本发明公开了一种测量半导体材料弹光系数的装置及方法，该装置沿光路依次包括光源、斩波器、起偏器、相位调制器、检偏器、光谱仪、光电探测器、信号采集系统和计算机控制系统，光源发出的光经过斩波器后变成强度周期性调制的光、经过起偏器后变成线偏振光...

本发明公开了一种利用非偏振光调控自旋极化电子的系统及方法，该系统包括激发光光路、辅助光光路和测量电路，其中，激发光光路的圆偏振激发光垂直入射到样品的中心位置，辅助光光路的非偏振辅助光斜入射到样品的中心位置，测量电路对样品产生的光生电压信...

本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上方，其与所述外延...

一种大面积表面增强拉曼活性基底的倾斜生长制备方法，其制备过程包括：步骤1：取一衬底；步骤2：用物理和化学方法对衬底进行清洗；步骤3：将清洗后的衬底倾斜地置于生长室中；步骤4：采用气相沉积的方法，在衬底上生长金属纳米结构，完成制备。采用本...

本发明公开了一种高速的植入式信号收发机，包括第一传输电极、第二传输电极、折射微透镜和皮下植入芯片，其中皮下植入芯片的输出端连接于第一传输电极和第二传输电极，第一传输电极和第二传输电极贴合在皮下组织上，折射微透镜附着在皮下植入芯片上，且位...

本发明公开了一种金属纳米圆环的制备方法，包括：步骤1、在光电器件需要形成金属纳米圆环的薄膜表面依次生长介质层和第一金属层；步骤2、通过退火工艺使所述第一金属薄膜形成金属纳米颗粒；步骤3、以金属纳米颗粒为掩模，刻蚀所述介质层形成介质纳米颗...

本发明公开了一种雪崩光电探测器，其用于探测目标探测光，并包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6)，其中第一电荷层(41)为N型掺杂，第二电荷层(42)为P型掺杂。吸收层(3)用于...

本发明公开了一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：将衬底表面清洗干净；步骤3：在较低的生长温度下，在衬底表面沉积半导体非晶薄膜；其中，通过控制原子的沉积速率比，得到超饱和掺杂的半导体非晶薄膜；步骤...

本发明公开了一种基站无色化的光纤分布式超宽带微波雷达，其包括：超宽带微波信号发生器、超宽带带通滤波器、微波功率分束器、连续光半导体激光器、光偏振调制器、偏振控制器、第一光环行器、单模光纤、第二光环行器、光耦合器、在线起偏器、第一光电探测...

本发明提供一种局域表面等离子体和波导模式耦合的结构，包括：一衬底；一波导层，该波导层制作在衬底上；一Au粒子层，该Au粒子层制作在波导层上。本发明可以有效的降低共振谱线的半高宽，从而提高传感器的品质因子(FOM)。

一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个...

本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法，其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法，是采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在通入腔室氢气的情况下，对太阳能...

一种硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；将其放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；将样品进行抛光，同时清洗MOCVD反应室和样品舟；再将样品放入MOC...

本发明公开了一种制备剖面为正梯形的台面的方法，包括如下步骤：S1、在一个刻蚀基片表面淀积一个硬掩膜层；S2、在所述硬掩膜层的表面涂布抗蚀剂；S3、在所述抗蚀剂表面形成刻蚀图形；S4、按照所述刻蚀图形对所述硬掩膜层进行刻蚀，以将所述刻蚀图...

本发明公开了一种选区外延单片集成的波长转换器及其制作方法。该选区外延单片集成的波长转换器报考分布反馈DFB激光器、电吸收调制器EAM、光探测器PD和光放大器SOA四个子器件；其中，所述SOA与PD之间由一段波导连接，组成SOA-PD功能...

本发明公开了一种利用电流传感器测量绝缘设备性能的方法，其包括：步骤1、在测量绝缘设备漏电流的电流传感器的输入端，额外加入一个标准正弦信号作为测试信号，所述测试信号和工作信号的混合信号经过电流传感器后得到待测信号；步骤2、从所述待测信号进...

本发明提供了一种实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法。该方法包括：在量子阱结构上沉积表面牺牲层；通过超短脉冲激光辐照或者扫描选定区域的表面牺牲层，以在该区域的表面牺牲层实现化学变性或者引入结构缺陷，形成激光改性区；对包括量子阱结构和表面牺...

本发明公开了一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔紫外发光二极管(RC-UVLED)装置，该装置包括：一种共振腔紫外发光二极管装置，其包括：第一腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上辐射和经过第一反...

一种任意切割高压LED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上形成半导体外延结构，该半导体外延结构包括衬底、N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层；步骤2：对所述半导体外延结构表面图形化形成多个重复的发光芯片单元，蚀刻所述...

本发明公开了一种基于光子晶体的可集成量子行走器件，利用光子晶体对光场的限制特性，实现较大范围的光场之间的相互耦合和干涉，使光子在极小尺寸的集成光学器件上实现量子行走，属于半导体集成光学技术和量子信息科学领域。