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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
信号发生装置及方法、通信装置及方法制造方法及图纸
本公开提供了一种信号发生装置及方法、通信装置及方法,应用于通信技术领域,利用多个强度调制器在两个支路上产生波长互补的频移键控载波信号,该载波信号波长在两个支路间的分配受预设伪随机序列控制,实现用户数据在不同波长对应的信道间随机跳变,有效...
一种太赫兹波幅相读出装置制造方法及图纸
本公开提供了一种太赫兹波幅相读出装置,该装置包括:探测器,用于探测太赫兹波调制光信号;读出模块,和探测器相连接,读出模块用于读出太赫兹波调制光信号;读出模块包括至少一个放大单元,至少一个放大单元之间采用级联的形式连接,以使读出模块满足读...
基于概率比特电路的问题求解优化方法及系统技术方案
本公开提供了一种基于概率比特电路的问题求解优化方法及系统。其中,该方法包括:对目标求解问题进行建模转换以获取对应的哈密顿量关系;根据哈密顿量关系,获取概率比特电路的列哈密顿量;以及基于对概率比特电路的行翻转操作,对列哈密顿量进行并行退火...
基于超声波与图像融合的报靶方法及装置制造方法及图纸
本发明实施例公开了一种基于超声波与图像融合的报靶方法及装置。其中,基于超声波与图像融合的报靶方法,包括:基于图像识别和超声波定位分别进行靶点识别,并获得所述图像识别的靶点坐标和所述超声波定位的靶点坐标之间的映射关系;基于打靶情况,判断是...
一种高速高增益的雪崩光电探测器及制备方法技术
本公开提供了一种高速高增益的雪崩光电探测器及其制备方法,其芯片包括由上至下设置的三级台阶;其中:第一级台阶,包括由上至下依次设置的P电极、第一欧姆接触层、第一吸收层和第二吸收层上部;第二级台阶,包括由上至下依次设置的第二吸收层下部、过渡...
扫频宽带信号生成系统及扫频宽带信号生成方法技术方案
本公开实施例提供了一种扫频宽带信号生成系统及扫频宽带信号生成方法。扫频宽带信号生成系统包括:第一激光器,用于生成第一激光信号;后向瑞利散射结构,用于生成后向瑞利散射信号;正反馈环路结构,用于生成光载波信号和第二激光信号,其中,第二激光信...
极性交替AlN模板的制备方法技术
本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法,包括:在衬底表面沉积氮极性AlN;在所述氮极性AlN上沉积掩膜层;对所述掩膜层图形化,以暴露部分所述氮极性AlN;对氮极性AlN进行热处理,诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转,保...
锥形半导体激光器分离电极热沉制造技术
本公开提供一种锥形半导体激光器分离电极热沉,包括:散热基底,设置有凹槽,能够为设置于所述凹槽底部的半导体激光器芯片进行散热;绝缘体组,包括两个绝缘体,对应设置于所述半导体激光器芯片两侧的凹槽底部;以及分离电极,用于为所述半导体激光器芯片...
镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针技术
本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针,制备方法包括:在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜;形成针尖原胚结构和补偿结构;锐化针尖;背面各向异性深刻蚀体硅层;正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层;去除正面深刻蚀掩膜层...
预处理装置及方法制造方法及图纸
本发明提供一种预处理装置及方法,涉及数字信号处理技术领域。该预处理方法用于对脉冲输出型传感器的输出进行预处理,包括:运算阵列,包括并行布置的多个运算单元,每个运算单元用于对脉冲输出型传感器输出的原始脉冲序列进行运算得到累加值;存储单元,...
一种光电探测器频率响应的测量系统及测量方法技术方案
本公开提供了一种光电探测器频率响应的测量系统,包括:第一激光器,用于产生光脉冲信号;色散光纤,用于对光脉冲信号进行色散展宽,输出预啁啾信号;第二激光器,用于输出光参考信号;光耦合器,用于将预啁啾信号与所述光参考信号进行光耦合,得到耦合后...
一种高滚降光学滤波器制造技术
本发明提供了一种高滚降光学滤波器,包括:输入光波导,用于输入待处理的宽带光信号;第一高阶微环滤波器,用于对待处理的宽带光信号进行初始滤波;N个级联的第二高阶微环滤波器,用于对初始滤波后的宽带光信号进行再次滤波;N个级联的中间光波导,用于...
光滤波器及应用其的光通信设备制造技术
本公开提供了一种光滤波器,包括:光波导单元,用于输入待处理的宽带光信号,并为光信号提供不经过滤波处理的光路传输路径,以及输出滤波后的光信号;微盘光滤波器单元,包括n级微盘光滤波器,用于对待处理的宽带光信号进行滤波处理;其中n为大于1的正...
一种可调谐光滤波器及应用其的光通信设备制造技术
本公开提供了一种可调谐光滤波器,包括:光波导单元,用于输入待处理的宽带光信号,并为光信号提供不经过滤波处理的光路传输路径,以及输出滤波后的光信号;微环光滤波器单元,包括N级微环光滤波器,用于对待处理的宽带光信号进行滤波处理;其中N为大于...
一种具有非对称结的硅基探测器及其制备方法技术
本发明公开了一种具有非对称结的硅基探测器,包括:SOI衬底,包括:底部硅材料层;二氧化硅填埋层;顶层硅,顶层硅上形成波导层;n型轻掺杂区和p型轻掺杂区,形成在顶层硅和波导层上,n型轻掺杂区上形成有n型重掺杂区,p型轻掺杂区上形成有p型重...
一种应用于喷灌机的塔车节点控制装置及控制方法制造方法及图纸
本发明公开了一种应用于喷灌机的塔车节点控制装置及控制方法。节点控制装置包括塔车节点控制模块,其作用在于上传本地信息和接收上位机(8)的指令,并根据上位机(8)的指令调整工作状态和/或输出控制命令。本发明还公开了一种针对每个塔车与上位机(...
增益器件、半导体激光器及半导体激光器的制作方法技术
本发明提供了一种增益器件,包括:顶保护层、窗口层、有源层和双波长分布式布拉格反射区,双波长分布式布拉格反射区包括第一分布式布拉格反射区和第二分布式布拉格反射区;窗口层设置在有源层上;有源层设置在第一分布式布拉格反射区或第二分布式布拉格反...
脉冲输出可调的声光调Q固体激光器及脉冲激光产生方法技术
一种脉冲输出可调的声光调Q固体激光器及脉冲激光产生方法,该声光调Q固体激光器包括:振荡级模块,用于被泵浦持续产生激光;可编程信号发生器,用于产生模拟信号;声光Q驱动器,用于接收所述可编程信号发生器产生的模拟信号,产生台阶状的射频信号;声...
单行载流子探测器及其制备方法技术
本公开提供一种单行载流子探测器及其制备方法,单行载流子探测器,包括:公共N接触层(3);纳米线阵列,包括多个纳米线(0),多个纳米线(0)非接触地并列排布在公共N接触层(3)上,纳米线阵列用于吸收光以产生载流子。本公开的单行载流子探测器...
InGaN单层的制备方法技术
本公开提供了一种InGaN单层的制备方法,包括:在衬底上生长GaN成核层;对所述GaN成核层进行退火处理;在经退火处理的所述GaN成核层内生长GaN外延层,在所述生长GaN外延层的过程中通入TMIn;在所述GaN外延层上通入NH3、TM...
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