中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本发明公开了一种微型光纤法珀压力传感器的制作装置,该装置包括:熔接模块,用于熔接光纤与空心玻璃管;切割模块,与熔接模块固定连接,用于与成像模块和第一运动模块、第二运动模块相配合,对于膜片和法珀腔的腔长进行精密的定位和切割;第一运动模块和...
  • 一种GaN基发光二极管的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层;步骤2:采用光刻的方法,在n型GaN层上制备选择性生长掩膜;步骤3:在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱层和p型GaN层...
  • 本发明公开了一种基于交叉偏振调制的光控宽带微波调相器装置,包括:偏振调制器,其用于对光载波进行外调制;本振微波源,为偏振调制器提供驱动信号源;光带通滤波器,对所述光信号进行选择输出,保留载波和正一阶边带;第二激光源,提供泵浦光信号;光开...
  • 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法,包括:在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球;在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶;高温加热,形成二氧化硅碗状阵列;将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光...
  • 本发明提供了一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法。该芯片尺寸级氮化镓基晶体管包括:衬底;依次沉积于衬底正面的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层、氮化镓帽层,其中,氮化镓帽层的两侧经刻蚀形成台阶;分...
  • 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法
    一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法,包括:在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形;在图形上制作一单层微纳米球,形成基片;将基片加热,使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面...
  • 一种基于硅基微环谐振腔热光调谐机构的可调全光振荡器,包括:一入射光源;一光放大器,其位于入射光源的光路上,用于调节光功率;一可调谐微环谐振腔,其位于入射光源的光路上,用于产生可调节的MHz量级光学振荡波形;一光信号测试系统,其位于入射光...
  • 一种基于交叉偏振调制实现全光微波上变频装置
    本发明公开了一种基于交叉偏振调制实现全光微波上变频装置,包括:窄线宽激光器、第一偏振调制器、微波信号源、第一偏振控制器、第一光滤波器、环形器、偏振分束器、第三偏振控制器、第四偏振控制器、光耦合器、高非线性光纤、可调谐激光器、波形发生器、...
  • 基于交叉偏振调制产生任意波形微波信号的装置
    本发明公开了一种基于交叉偏振调制产生任意波形微波信号的装置,其包括:窄线宽激光器;偏振分束器,用于将所述探测光分为两束偏振态相互垂直的探测光,并分别沿顺时针和逆时针方向传播;激光器,用于产生控制光;强度调制器,利用射频信号对所述控制光进...
  • 集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器
    一种集成分布布拉格反射光栅的增强型石墨烯波导探测器,该光电探测器制作在SOI衬底上,包括:一光波导,形成在衬底纵向的上面;一绝缘透明薄膜均匀制作在衬底上,并覆盖光波导;一石墨烯薄膜制作在绝缘透明薄膜上,并覆盖条状的该光波导的中间部分;一...
  • 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
    本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层;形成于上掺杂层上的金属光栅层,该金属光栅层为二维周期...
  • 一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,包括如下步骤:将一衬底放入有机溶液中超声清洗;将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀;将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中,将衬底第一次升温后稳定一预定时间;将衬底第一次降到设...
  • 一种高精度光纤光栅低频应变传感解调系统
    本发明公开了一种高精度光纤光栅低频应变传感解调系统,包括:窄线宽激光器,提供窄线宽激光;电光/声光调制器,对所述窄线宽激光进行调制;射频信号发生器,产生所述线性调频信号;窄线宽光纤滤波器,对被调制的所述激光进行滤波;耦合器,将所获得的预...
  • 基于小波互相关技术的高精度光纤应变低频传感解调方法
    本发明公开了一种基于小波互相关技术的高精度光纤应变低频传感解调方法,包括:数据预处理步骤,用于对参考光纤光栅反射谱和传感光纤光栅反射谱进行小波降噪处理,并对降噪后的参考光纤光栅反射谱和传感光纤光栅反射谱带宽以外的数据进行置零处理,得到预...
  • 本发明公开了一种基于马赫曾德光开关的N端口无阻塞光学路由器。其通过向N-2端口无阻塞光学路由器结构添加两根光波导和2(N-2)个具有相同结构和尺寸的马赫曾德光开关,可将端口数扩展至N。所述N端口光学路由器的所有端口数为奇数的无阻塞光学路...
  • 集成化的基于光注入回音壁模式激光器的光电振荡器
    一种集成化的基于光注入回音壁模式激光器的光电振荡器,包括:一电注入回音壁模式激光器;一主激光器位于电注入回音壁模式激光器的光路上;一光分束器的输入端与电注入回音壁模式激光器的输出端连接;一高速光电探测器的输入端与光分束器的传输端连接;一...
  • 本发明公开了一种高精度光纤光栅低频应变传感解调系统,包括:窄线宽激光器,给整个解调系统提供窄线宽激光光源;电光/声光调制器,根据射频信号发生器产生的线性调频信号对所述激光光源进行调制;射频信号发生器,产生线性调频信号;电光相位调制器,根...
  • 基于硅基微环谐振腔载流子色散效应的可调高频脉冲光源
    一种基于硅基微环谐振腔载流子色散效应的可调高频脉冲光源,包括:一入射光源;一低频电光调制系统,其位于入射光源的光路上;一光放大器,其输入端与低频电光调制系统的输出端连接;一高频脉冲发生器,其输入端与光放大器的输出端连接,输出1GHz-1...
  • 一种TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法,包括以下步骤:步骤1:利用单分子层剥离重堆积技术,制备TiO2柱撑MoS2复合纳米材料样品;步骤2:煅烧处理样品;步骤3:制备二恶英储备液;步骤4:将煅烧处理的样品放入到二...
  • 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件的制备方法通过AlGaN电子阻挡层205和p型AlGaN层206的总厚度小于该电极层最底层金属层的金属材料的等离激元耦合距离的方式有效精确控制有源区到金属等离激元的距离,...