本发明公开了一种基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感器接口电路，包括开关网络、待测电容阵列、运算放大器和电容反馈网络。其中，开关网络包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3和第四开关S4。待测电容阵列包括待测电容Cx和寄生旁路电...

一种金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法，包括：在SOI片上刻蚀出周期性的条形波导结构；在p型InP衬底上外延生长III/V激光器外延片；清洗；将III/V激光器外延片和SOI片键合到一起，形成键合片；在键合片上表面生长一SiO2层，...

一种单级振荡加多级放大的全固态准连续激光器，包括：一全反射镜；一第一声光Q开关、一激光振荡模块、一第二声光Q开关、一部分透过镜、一一级放大模块、一二级放大模块、一三级放大模块和一四级放大模块均依次位于全反射镜的同轴光路上。本发明具有价格...

本发明公开了一种基于交叉偏振调制和Sagnac环产生全光4倍频微波的装置，包括窄线宽激光器、第一偏振控制器、环形器、偏振分束器、第二偏振控制器、光耦合器、第三偏振控制器、强度调制器、宽带微波源、可调谐激光器、高非线性光纤、第四偏振控制器...

一种异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法，包括：去掉S0I基片上的部分顶层硅；在暴露的二氧化硅层上淀积二氧化硅波导芯层；在二氧化硅波导芯层材料上制作二氧化硅阵列波导光栅；在制作有二氧化硅阵列波导光栅上淀积二氧化硅波导上包层；去...

一种高阻低位错GaN薄膜，包括：一衬底；一GaN低温成核层，其制作在衬底上；一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上；一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。本发明是通过控制反应室压强，实现非故意可控碳掺杂，从而达到既补偿背景载流子，...

一种可见光通信系统误码率与光功率关系的测量装置及测量方法，该测量装置包括：一误码率测试仪；一调制电路与误码率测试仪连接；一白光发光二极管与调制电路的输出端连接；一前凸透镜位于白光发光二极管的光路上；一滤光片、一光衰减片和一后凸透镜，其分...

本发明涉及微纳光电子与激光技术以及光电子集成领域，提出一种适用于片上集成的共面电极电注入表面等离子微纳结构波导输出激光源，包括半导体有源层、绝缘介质层、金属薄膜层，金属薄膜层与半导体有缘层之间间隔所述绝缘介质层，金属薄膜层上形成有金属条...

本发明提供了一种源输送混合比可调气路装置。该源输送混合比可调气路装置包括：载气主管路，其入口连接至载气源；M个气动阀门，其出口分别连接至薄膜沉积腔室中的M个生长位置；以及N路的源载气混合管路，对于该N路源载气混合管路中的每一路而言，其入...

本发明提供了一种用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统。该SQUID密封腔系统包括：样品腔；样品杆，伸入样品腔内，待测样品固定在其下段的样品托上；传输台，与样品腔密封连接；密封柱状体，包括：两侧开口的柱状体内筒，其下侧密封固定...

一种倒装高压发光二极管，包括LED芯片和支撑基板；所述LED芯片包含多个LED芯片单元，所述每个LED芯片倒装焊接在支撑基板上；所述每个LED芯片单元包含n型半导体层、p型半导体层、有源层、p电极焊盘和n电极焊盘；其中所述n电极焊盘包含...

本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通入摩尔比介于10...

本发明公开了一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法，该方法包括：取在蓝宝石衬底上生长了氮化镓薄膜的外延片；在氮化镓薄膜的表面沉积过渡层；在过渡层表面制作转移衬底；以及采用步进扫描方式的长条形激光光斑扫描照射整个抛光过的蓝宝石衬底的背...

一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为...

本发明公开了一种功率可变的模拟激光源，包括：激光发射部分用于在数字控制电路部分的控制下发射出功率稳定的脉冲激光，并作为整个模拟激光源的激光发射源；激光功率控制部分用于接收数字控制电路部分的数字控制指令，并将其转换成电压，以驱动激光功率控...

本发明公开了一种多芯片LED封装体的制作方法，该多芯片LED封装体包括LED芯片、金属基板和PCB基板。这种多芯片封装体采用金属基板作为封装主体，能有效提高散热效果，同时结合PCB板制作背电极和通孔，使得该多芯片封装体在后面的灯具制作过...

一种输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂的折射率渐变层、n型掺杂的下包层、n型掺杂的下波导层、有源区、p型掺杂的上波导层、p型掺杂的上包层、p型掺杂的折射率渐变层和p型重掺杂接触层，形...

本发明公开了一种4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法，首先对4H-SiC衬底进行清洗并放入垂直热壁低压CVD设备的生长室；反应室抽真空；设置反应室压强，并向反应室通氢气流；加热反应室至刻蚀温度，对衬底进行原位刻蚀；...

一种适用于温度传感器的可编程开关电容积分器，包括：一时钟产生子电路，该时钟产生子电路包括两个时钟输出端；一积分子电路，该积分子电路中的第一开关与时钟产生子电路的时钟输出端连接；该积分子电路20中的第二开关与时钟产生子电路10的时钟输出端...

本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关，该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导，其中：输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中；一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一维光子晶体透射谱...