本实用新型公开了一种固体籽粒的自动检测与分选系统，该系统包括传动部件、斜面翻滚部件、信号采集与处理部件和籽粒分选部件，其中传动部件具有多个传动通道，斜面翻滚部件具有多个传输通道，传动部件的传动通道的末端连接于斜面翻滚部件的传输通道的前端...

一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在...

本发明公开了一种激光器合束装置和方法，用于对多个激光器进行合束后进行输出，装置包括多个激光器、光束整形装置、衍射光栅和输出耦合器，各激光器均具有增益区和后腔面，增益区为激光的产生提供增益，后腔面与输出耦合器形成谐振腔；光束整形装置用于接...

一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧...

本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，包括：叠层结构，该叠层结构包括：N型衬底；形成于N型衬底下表面的下电极；形成于N型衬底上表面的N型限制层；形成于N型限制层之上的光子晶体；形成于光子晶体之上的有源层；形成于有源层之上的...

本发明一种具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法，该具备背电极局域随机点接触太阳电池，包括：一衬底；一n型发射极，其制作在衬底上；一前表面钝化层，其制作在n型发射极上，该前表面钝化层分为多段，相邻两段之间均有一电极窗口；一钝化膜，其...

一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法，包含：在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶；在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜；光刻，在第一光刻胶上形...

本发明提供了一种用于固态图像传感器的模拟读出预处理电路。该模拟读出预处理电路包括：相关双采样可编程增益放大电平位移单转差开关电容网络，用于实现固态图像传感器输出的信号的采集与预处理；运算放大器，用于利用运算放大器两输入端“虚短”及电荷守...

本发明公开了一种高速快闪加交替比较式逐次逼近模数转换器，包括第一及第二采样电路，第一及第二电容阵列，4bit快闪式sub-ADC，交替比较器，逻辑控制电路和数字加权电路，第一及第二电容阵列均包括温度计码的高有效位电容阵列和亚二进制的低有...

本发明公开了一种实现浮游动物信息获取的光立体采样原位探测方法，其包括：脉冲激光器发出激光脉冲，经光立体采样区中的浮游动物反射返回目标回波信号；当目标回波信号到达选通成像器件时，选通成像器件选通门开启，接收目标回波信号，并对所述光立体采样...

本发明公开了一种基于RGB-LED波分复用技术的可见光通信接收装置，其包括：准直镜头、分光装置、光探测接收装置；其中，准直镜头用于收集来自RGB-LED光源的可见光，将其调节为平行光进入分光装置中；分光装置将接收到的平行光分离成红、绿、...

本发明涉及激光技术与微纳光电子学领域，公开了一种非对称金属光栅包覆半导体多量子阱波导激光器，其包括上金属光栅层(1)、有源层(2)、下金属包覆层(3)和衬底(4)。上金属光栅层和下金属包覆层将光场有效地局域在半导体有源层中。上金属光栅层...

本发明公开了一种距离选通空间能量包络多脉冲延时积分整形方法，在选通成像器件一帧的曝光时间里，激光脉冲和选通脉冲形成M个脉冲对，通过对M个脉冲对按照目标距离选通空间能量包络几何特征进行选通延时编码调制实现不同距离处子空间采样区采样，进而实...

一种采用装调夹具固定微光学器件的装调方法，包括如下步骤：步骤1：将一微光学器件固定在支撑架的凹槽上；步骤2：将固定有微光学器件的支撑架，通过两个细棒安装在基体端部的两个矩形的支撑体上；步骤3：采用细线，将支撑架与基体绑定；步骤4：调整并...

本发明公开了一种大面阵相干光子晶体面发射激光光源结构，包括：光子晶体阵列，其由位于中心的中心光子晶体和围绕所述中心光子晶体对称分布的多个边缘光子晶体形成的多个阵列结构组成；其中，所述中心光子晶体和边缘光子晶体具有完全相同的结构。整个结构...

一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤...

本发明提供了一种直接数字频率合成器。该直接数字频率合成器包括：累加器，用于对输入的频率控制字FTW进行累加；多通道相位-幅度转换模块，包括2m个等差相位的数据处理通道，对第i个数据处理通道而言，其对累加器输出的频率控制字累加结果加上一偏...

本发明提供了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法。该InAs/GaSb超晶格红外光电探测器包括：衬底；沉积于衬底上的外延结构，该外延结构包括：n型掺杂缓冲层、n型电极接触层、势垒层、本征吸收层、p型电极接触层和盖层，该...

一种用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法，包括：将一SiC衬底清洗；将一AlN薄膜沉积到清洗后的SiC衬底上；将AlN薄膜氧化为AlxOyNz薄膜，通过氧化工艺控制，选择将AlN薄膜完全氧化成AlxOyNz薄膜，或者部分氧化成Al...

本发明公开了一种ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法。ALD设备包括盖板和与盖板配合的主体腔室，盖板的内表面设置有至少两个气路单元组，每个气路单元组包括至少一个气路单元，该至少两个气路单元组用于通入不同的反应源气体...