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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种发光二极管阵列的制备方法技术
本发明公开了一种发光二极管阵列的制备方法,包括以下步骤:在晶圆上制作发光二极管;制作带有金属化图形的基板;其中,基板上表面具有金属焊点和导电通孔,基板下表面制备有金属电极,所述金属电极与导电通孔连接;利用晶圆键合工艺,将晶圆与基板进行对...
氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法技术
一种氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法,其中该氮化镓基宽光谱发光二极管包括:一衬底;一缓冲层,其制作在衬底上;一n型III族氮化物层,其制作在缓冲层上,该n型III族氮化物层上面的一侧有一台面,该台面的厚度小于n型III族氮化物层的厚...
p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法技术
一种p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法,包括如下步骤:步骤1:取一单晶衬底;步骤2:在单晶衬底上,外延生长单晶薄膜;步骤3:在单晶薄膜的表面上沉积一层SiO2纳米薄膜;步骤4:利用双能态氮离子注入的方法,从SiO2纳米薄膜的表面向下注入氮...
用于光学向量-矩阵乘法器并行信息加载和提取的系统技术方案
本发明提供了一种光学向量-矩阵乘法器并行信息加载和提取的系统。该系统作为一套独立运行并拥有自有体系的有机整体,摆脱了采用信号发生器、示波器、光放大器等分立设备的束缚,可以方便、直观、灵活、准确地对光学向量-矩阵乘法器进行测试和分析。
柱透镜耦合三维调节结构制造技术
一种柱透镜耦合三维调节结构,包括:一外框,一第一内框,其位于外框内;一第二内框其位于第一内框内;一基体,其开有一斜向的凹部,该基体固定在第二内框内;一调节结构包括:一第一柱透镜架,其端面开有一用于放置透镜的方孔,侧壁固定有一凸起;一第二...
一种投影式照明系统技术方案
本发明公开了一种投影式照明系统,其包括:投影系统,用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统,用于控制各个系统之间的互联通信,反射系统,用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影原理将基础光线投...
InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法技术
本发明公开了一种InSb/GaSb量子点材料结构器件,该结构器件包括:用子支撑整个两点材料结构的GaSb衬底(101);在GaSb衬底上生长的外延结构,依次包括GaSb下缓冲层(102),晶格匹配的AlGaInAsSb下势垒层(103)...
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法技术
一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法,其中沟槽型MOS势垒肖特基二极管,包括:一衬底;一外延薄膜,其制作在衬底上,该外延薄膜的中间有一凸台,该凸台的侧壁为平面;一保护环,其制作在外延薄膜的凸台的周围,并位于凸台周围的平面向下;一绝...
全彩发光二极管模组的制备方法技术
一种全彩发光二极管模组的制备方法,包括以下步骤:取一外延片;在外延片上制备发光二极管阵列;在制备有发光二极管阵列的外延片上进行减薄划裂,得到发光二极管单元;取一基板,基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道,基板的另一面制备有与导电...
石墨烯的低折射率差波导调制器及制备方法技术
一种石墨烯电吸收低折射率差波导调制器,包括:一衬底;一下包层,其制作在衬底上;一波导芯层,其制作在下包层上的中间部位,形成脊形结构;一ITO透明电极,其制作在波导芯层上及两侧,并覆盖暴露的下包层的上表面;一下绝缘介质层,其制作在ITO下...
高功率全固态连续激光合束系统技术方案
一种高功率全固态连续激光合束系统,包括:多个高功率全固态连续激光器模块,该多个高功率全固态连续激光器模块输出的激光采用并联方式;多个耦合透镜组,该耦合透镜组位于高功率全固态连续激光器模块输出的光路上,该多个耦合透镜组采用并联方式;一光纤...
基于差影法的遥控器按键缺陷检测方法技术
一种基于差影法的遥控器按键缺陷检测方法,包括如下步骤:步骤1:制作遥控器标准模板;步骤2:对待检测样品的图像做预处理;步骤3:对标准模板和待检测样品的图像粗配准,得到粗配准区域;步骤4:对标准模板图像进行区域标记,进行二次细配准;步骤5...
距离选通编码超分辨率三维成像方法技术
本发明公开了一种距离选通编码超分辨率三维成像方法,其包括:步骤1、按照选通编码规则生成编码工作时序,以对脉冲激光器和选通成像器件进行时域编码调制产生所需的激光脉冲序列和选通脉冲序列;步骤2、在选通脉冲序列和激光脉冲序列卷积作用下,在空域...
360度发光的LED球泡灯制造技术
本发明提供一种360度发光的LED球泡灯,包括:一球形外壳和与之连接的基座;一导热支柱,其设置在基座上;多个透明陶瓷基板,其设置在导热支柱上,多个透明陶瓷基板上分别设置多个LED管芯,所述导热支柱与透明陶瓷基板为垂直设置;一驱动电路,其...
硅基锗激光器及其制备方法技术
本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括:硅材料,具有相应的晶向;锗层,外延生长于硅材料上,包括:锗脊形波导,由刻蚀锗层形成,构成全部或部分的激光谐振腔;p型掺杂区和n型掺杂区,位于锗脊形波导的两侧;p型掺杂区、锗脊...
利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法技术
本发明公开了一种利用量子阱混杂技术制作多波长光子集成发射芯片的方法,包括如下步骤:在衬底上依次外延缓冲层、多量子阱有源区、快速退火缓冲层和空位释放层;腐蚀去掉激光器、探测器和光放大器区的空位释放层后生长二氧化硅,一次退火获得电吸收调制器...
硅基半导体超短脉冲激光器制造技术
一种硅基半导体超短脉冲激光器,包括:一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层;其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上;所述下光...
一种恒压/恒流自动转换的全固态激光器驱动电源装置制造方法及图纸
本发明公开了一种恒压/恒流自动转换的全固态激光器驱动电源,其包括了主电路和控制驱动电路两部分;其中,主电路用于根据控制驱动电路输出的控制信号调节输出驱动电流的大小,并将其提供给激光器;所述控制驱动电路包括恒压电路和恒流电路,其中所述恒压...
一种并联扩容大功率全固态激光器驱动电源装置制造方法及图纸
本发明公开了一种采用并联扩容技术的大功率全固态激光器恒流驱动电源,其包括一台主电源模块、若干个相同的从电源模块、辅助供电模块、电流给定及显示模块和启/停控制模块,其中所述主电源模块和从电源模块并联连接,平均分担总的负载电流,且各从电源模...
具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法技术
一种具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法,包括以下步骤:步骤1:取一外延片;步骤2:在外延片上制备发光二极管阵列;步骤3:在制作有发光二极管阵列的外延片上涂覆荧光粉;步骤4:对外延片进行减薄划裂,得到发光二极管单元;步骤5:取一基...
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