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本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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