本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅...

本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al2O3减反射膜(AAO薄膜)。本发明采用AAO薄膜作为减反射膜，该A...

本发明公开了一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法，芯片由至少一个单元模块组成，该单元模块包含至少一个LED微晶粒；各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上，且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在...

一种利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法，包括如下步骤：步骤A：在量子阱结构片上的量子阱层上沉积表面牺牲层；步骤B：激光通过具有送气功能的激光头，在表面牺牲层上聚焦，形成反应气的激光等离子体；步骤C：控制该激光等离子体轰击表面牺牲层...

本发明公开了一种集成染料敏化太阳能电池的自驱动电致变色器件的制备方法，其包括：将ITO导电玻璃放入钨酸溶液中沉积WO3·2H2O薄膜作为电致变色器件的工作电极；制备电致变色器件对电极；ITO玻璃上涂抹氯铂酸溶液，煅烧得到太阳能电池的对电...

本发明公开了一种基于马赫曾德光开关的五端口光学路由器，该路由器总共包含了八个具有相同结构和尺寸的马赫曾德光开关。通过调制马赫曾德光开关对应调制臂的相位，可以实现马赫曾德光开关两种状态的动态切换，进而实现所述光学路由器五个双向端口的无阻塞...

本发明公开了一种基于马赫曾德光开关的四端口胖树光学路由器，其包括：包括第一马赫曾德光开关(M1)，第二马赫曾德光开关(M2)，第三马赫曾德光开关(M3)和第四马赫曾德光开关(M4)。上述四个开关之间可实现四种不同的路由形式，本发明提出的...

本发明公开了一种具有测距功能的被动成像系统及其测距方法，该系统包括：高频低能量脉冲激光发射装置，用于发射高频低能量激光脉冲，并扩束整形以达到远距离；光电二极管阵列探测器成像装置，用于接收由目标反射回的激光光斑及背景图像，并通过调整积分时...

一种光纤干涉仪多参数的综合测量系统，包括：一窄线宽可调谐半导体激光器，其用于提供传输用的信号光；一光隔离器，其输入端与窄线宽可调谐半导体激光器的输出端连接；一干涉仪，其端口1与光隔离器的输出端连接，用于减小瑞利散射光对激光器的影响，以保...

本发明公开了一种拖曳式光纤温深剖面连续测量系统，该系统包括拖曳缆、解调系统和绞车设备，其中：拖曳缆包括测量传感器、传输光缆、抗拉缆索、抗挤压节箍和保护节箍，成缆后进行硫化处理，在尾端连接配重铅鱼；解调系统包括宽带光源、波长探测模块、光开...

一种激光器频率稳定度测试装置，包括：一第一驱动电路和第二驱动电路，该第一驱动电路和第二驱动电路包括有温度控制装置；一第一激光器和第二激光器，所述第一驱动电路和第二驱动电路分别给第一激光器和第二激光器提供的驱动控制；一光纤耦合器，光纤耦合...

一种基于相位生成载波技术的分布式光纤传感系统，包括：一窄线宽激光器；一调制器，其输入端与窄线宽激光器的输出端连接；一光隔离器，其输入端与调制器的输出端连接；一掺铒光纤放大器，其输入端与光隔离器的输出端连接；一环行器，其端口a与掺铒光纤放...

本发明涉及海洋水文参数监测，具体公开了一种光纤温深潜标连续测量系统。该系统包括通讯浮标、主浮球、仪器舱、解调系统、温深链、缆绳、声学释放器和锚定重物，其中通讯浮标包括太阳能电池、北斗通讯板卡和卫星组合天线；解调系统包括解调模块和锂电池，...

本发明公开了一种水下传感器链快速布放的方法，该方法包括：将传感器链缠绕在C字型卷轴上，并使用水溶性材料绑缚固定，形成一整体；其中传感器链底端连接配重物体，顶端链接浮球，浮球放置入C字形卷轴中空部分；将该整体集成在刚性金属桶内，并在刚性金...

一种采用双激光器对金属材料实施激光焊接的方法，包括如下步骤：步骤1：对焊接材料进行清理，并将焊接材料安装固定；步骤2：采用双激光器产生两束激光，该两束激光聚焦于焊接材料的表面；步骤3：在焊接材料的表面侧吹保护气体；步骤4：第一束激光由准...

一种紫铜与黄铜的激光焊接方法，包括如下步骤：步骤1：对待焊接的紫铜与黄铜进行清洗；步骤2：将待焊接的黄铜的焊接部位加工一焊口；步骤3：将待焊接的黄铜与紫铜在焊口处对接固定；步骤4：在黄铜的焊口处通过激光熔覆方法涂敷一层中间材料；步骤5：...

本发明公开了一种用于激光熔覆的含有高铬含量的铁基复合粉末，该铁基复合粉末是由Cr3C2、Cr和Fe的化合物，以及Ni、Mo、Si和B元素构成。该铁基复合粉末中各元素的质量百分比为：Cr：38～40％；C：4.2～4.5％；Ni：3～5％...

本发明公开了一种硅神经电极混合集成器件的制造方法，包括：制作用于神经信号采集的前置放大器芯片和硅神经电极；在前置放大器芯片表面制作掩膜，在前置放大器芯片输入压焊盘中制作金属层；在前置放大器芯片表面和压焊盘中制作绝缘层；对前置放大器芯片和...

本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括：衬底；依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，其中，该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层、多量子阱和部分...

本实用新型公开了一种半导体薄膜生长设备，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且每条管道...