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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
相干光通信的物理层安全通信装置及其方法制造方法及图纸
本公开提供一种相干光通信的物理层安全通信装置,包括:发送端,能够在用户信息中填充冗余数据,形成填充数据;并通过对相干光进行携带所述填充数据的调制,形成数据相干光并输出;接收端,能够接收所述数据相干光,通过对所述数据相干光进行处理得到所述...
一种外腔窄线宽激光器制造技术
本发明提供一种外腔窄线宽激光器,包括热沉、芯片、电极、耦合透镜、多模干涉波导结构以及反射结构,热沉上端面形成有一沿左右向延展的安装区;芯片设于所述安装区内;电极设于所述芯片的上方;耦合透镜设于所述安装区内,并位于所述芯片的右侧;多模干涉...
波长与带宽可调光滤波器及调节方法技术
本公开提供一种波长与带宽可调光滤波器,包括:微环,通过调节微环的光程,以实现光信号的波长调节;输入波导,与微环连接,将光信号耦合进微环;马赫
基于TEC的光电子器件测试平台制造技术
本公开提供一种基于TEC的光电子器件测试平台,包括:散热片,顶部设置有固定槽,底部设置有多组散热鳍片;TEC单元,嵌入设置于所述固定槽中;导热板,用于作为测试平面承载待测试光电子器件;以及磁性固定条,能够通过动态组合配置以约束所述待测试...
MicroLED芯片结构及其制备方法、显示装置制造方法及图纸
一种MicroLED芯片结构及其制备方法、显示装置,该芯片结构包括:第一衬底;反射镜,设置在第一衬底上;外延结构,设置在反射镜的表面上,包括位于外延结构顶部的n
一种发光器件封装结构制造技术
本发明公开了一种发光器件封装结构,属于封装技术领域,该封装结构包括:发光元件;散热器,所述发光元件固定在所述散热器上;荧光粉片,包括衬底和荧光粉层,所述发光元件发出的光穿过所述荧光粉层并被所述荧光粉层转换;外壳,连接所述荧光粉片和所述散...
一种混色LED器件制造技术
本发明涉及一种混色LED器件,属于LED封装技术领域,该混色LED器件包括:外壳,用于充当反射层和基板的作用;至少一个发光元件,安装在所述外壳的内表面;匀光元件,安装在所述外壳的内部,用于充当匀光作用和出光面的作用。用于充当匀光作用和出...
氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法技术
本发明公开了一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法,该光电芯片包括芯片主体和覆盖在芯片主体上的钝化层;芯片主体包括衬底,第一线圈金属层、肖特基二极管、发光二极管、电容下电极金属层、底金属层、肖特基接触金属层均设置在衬底上;肖特基...
空间光调制器及其制备方法技术
本公开提供一种空间光调制器,包括:调制层单元,包括依次设置的不同折射率的第一调制层、第二调制层和第三调制层;所述第二调制层的折射率与所述第一调制层和第三调制层不同,所述第一调制层、第二调制层和第三调制层中至少一个调制层设置有至少一个图形...
发光二极管的外延结构及其制备方法技术
本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法,其中,发光二极管的外延结构包括:衬底;上述衬底上设置氮化物成核层;上述氮化物成核层上设置氮化物层;上述氮化物层上设置N型氮化物层;上述N型氮化物层上设置多量子阱层;上述多量子阱层上设置至...
氮化物生长方法技术
本发明提出了一种氮化物生长方法,包括:准备一衬底;在所述衬底上制作石墨烯缓冲层;将所述石墨烯缓冲层进行图形化,得到图形化石墨烯缓冲层;在所述图形化石墨烯缓冲层上生长氮化物,得到生长完成的氮化物。该方法生长的氮化物可以极大的释放应力,同时...
集成硅基布拉格反射器的合分波器件及制备方法技术
本公开提供了一种集成硅基布拉格反射器的合分波器件及制备方法,该器件包括:衬底;滤波用布拉格反射器,形成于衬底上,用于对输入光进行滤波;反射用布拉格反射器,形成于衬底上,用于对经滤波用布拉格反射器滤波的输出光进行反射;增透用布拉格反射器,...
光反馈结构及其封装方法技术
本公开提供了一种光反馈结构及其封装方法,包括太赫兹量子级联激光器和高阻硅超球镜,所述高阻硅超球镜的入射平面的中心位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内,所述高阻硅超球镜的入射平面用于收集所述太赫兹量子级联激光器发出的激光,所述高阻硅超球...
单片集成边发射激光器及制备方法技术
一种单片集成边发射激光器及制备方法,其单片集成边发射激光器包括:衬底;多层结构,为由多对半导体材料层生长于所述衬底上的周期或准周期结构,每对所述半导体材料层沿垂直于所述衬底的方向依次包括低折射率材料层和第一高折射率材料层,每层所述半导体...
一种通用LED测试装置及测试方法制造方法及图纸
本发明涉及一种通用LED测试装置及测试方法,属于LED测试技术领域,该方法包括:测试平台,测试平台内嵌有置物台,置物台内开有置物台窗口,置物台的上表面设有上层测试夹,上层测试夹连接有金属电极柱,金属电极柱的顶部位于测试平台的上方,金属电...
在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法技术
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法,采用分子束外延法生长InAs层,该方法包括步骤:S1:打开Ga源炉快门和Sb源炉快门在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层,之后关闭Ga源炉快门和Sb源炉...
太赫兹开关阵列成像装置及成像方法制造方法及图纸
本发明提供一种太赫兹开关阵列成像装置及成像方法,装置包括:太赫兹开关阵列(00),太赫兹开关阵列(00)由集成在同一CMOS硅片上的至少两个太赫兹开关(0)构成;其中,太赫兹开关(0)包括:依次叠加的半导体衬底(3),氧化物隔离层(4)...
基于合金中相反自旋流控制的磁随机存储单元制造技术
本公开提供了一种基于合金中相反自旋流控制的磁随机存储单元,包括:衬底、缓冲层、自旋轨道耦合层和磁隧道结层;自旋轨道耦合层的材料为产生相反自旋流的包含重金属元素的二元或多元合金材料;磁隧道结层形成于自旋轨道耦合层上;磁隧道结层包括磁自由层...
偏振光学元件的装卡装置及应用其的光谱仪制造方法及图纸
本公开提供了一种偏振光学元件的装卡装置及应用其的光谱仪,包括:偏振光学元件;至少一个可旋转支架,与所述偏振光学元件连接,所述可旋转支架带动所述偏振光学元件绕所述偏振光学元件的轴线进行连续旋转;至少一个底座,所述底座第一端与所述可旋转支架...
生长铝镓氮的方法技术
本发明公开了一种生长铝镓氮的方法,包括:在衬底上生长成核层;在生长成核层后的衬底上生长铝镓氮;其中,衬底为图形化蓝宝石衬底,成核层在图形化蓝宝石衬底的窗口区域进行三维生长,成核层未覆盖衬底的非窗口区域,铝镓氮在图形化蓝宝石衬底的非窗口区...
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