低发散角单纵模边发射光子晶体激光器制造技术

一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明专利技术可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：?一衬底；?一N型电极，其制作在衬底的背面；?一N型光子晶体波导，其制作在衬底的上面，用于形成电流注入通道和纵向光场扩展；?一N型下波导层，其制作在N型光子晶体波导的上面；?一有源区，其制作在N型下波导层的上面，提供光增益；?一P型上波导层，其制作在有源区的上面，用于形成电流注入通道和纵向光场限制；?一P型上限制层，其制作在P型上波导的上面，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；?一P型欧姆接触层，其制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，用于形成欧姆接触；?一绝缘层，其制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面；?一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面；?其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为光子晶体选模区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：渠红伟，张冶金，张建心，刘磊，马绍栋，石岩，郑婉华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：