一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝缘材料层，并淀积...

一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括以下步骤：在LED外延片上制作LED单元器件阵列，在该单元器件阵列的部分单元器件上制作金属，作为键合时的金属中间层，构成待键合单元器件阵列；同时，在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键...

本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性G...

本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、...

本发明公开了一种高倍聚光硅太阳电池，其包括：钝化减反膜；第一掺杂层，其制作在钝化减反膜下表面的中间部位；顶层硅，其制作在第一掺杂层的下表面；第二掺杂层，其制作在顶层硅的一侧面，其端部覆盖第一掺杂层一端的下表面；第三掺杂层，其制作在顶层硅...

本发明公开了一种晶圆级基板微通孔电镀方法，包括：化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板；其中基板上带有通孔，高温酸洗后过PI和无水乙醇；晶圆级基板一面蒸镀金属引导层；金属引导层表面粘贴绝缘层；外电源阳极与金属引导层相连接后，将所述基板放入硫酸...

本发明公开了一种线状的柔性非对称超级电容器及制作方法。所述电容器包括非对称电容器的正极材料、负极材料和电解质，其中正极材料生长在线状导电基底，负极材料涂覆在纤维后均匀缠绕在线状导电基底。所述制作方法包括：用水热法在镍丝或钛丝上生长四氧化...

本发明公开了一种微结构装调装置，其包括：基体，其为金属条状形，如长方体条状或圆柱条状等，其一端具有一豁口；该豁口可以由第一面、第二面、第三面构成，其中第一面、第二面、第三面两两相互垂直；导线，其缠绕在基体的中部，当导线通电时，基体本身变...

一种确定光斑位置的夹具，其中包括：一底座；一右框，其固定在底座上面的一侧；一左框，其固定在底座上面的另一侧；一背板，其固定在底座的上面，其宽度与右框及左框之间的距离相同；一直角标尺，其包括一长直角边和一短直角边，其可上下滑移的设置在右框...

一种基于PC的光纤端帽熔接控制装置，包括：一计算机；一激光单元，其与计算机的第一USB通讯接口连接；一伺服运动单元，其与计算机的并口连接；一步进运动单元，其与计算机的并口连接；一第一CCD相机，其与计算机的第二USB通讯接口连接；一第二...

本发明公开了一种刻蚀衍射光栅型波分复用/解复用器，包括输入波导、输出波导、自由传输平板波导区和刻蚀衍射光栅，输入波导和输出波导位于自由传输平板波导区的同一侧，并均与自由传输平板波导区相连，自由传输平板波导区的另一侧与刻蚀衍射光栅相连，刻...

本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路...

本发明公开了一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器，包括：背面具有凹腔的单晶硅层(1)；形成于该单晶硅层(1)背面凹腔中的多孔硅/硅复合膜结构(6)；形成于该单晶硅层(1)正面的多孔硅压敏电阻(7)；以及在该多孔硅压敏电阻(7)上淀积的作...

本发明公开了一种LED散热结构，包括LED芯片、散热材料、粘结层和散热基板，其中，散热材料形成于LED芯片的侧面，且LED芯片的底面及散热材料通过粘结层粘结于散热基板之上。利用本发明，由于增加了散热面积，降低了平面的热流密度，增加了平面...

一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接...

本发明提供了一种可控皮秒双波长光纤激光器。该可控皮秒双波长光纤激光器利用多个锁模器件共用一个增益光纤实现不同波长的锁模脉冲激光输出，靠偏振的特性实现对皮秒输出的可控，可以通过调制各不同谐振腔内的两个偏振控制器实现激光输出或抑制振荡。

本发明公开了一种氮化镓系发光器件，包括衬底；成核层；n型III族氮化物层；多量子阱有源区；最后一个量子垒层；类电子阻挡层；p型III族氮化物层；n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。...

一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全...

一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多...

一种激光加工罩，包括：一金属罩，其为中空的半球形，该金属罩的中间部位开有一用于固定激光头的圆孔，侧壁上开有多个可视窗口；多个护目镜片，其固定在金属罩上的可视窗口上。本发明通过采用这种激光加工罩，可使视场明亮，所述可视窗口的镜片对1064...