光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备技术

本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。

【技术实现步骤摘要】
光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备


[0001]本公开涉及光电突触器件领域，具体涉及一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备。

技术介绍

[0002]现有的成像技术是基于图形成像、数据存储和信息处理三步式的任务处理过程。但是，图形成像、数据存储和信息处理这三步在传统的设备中都要经过电路总线进行多次传输，这使得图像处理过程在效率和功耗方面存在着很多问题。
[0003]随着人工突触的研究，相关技术中尝试将忆阻器和光电突触结合进行图像处理，以提高图像处理过程的效率以及降低功耗。
[0004]目前，一种相关技术是采用两端的忆阻器和光电突触解决图形处理过程中的效率和功耗问题，但是两端器件的最主要的问题是电路中漏电流的串扰问题。为了解决电路中漏电流的串扰问题，另一相关技术中采用的是在忆阻器或光电突触的交叉阵列中，将每个突触器件串联一个晶体管或二极管或选通管，这样虽然解决了阵列中漏电流的串扰问题，但是串联多余的器件却增加了工艺的复杂程度。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电突触器件阵列，其特征在于，包括：底电极；依次叠设于所述底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，所述顶电极与所述底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。2.如权利要求1所述的光电突触器件阵列，其特征在于，所述底电极采用功函数大于5eV的惰性金属。3.如权利要求1所述的光电突触器件阵列，其特征在于，所述P型半导体层采用带缺陷的P型半导体薄膜材料；和/或所述N型半导体层采用带缺陷的N型半导体薄膜材料。4.如权利要求3所述的光电突触器件阵列，其特征在于，所述P型半导体层的材料包括NiO
y
、IrO2、Co2O3、Rh2O3或MnO2；和/或所述N型半导体层的材料包括WO3‑
z
、VO2、MoO3、Nb2O5或TiO2，其中，y≥1，3＞z≥0。5.如权利要求1所述的光电突触器件阵列，其特征在于，所述光吸收层采用具有半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：程传同，张恒杰，黄北举，张欢，陈润，黄宇龙，陈弘达，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：