【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
,特别是。
技术介绍
半导体发光二极管照明是新一代固体冷光源,具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点,是理想的节能环保产品,适用各种照明场所。半导体发光二极管封装向轻、薄、短、微型化的发展趋势,要求封装基板、封装材料的空间、体积向更小型化发展,晶圆级封装技术已经成为发展的必然趋势。半导体发光二极管封装后的功能、可靠性很大程度上取决于直接金属化、微盲填充及通孔金属化的品质。电镀填充微通孔、盲孔是一种简单实用的技术。电镀是指在含有欲镀金属的盐类溶液中,以被镀基体金属为阴极,通过电解作用,使镀液中欲镀金属的阳离子在基体金属表面沉积出来,形成镀层的一种表面加工方法。镀层性能不同于基体金属,具有新的特征。根据镀层的功能分为防护性镀层,装饰性镀层及其它功能性镀层。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供,其是在发光二极管芯片工艺制作中,对氮化镓基发光二极管衬底用激光加工成横向光子晶体,可以大大提高出光效率,使得发光二极管外量子效率提升,特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。为达到上述目的,本专利技术提供,包括一下步骤:步骤1:化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板;其中基板上带有通孔,高温酸洗后过PI和无水乙醇;步骤2:晶圆级基板一面蒸锻金属引导层;步骤3:金属引导层表面粘贴绝缘层;步骤3:外电源阳极与金属引导层相连接后,将所述基板放入硫酸铜溶液,直到基板背面通孔顶部冒出为止;步骤4:去掉绝缘层,并将去掉绝缘层的面与陶瓷盘固定,减薄机抛光突出部分;步骤5:去除陶瓷盘,完成微通孔电镀。本专利技术通过引进一层绝缘覆盖层,覆盖在金属上方 ...
【技术保护点】
一种晶圆级基板微通孔电镀方法,包括一下步骤:步骤1:化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板;其中基板上带有通孔,高温酸洗后过PI和无水乙醇;步骤2:晶圆级基板一面蒸镀金属引导层;步骤3:金属引导层表面粘贴绝缘层;步骤3:外电源阳极与金属引导层相连接后,将所述基板放入硫酸铜溶液,直到基板背面通孔顶部冒出为止;步骤4:去掉绝缘层,并将去掉绝缘层的面与陶瓷盘固定,减薄机抛光突出部分;步骤5:去除陶瓷盘,完成微通孔电镀。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆级基板微通孔电镀方法,包括一下步骤:步骤1:化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板;其中基板上带有通孔,高温酸洗后过PI和无水乙醇;步骤2:晶圆级基板一面蒸镀金属引导层;步骤3:金属引导层表面粘贴绝缘层;步骤3:外电源阳极与金属引导层相连接后,将所述基板放入硫酸铜溶液,直到基板背面通孔顶部冒出为止;步骤4:去掉绝缘层,并将去掉绝缘层的面与陶瓷盘固定,减薄机抛光突出部分;步骤5:去除陶瓷盘,完成微通孔电镀。2.根据权利要求1所述的一种晶圆级基板微通孔电镀方法,其中基板的材料为蓝宝石、S1、SiC、GaA...
【专利技术属性】
技术研发人员:王莉,谢海忠,刘志强,伊晓燕,郭恩卿,王军喜,李晋闽,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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