本发明公开了一种用于激光显示的红光半导体面阵光源装置，其包括VCSEL面阵和微透镜阵列；其中，所述VCSEL面阵至少包括多个VCSEL单元，所述VCSEL单元用于发出圆化激光光束；所述微透镜阵列由多个微透镜构成，用于对所述VCSEL面阵...

本发明公开了一种抑制Ni基WC硬质合金裂纹与气孔的方法，以及利用该方法和激光熔覆来制备Ni基WC硬质合金的方法。本发明在Ni基WC硬质合金中添加占合金质量百分比为5％～15％Cr元素或5％～15％Fe元素，或两种元素同时添加。WC的质量...

本实用新型公开了一种表面贴装LED用的陶瓷外壳，其包括：上层陶瓷片：其上表面两短边处分别具有镀金正极和负极，且其两短边侧壁分别具有上正连接区和上负连接区，所述正极与上正连接区连接，所述负极与所述上负连接区连接；中层陶瓷片：其两短边侧壁分...

本发明公开了一种光电探测器频率响应的测量系统，包括：一光脉冲发生器；一可编程光滤波器；一色散光纤；一待测光电探测器；一采样示波器；一计算机。该系统利用光脉冲发生器产生宽谱光脉冲信号，通过滤波整形及色散，实现波形从频域到时域的转换，形成线...

一种硅基高迁移率III-V/Ge沟道的CMOS制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；第一次退火后，在锗层上依次生长低温成核砷化镓层、高温砷化镓层、在生长半绝缘InGaP层和砷化镓盖层，形成样品；将样品的砷化镓盖层进行砷化镓抛光工艺，将样品...

本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且...

本发明公开了一种基于数字移相提高延时精度的方法，该方法使用现场可编程门阵列(FPGA)产生两路逻辑门电路(Transistor-Transistor?Logic，TTL)信号分别作为距离选通成像中脉冲激光器的触发信号和选通门的触发信号，...

本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层；其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包...

本发明公开了一种多波长激光切换输出装置，其包括：基频激光源，其用于产生基频光；多个倍频装置，其用于产生多倍频光；多个电光装置，其在电压控制下旋转光的偏振方向；多个偏振片，其用于对预定偏振方向的光高反射，对垂直于预定方向偏振的光高透射；一...

本发明公开了一种适合周期极化晶体高功率倍频的激光谐振腔结构，其包括第一子振荡腔和第二子振荡腔，其第一子振荡腔内放置有第一周期极化晶体，第二子振荡腔内放置有第二周期极化晶体；其中，激光器谐振腔内的基频光分别在所述第一子振荡腔和第二子振荡腔...

本发明公开了一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激发后产生太赫兹波...

本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有Ga液滴；...

本发明公开了一种响应度可调的硅光电探测器及其制作方法，该硅光电探测器包括：p型硅基衬底层；n型碲离子注入层，通过于该p型硅基衬底层表面进行碲离子注入而形成；碲氧元素共掺杂的硅纳米岛层，通过于该n型碲离子注入层表面进行氧离子注入而形成；增...

本发明公开了一种交流发光二极管，包括：一绝缘衬底；至少一发光二极管组，其具有至少六个发光二极管单元，该发光二极管单元彼此绝缘分离设置于该绝缘衬底上；所述发光二极管单元分为五组，其中四组作为四条整流分支，另外一组作为输出分支，所述输出分支...

本发明公开了一种表征聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法，其包括：步骤1、利用原子力显微镜AFM分别表征不同条件下制备的多个聚合物太阳能电池样品的光敏层，得到光敏层AFM相图；步骤2、在所述多个相图中分别选取一定大小的感兴趣区；步骤3...

本发明公开了一种半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法，该系统包括电特性发生及测试装置、多个光特性探测及控制装置、光信号处理分析装置、多个热特性探测装置、中央监控及处理计算机、多通道驱动集成控制装置、多个加速多应力控制装置、多个L...

本发明公开了一种基于FPGA高速串行IO的保密通信方法，包括：在FPGA芯片中构建数据传输通道；在通信发送端接入通信传输网络处配置一个所述构建有数据传输通道的FPGA芯片，在通信接收端接入通信传输网络处配置一个所述构建有数据传输通道的F...

本发明公开了一种产生多倍频低噪声微波信号的装置。该装置包括：调谐激光器，其用于输出可调谐激光，该可调谐激光的一部分注入至直调激光器；直调激光器，其为被注入锁定的从激光器，并且其在低频微波信号的调制下产生上下边带光；稳定微波源，其用于向直...

本发明提供了一种镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器，包括：n型衬底；沉积于n型衬底背面的n型电极；依次沉积于n型衬底正面的一维光子晶体、下波导层、有源层、上波导层、p型盖层、脊形条波导和p型电极。其中，脊形条波导、p型盖层...

本发明公开了一种外腔激光器，其包括一个平面光波导芯片，该芯片包括一个管芯和一个波导，波导具有一个芯层，该芯层呈脊形，在所述波导的芯层两侧具有一个侧向耦合光栅。所述管芯包括有源区、前腔面和后腔面，所述后腔面用于反射所述有源区激发的光波，所...