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本公开的实施例涉及制造UV辐射检测器器件的方法以及UV辐射检测器器件。用于检测UV辐射的器件，包括：具有N掺杂的SiC衬底；具有N掺杂的SiC漂移层，SiC漂移层在衬底之上延伸；阴极端子；以及阳极端子。阳极端子包括：具有P掺杂的掺杂阳极区，...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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