一种图形转移方法技术

本发明专利技术公开了一种图形转移方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂覆光刻胶；通过激光照射在光刻胶上形成欠曝光区域，其中，欠曝光区域呈上宽下窄的梯形槽状；通过对欠曝光区域的光刻胶显影、坚膜、减薄、刻蚀后，得到目标图形。得到目标图形。得到目标图形。

【技术实现步骤摘要】
一种图形转移方法


[0001]本专利技术涉及半导体微纳加工
，尤其涉及一种图形转移方法。

技术介绍

[0002]激光直写技术是半导体微纳加工技术中图形转移的重要技术手段之一。该技术采用由步进电机精确控制的激光束，按照设计路径照射衬底，过程中激光能量参与的物理化学反应导致目标衬底性质改变，从而实现图形转移目的。在激光直写技术中，极限线宽是一个重要的技术参数，决定了激光直写的工作范围。在标准工艺条件下，激光直写极限线宽受写头限制。常规写头有0.6μm、1μm、2μm，即激光通过写头内的光路聚焦到衬底时的光斑尺寸为0.6μm、1μm、2μm。然而，图形转移的最终线宽由设备和工艺流程共同决定。在写头等设备条件确定的情况下，可以将激光曝光的非线性效应和工艺流程结合，以突破线宽上限，提高激光直写技术的工作性能。
[0003]激光直写常规的工艺流程主要包括：衬底前处理、匀胶、直写曝光、显影四个部分。前两步工艺稳定的前提下，光刻线宽与直写和显影步骤相关。直写过程是用聚焦激光束照射光刻胶使之感光变性，从而在显影液中的溶解度出现大的差异。这个过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形转移方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上涂覆光刻胶；通过激光照射在所述光刻胶上形成欠曝光区域，其中，所述欠曝光区域呈上宽下窄的梯形槽状；通过对所述欠曝光区域的光刻胶显影、坚膜、减薄、刻蚀后，得到目标图形。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述通过激光照射在所述光刻胶上形成欠曝光区域，包括：通过控制所述激光照射的聚焦深度小于所述光刻胶完全曝光所需的聚焦深度，在所述光刻胶上形成欠曝光区域。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述欠曝光区域的底部宽度为所述欠曝光区域顶部宽度的1/5～1/3。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述欠曝光区域的底部光刻胶厚度包括30～50nm。5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述欠曝光区域的两侧斜面呈阶梯状。6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述通过激光照射在所述光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鹏，赵咏梅，谢亮，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
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