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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法技术
本发明公开了一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法,该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆,采用负离焦方式,激光束焦平面位于工件表面下方;利用高斯分布或近似高斯分布的激光束在传播路径上光束截面能量密度分布的特点,采用负离焦方...
一种采用固体激光系统制备夹持光纤用硅胶垫的方法技术方案
本发明公开了一种采用固体激光系统制备夹持光纤用硅胶垫的方法,该方法采用包括水冷机、固体激光器、安装有控制程序的计算机、加工头、保护气体、硅胶垫、散热底座和工作台的固体激光系统,具体包括如下步骤:首先依次开启水冷机、固体激光器和计算机;在...
基于时间-频谱卷积原理的宽带射频信号相关检测方法技术
一种基于时间-频谱卷积原理的宽带射频信号相关检测方法,用于对宽带射频信号的匹配滤波,包括以下几个步骤:步骤1:使用激光器产生多波长激光光源;步骤2:将产生的激光通过光滤波器使用光谱成形技术,产生与被探测宽带射频信号时域波形共轭的幅频响应...
频率可切换的微机械谐振器制造技术
一种频率可切换的MEMS谐振器,包括:一中柱;一圆盘可动结构,该圆盘可动结构由连接至质心的中柱来支撑;多个驱动/检测电极,其呈放射状位于圆盘可动结构的周围;空气或固体间隙位于该圆盘可动结构和各驱动/检测电极之间。本发明通过改变驱动电极的...
一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列制造技术
本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列。该阵列利用光子晶体对激光器阵列输出的模式进行相位调制,产生高亮度且水平远场单瓣分布的激光输出。该阵列包含三个部分:模式耦合区、光子晶体区和发射...
基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列制造技术
本发明公开了一种基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列,包括:N型衬底;形成于该N型衬底之上的N型缓冲层;形成于该N型缓冲层之上的N型限制层;形成于该N型限制层之上的有源层;形成于该有源层之上的P型限制层;以及形成于该P型限...
复合构型可调谐光栅外腔双模激光器制造技术
本发明公开了一种复合构型可调谐光栅外腔双模激光器,其包括:增益器件、透镜、光栅、平面镜,其中增益器件一侧端面发出的光经透镜准直后入射到光栅表面(入射角为θ)而发生衍射,其波长分别为λ1和λ2的两束衍射光分别沿下述两种路径行进:第一、波长...
可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法制造方法及图纸
本发明公开了一种可调控能带的UV?LED多量子阱结构装置及生长方法,其能够提高紫外发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率。所述可调控能带的UV?LED多量子阱结构装置,其包括至少一个能带被调控的量子阱结构,该能带调控量子阱结构由量子阱势...
垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法技术
本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法,其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED,包括:一衬底;一GaN基LED结构纳米柱阵列,其制作在衬底上;一纳米柱侧壁隔离层,其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的...
表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法技术
本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法,其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED,包括:一衬底;一GaN基LED结构纳米柱阵列,其制作在衬底上,该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面;一纳米柱侧壁隔离层,其制作在...
一种双色量子阱红外光探测器制造技术
本发明公开了一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器,其包括一层半导体衬底层;一位于所述衬底上的缓冲层;一位于所述缓冲层上的下接触层,且该层连接探测器的下电极;一位于所述下接触层上的第一量子阱层;一位于所述第一量子阱层上...
偏振耦合装置制造方法及图纸
本发明提供了一种偏振耦合装置。该偏振耦合装置包括:直角棱镜,其第一直角面朝向入射激光的方向;斜方棱镜,其第一长边面与直角棱镜斜边面的长度相等,两者至少其中之一镀偏振分光膜层后紧密贴合,形成偏振分光界面;其第二长边面镀激光全反膜;其第一短...
多波长激光器阵列芯片的制作方法技术
一种多波长激光器阵列芯片的制作方法,包括:步骤1:在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层;步骤2:将一部分多量子阱层腐蚀掉,该腐蚀掉的部分为无源光合波器区,剩余的部分为有源区;步骤3:在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对;步骤4...
基于BBO晶体的非线性倍频器制造技术
本发明公开了一种基于BBO晶体的非线性倍频器,用于谐振腔内倍频的产生,该非线性晶体倍频器包括第一BBO晶体、偏振方向旋转装置和第二BBO晶体,其中:将第二BBO晶体沿通光方向旋转90°,然后和第一BBO晶体对称放置于该偏振方向旋转装置的...
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法技术
本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面,在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构,从而容易实现多面金...
高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法技术
一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,进行第一次退火;步骤3:在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层,形成样品;步骤4:将...
在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法技术
一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法,包括以下步骤:步骤1:在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜;步骤2:在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;步骤3:在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜;步骤4:利用微纳米球的聚光作用,通过光刻机对光刻胶进行曝...
单激光器单通道实现的双波长脉冲激光测距装置及方法制造方法及图纸
本发明提供一种利用单激光器单通道实现的双波长脉冲激光测距装置及方法。该装置包括:激光器,用于提供具有第一波长的第一激光束;分束器,用于将第一激光束分成第一部分和第二部分第一激光束;倍频组件,用于将第一部分第一激光束形成为第二波长的第二激...
一种激光测距机的测距精度测试装置及方法制造方法及图纸
本发明提供一种激光测距机的测距精度简易测试装置及方法。该装置包括:激光器,用于发射激光束;目标,用于反射所述激光束;距离精度测试装置,由N对反射镜构成,每对反射镜由互相平行的两个反射镜构成,其用于接收被目标所反射后的所述激光束,所述激光...
半导体材料微区应力测试系统技术方案
本发明公开了一种半导体微区应力测试系统。系统包括激光光源、空间滤波器、起偏器、检偏器、物镜、载物台、光弹性调制器、探测器及锁相放大器,采用计算机控制逐点扫描并采集处理数据。通过测量材料表面相互垂直的两个方向上的光强反射比率差ΔR/R求得...
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