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V族半导体材...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：IQE公开有限公司，
类型：发明
国别省市：