本发明公开了一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器，包括：基底；缓冲层，形成于该基底之上；下限制层，形成于该缓冲层之上；多量子阱有源层，形成于该下限制层的左端之上；波导层，形成于该下限制层的右端之上；相移光栅层，形成于该多量子阱有源层之上...

一种硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法，包括：在清洗好的硅衬底上生长锗层；在锗层上依次生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；对高温砷化镓层的表面进行抛光；退火后生长MOSFET结构，该MOSFET结构包括依次生长的Ga...

本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111...

一种高In组分AlInN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlInN连续渐变缓冲层；步骤4：在连续渐变缓冲层上生长AlI...

本发明公开了一种包含镜头和屏幕的正向投影装置，包括投影镜头和投影屏幕两部分，投影镜头用于向投影屏幕输出投影图像，投影屏幕用于对投影图像进行反射和散射。两者的相对位置是固定的。投影屏幕包括微透镜阵列、反射点阵列和固定装置。投影镜头为一有缺...

一种柱透镜焦距调节装置，包括：一外框架，开有第一凹槽和第二凹槽；一第一柱透镜架安装在外框架的第一凹槽内；一第二柱透镜架安装在外框架的第二凹槽内；一第一调节螺母，其与外框架的第一凹槽的开口处的螺纹螺接，该第一调节螺母与弹簧和销钉配合，用于...

本发明公开了一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法，该方法包括：在光电子器件表面预涂一层光刻胶；利用光刻技术在光电子器件表面形成对准孔阵列；在光纤的端部剥去涂覆层露出光纤内芯；在显微镜及位移平台的辅助下将光纤端部露出的光纤内芯插入对准孔内，...

本发明提供了一种基于Mach-Zehnder光开关的四端口光学路由器。该四端口无阻塞光学路由器包括四个具有相同结构和尺寸的Mach-Zehnder光开关(M1、M2、M3和M4)，通过优化光学路由的拓扑结构，减少了Mach-Zehnde...

本发明提供一种PZT调制系数测试装置及测试方法，其中PZT调制系数测试装置，包括：一窄线宽半导体激光器；一光隔离器，其输入端与窄线宽半导体激光器的输出端连接；一迈克尔逊干涉仪，其第一输入端与光隔离器的输出端连接；一光电探测器，其输入端与...

一种多通道光纤传感网络解调系统，包括：泵浦光源；光波分复用器的输入端与泵浦光源的输出端连接；光隔离器的输入端与波分复用器的第一输出端连接；迈克尔逊干涉仪的第一输入端与光隔离器的输出端连接；光密集波分复用器的输入端与迈克尔逊干涉仪的输出端...

一种基于光电振荡器的相移光纤布拉格光栅应变传感系统，包括：一波长可调谐激光器；一偏振控制器的输入端与波长可调谐激光器的输出端相连接；一相位调制器的光输入端与偏振控制器的输出端相连接；一光环形器的a端与相位调制器的输出端相连接；一π相移布...

本发明提供了一种激光熔覆用合金粉末及应用其的激光熔覆方法。该激光熔覆用合金粉末的重量百分比组成如下：C：0.63-0.66％；Ni；27.0～33.0％；Cr：14.35～14.65；B：2.46～2.65％；Si：2.46～2.74％...

本发明公开了一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺，包括液态源装置、载气装置、旁路、生长室以及真空系统。所述液态源装置包括四个源瓶：硅源、碳源、N型杂质源和P型杂质源，它们分别安装在独立的恒温槽里，并且整体...

一种激光护目镜，其对1064nm的激光起到防护作用，其中包括：一镜片框架1，该镜片框架为圆框形，在圆框形的外圆面上有一圈沟槽；一基片，其安装在镜片框架的中间；一LED灯组，其安装在镜片框架的外圆面上的沟槽内。本发明能有效对1064nm波...

一种频率可调的MEMS谐振器，包括：一谐振单元，为圆盘形、圆环形或对称多边形结构，其中心为振动位移节点，该谐振单元由一位于位移节点处的支撑锚点支撑，该谐振单元的表面设有多个微结构；多个电极，其位于谐振单元的外围或上方，各电极之间有一间隙...

一种可调谐激光器模块，其中包括：一温控芯片；一可调谐激光器，其第一输出端与温控芯片的第一输入端连接，其第一输入端与温控芯片的输出端连接；一激光器驱动芯片，其输出端与可调谐激光器的第二输入端连接；一零漂运放芯片，其输出端与可调谐激光器的第...

本发明公开了一种提高聚合物太阳能电池效率的方法，该方法是在制备聚合物太阳能电池的过程中，在光敏层与金属阴极之间引入ZnO电子传输层，并用氢等离子体处理该ZnO电子传输层。氢扩散到ZnO材料中形成浅施主能级，提高了ZnO的载流子浓度，使Z...

本发明公开了一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法。该方法包括：在光电器件需要形成金属纳米颗粒的薄膜表面生长金属薄膜；在金属薄膜表面旋涂光刻胶；刻蚀光刻胶，形成光刻胶纳米颗粒；以光刻胶纳米颗粒为掩模，刻蚀所述金属薄膜，形成金属...

本发明公开了一种基于非对称垂直狭缝(slot)波导的偏振旋转器，其包括：入射端波导，其用于导入外部入射的光；模式转换波导，其用于将TE/TM模入射光转化为TM/TE模出射光；出射端波导，其用于导出TM/TE模；其中，入射端波导、模式转换...

本发明公开了一种PDLC压光效应光纤传感器、压力检测系统及相应的制造方法，所述传感器包括光纤，光纤由纤芯和在纤芯的表面上包覆的PDLC薄膜构成；光纤的一端接收单色光，另一端出射的光入射到一个分光计；传感器还包括用于向光纤的侧面施加被测压...