一种高压水流辅助的激光切割熔渣的装置，包括：一基座；一激光头，其位于基座的上方，该激光头与基座的距离可调节；一夹持装置，其固定在激光头上，该夹持装置的一端位于激光头的一侧；一水气管，其可调节的固定在夹持装置位于激光头的一侧的一端。本发明...

本发明公开了一种提高固体激光器线偏振激光输出的装置，其包括第一全反镜、半导体激光线阵侧泵激光模块、偏振器件、第二全反镜和功率计；其中，所述半导体激光线阵侧泵激光模块发出的激光在第一全反镜、半导体激光线阵侧泵激光模块、偏振器件与第二全反镜...

一种采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：利用带有纳米压印功能的原子力显微镜，在缓冲层上制备周期阵列的纳米孔洞；步骤4：在周期阵列的纳米孔洞和缓冲层上生...

一种利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统，该系统包括：一与其他真空生长设备相兼容的超高真空室；一原子力显微镜，其固定在超高真空室的底部；一衬底托固定装置，其固定在原子力显微镜的上面，该衬底托固定装置的中间有一孔洞；一衬底托，其...

本发明公开了一种高阻GaN薄膜及其制作方法。该高阻GaN薄膜包括：衬底；GaN低温成核层，其制作在衬底上；GaN高阻层，其制作在GaN低温成核层上。该高阻GaN薄膜利用MOCVD设备，并用三甲基镓和氨气作为镓源和氮源，以氢气为载气进行生...

本发明提供了一种带间级联激光器及其制备方法。该带间级联激光器在有源区InGaSb中插入InAs层，形成一空穴势垒，使得空穴波函数向两侧拓展，从而增加了空穴于电子波函数的交叠，电子空穴波函数在无外场作用下的交叠程度为15.407％，比传统...

本发明公开了一种硅基微腔激光器的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底正面，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；将高温砷化镓层表面抛光后外延激光器结构...

本发明公开了一种激光阵列热沉模块及其制作方法。该热沉模块包括：双对称屏蔽孔、连接屏蔽孔的金属线、微带线、激光器阵列、基底和底端散热模块；其中：激光器阵列和微带线均布置在基底上，并通过连接线对应相连，形成信号通路；双对称屏蔽孔位于两个微带...

一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管，包括：一衬底；一外延薄膜，其制作在衬底上，该外延薄膜的中间有一凸台，该凸台的侧壁为平面；一保护环，其制作在外延薄膜的凸台的周围，并位于凸台周围的平面向下；一绝缘介质薄膜，其制作在外延薄膜的凸台周围的侧壁...

本实用新型公开了一种集成Wi-Fi功能的无线鼠标，该无线鼠标包括可活动的鼠标模块及与终端设备连接的适配器，该鼠标模块与终端设备之间通过无线传输进行通信，该适配器连接于终端设备的USB端口上，包括接口模块以及与该接口模块相连接的鼠标接收模...

本发明公开了一种全自动跟踪光源的可见光通信接收装置，包括：圆柱形载体，具有三个互成120度的圆柱形通孔；三个光探测单元，分别设置于该三个圆柱形通孔中，每个光探测单元均包括一探测器托盘、一可见光探测器、一滤光片和一会聚透镜；云台，包括垂直...

本发明提供了一种具有载波泄露校准和补偿功能的WLAN收发机。该WLAN收发机不需要在射频部分的内部引入用于数据采集的ADC以及载波泄露补偿和I/Q失配补偿的DAC，只需要设计一条简单的校准通路，校准和补偿由数字基带实现，只需要进行少量迭...

本发明提供了一种信号放大电路。该信号放大电路采用差分技术，能够消除长导线上的寄生电容、运算放大器自身内阻、零点漂移及温度漂移引起的测量误差，精度高，增益高。

本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装...

一种晶圆级微透镜压印成型方法，包括以下步骤：步骤1：将半导体发光二极管芯粒固定在晶圆级基板上；步骤2：在晶圆级基板和芯粒上方涂覆均匀的光敏胶；步骤3：将晶圆级基板、芯粒及涂覆有光敏胶一起固化；步骤4：固化完成后，在光敏胶的表面光刻、曝光...

本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂...

一种氮化镓系发光二极管及制备方法，其中氮化镓系发光二极管包括：一衬底：一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧有一台面；一活性发光层，...

本发明公开了一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，包括：在蓝宝石衬底上生长掩膜材料；对掩膜材料进行光刻，得到具有周期尺寸图形的掩膜；湿法腐蚀蓝宝石衬底得到一定深度的凹坑；干法刻蚀蓝宝石衬底，直至掩膜退缩完全；表面清洗。本发明提供的这种干...

一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型...

一种植物补光发光二极管的制作方法，包括在衬底的表面打通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底清洗；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧及中间向下刻蚀，形成第一台面和第二台面，该...