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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法技术
本发明公开了一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法。电池包括衬底(1)和形成在衬底(1)上的硅纳米线层(2),硅纳米线层(2)由多个长度方向垂直于衬底(1)表面的硅纳米线构成,在每个硅纳米线的外侧依次形成有背电极薄膜层(2a)、掺杂型硅薄膜层...
提高AlN外延薄膜荧光强度的方法技术
本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N2氛围下进行高温退火,使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置,减小了非辐射复合缺陷,提高了AlN外延薄膜的荧光强度。
一种单纤双向小型化光收发封装装置制造方法及图纸
本发明公开了一种单纤双向小型化光收发封装装置,该装置包括一半导体激光器芯片(1)、一探测器芯片(2)、一平行光分束器(3)、一准直透镜(4)、一L形热沉(5)、一陶瓷插芯(6)、一金属管壳(7)和一金属套管(8),其中,半导体激光器芯片...
阵列型微机电可变光衰减器制造技术
本发明提供了一种阵列型微机电可变光衰减器。该阵列型微机电可变光衰减器通过使用固定遮光板与可动遮光块相结合的方法,有效低控制了光的散射和光束尺寸,实现了良好的光衰减性能。
一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法技术
本发明公开了一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法。该方法在微纳加工工艺的基础上,采用体硅加工技术制作可变光衰减器的固定挡光板和活动挡光板,通过在固定挡光板、活动挡光板上淀积挡光材料,起到对光束的遮挡限制作用;固定挡光板上制作通光孔,用...
一种挡光式微机电可变光衰减器制造技术
本发明公开了一种挡光式微机电可变光衰减器,其包括:输入输出光纤、固定遮光板、可动MEMS器件、磁场产生装置和驱动电路;固定遮光板中心具有通光孔,驱动电路和固定遮光板的下表面与可动MEMS器件的上表面对准键合,可动MEMS器件中心具有运动...
一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法技术
本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括:在晶片上涂覆电子束胶;将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘;利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形;对晶片进行电子束曝光和显影,以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿...
激光雷达装置及利用该装置测量目标物距离的方法制造方法及图纸
本发明公开了一种波长编码的激光雷达装置及利用该装置测量目标物距离的方法。该装置包括光波长编码发生器、光纤分路装置、偏振控制器、前端空间光收发一体装置、光纤耦合器、光电探测器和拍频信号检测装置。光波长编码发生器产生探测光脉冲和参考光脉冲,...
一种无结晶体管的电阻测试方法技术
本发明公开了一种无结晶体管的电阻测试方法,包括:制作由多个无结晶体管串连而成的有栅极结构和无栅极结构;这两组结构中多个无结晶体管的源级和漏极依次制作在两个相邻的接触台面上,且两个相邻接触台面之间通过导电通道连接,导电通道长度依次递增;其...
一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法技术
本发明提供了一种检测光通讯波段半导体材料发光单光子特性的方法。该方法依靠准静水压压力装置对光通讯波段的半导体发光材料施加压力,将其发光波长向短波方向移动,而进入硅单光子探测的光谱探测范围,结合配有两个硅单光子探测器的HBT单光子测试系统...
一种基于半导体光放大器的有源光学时间积分器制造技术
本发明公开了一种基于半导体光放大器的有源光学时间积分器,包括一个具有高的净模增益系数的半导体光放大器和半导体光放大器两端面所镀的高反射率薄膜,所述半导体光放大器工作在法布里-珀罗模式下。本发明能够对任意输入光信号进行积分,且具有其积分时...
激光功率监测组件及应用其的激光发射模块、光放大器制造技术
本发明提供了一种激光功率监测组件及应用其的激光发射模块、光放大器。该一种激光功率监测组件包括:二维纳米线光栅,具有一定厚度,其前表面具有光栅结构,激光以入射角α由其前表面面入射,在光栅结构作用下,部分入射激光经过该二维金属纳米线光栅反射...
激光功率监测组件及应用其的激光发射模块、光放大器制造技术
本发明提供了一种激光功率监测组件及应用其的激光发射模块、光放大器。该激光功率监测组件包括:纳米线光栅,具有一定厚度,其前表面具有光栅结构,激光以入射角α由其背面入射,在光栅结构作用下,部分入射激光由该纳米线光栅厚度方向引出;以及光探测器...
优化配置的多腔室MOCVD反应系统技术方案
一种优化配置的多腔室MOCVD反应系统,包括:一独立与外界通过手套箱等隔离的箱体;多个独立的生长室,该多个独立的生长室位于该箱体之内,分别用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长,该多个独立的生长室中...
激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法技术
一种激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法,包括:在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层,n型AlGaInAs包层,AlGaInAs多量子阱层,p型AlGaInAs包层,InP间隔层,InGaAsP光栅层和InP牺牲层,形成基片,...
一种具有W型有源区结构的带间级联激光器制造技术
本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上,依次制备InAs/AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs/AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源区由InAs/A...
带有分布反馈光栅和多孔波导量子级联激光器及制作方法技术
一种带有分布反馈光栅和多孔波导量子级联激光器,包括:一衬底;一下波导层生长在衬底的中间部位;一量子级联有源区结构生长在下波导层上;一掩埋光栅层生长在量子级联有源区结构上;一低掺层生长在掩埋光栅层上;一高掺层生长在低掺层的中间部位;一多孔...
分布反馈式激光器及其制备方法技术
本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括:N型GaAs衬底;以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中,P型AlGaAs上限制层经刻...
一种带有大面积纳米图形的蓝宝石模板制作方法技术
本发明公开了一种带有纳米图形的蓝宝石模板制作方法,包括:选择蓝宝石衬底模板;在所述蓝宝石衬底模板上旋涂光刻胶,并在所述光刻胶上铺单层密排自组装纳米球;对单层密排自组装纳米球进行曝光,然后去除单层密排自组装纳米球并显影,最终获得带有孔洞图...
一种基于高速图像传感器的视觉追踪系统及方法技术方案
本发明公开了一种基于高速图像传感器的视觉追踪系统及方法,该系统包括光学镜头、图像采集及视觉处理片上系统、高速旋转平台和电源管理模块,其中,光学镜头用于对追踪目标进行成像;图像采集及视觉处理片上系统用于实现图像采集和视觉分析;高速旋转平台...
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