本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的SixNy非晶层(12)；在未被SixNy非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN...

本发明公开了一种无线射频发射装置，其包括：鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器和双胞压控振荡器；其中，所述双胞压控振荡器包括结构相同的第一压控振荡器和第二压控振荡器，其中，当所述双胞压控振荡器处于接收模式时，所述第一压控振荡器和第二压控振荡器...

本发明公开了一种透明电极及其制作方法，在正装LED结构中使用透明的金属网状电极代替传统的退火ITO透明电极层形成欧姆接触。本发明使用自组装方法铺设周期性结构作为掩膜铺设金属电极，通过金属网格的孔洞实现电极的透明功能。并能通过控制金属薄膜...

本发明公开了一种窄脉宽高重复频率脉冲电流源的电路结构，其特征在于，包括可调基准电压输入模块(1)、电流源模块(2)、可调窄脉冲产生和整形模块(3)、高速选择模块(4)以及电流镜模块(5)；其中，所述的可调基准电压输入模块(1)、电流源模...

本发明公开了一种用于LDA(Laser Diode Array，半导体激光器列阵)的光束整形装置，该装置包括：一LDA，该LDA含有多个发光区，为外腔锁模提供有效的增益；一整形镜组，主要是对LDA的输出光束进行准直、聚焦等光束整形和光路...

本发明公开了一种基于硅基纳米线波导的片上集成光学数模转换器，包括N个激光器、一个调制复用一体结构，以及一个光电探测器，其中，该调制复用一体结构包含一条干线波导L0、N个级联的硅基纳米线波导微环谐振器(MRR1、MRR2、......MR...

一种外差干涉式光纤传感时分复用系统，包括：一激光光源；一光隔离器与光隔离器的输出端连接；一三端口光耦合器与激光光源的输出端连接；一光衰减器与三端口光耦合器的端口3连接；一声光调制器与三端口光耦合器的端口2连接；一环形器与声光调制器的端口...

本发明公开了一种应用于光电子器件封装的光耦合设备，包括：管壳；制冷器；热沉；半导体光发射器件芯片；聚焦透镜支架；聚焦透镜；分光棱镜；探测器芯片；光纤耦合输出端。本发明通过在光耦合部分安装分光棱镜将一束光信号引入探测器芯片中，克服了因微波...

本发明公开了一种应用于半导体光电子集成阵列芯片封装的光耦合设备，包括：管壳或热沉；半导体光电子集成阵列芯片；半导体光电子集成阵列芯片衬底；光学准直透镜阵列；分光棱镜；分光棱镜支架；探测器阵列芯片；光学聚焦透镜阵列；光纤阵列；光纤阵列支架...

本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与...

一种基于氮化硅波导和微环的模式-波长复用器件的制备方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长下限制二氧化硅层和氮化硅材料模式-波长复用集成器件层；步骤2：采用刻蚀的方法，将氮化硅材料模式-波长复用集成器件层刻蚀成多个条形波导结构和多个微环谐振...

本发明公开了一种气相外延(VPE)在线清洗装置，包括：反应腔室，反应气体入口，清洗气体入口，排气口，衬底，衬底托，旋转装置，还包括在线清洗装置，用以去除残留在反应腔室内壁及各部件上造成污染的寄生氮化物。本发明针对VPE生长氮化物存在较强...

本发明公开了一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法，包括以下步骤：步骤1、提供一表面有石墨烯薄膜的基底，所述石墨烯薄膜层数≥2，且所述石墨烯薄膜是直接生长于基底上或者是经过1次或多次转移到基底上的；步骤2、在所述石墨烯薄膜上直接外延生长材...

本发明公开了一种基于空间差分整形的距离选通超分辨率三维成像方法，该方法包括以下步骤：获取用于三维重建的第一切片图像；构建与第一切片图像空间交叠的第一空间能量包络整形器；使用第一空间能量包络整形器对于第一切片图像进行空间差分整形处理，得到...

一种无源光限幅器，包括：一基底，该基底上面开有一凹槽；一输入光路，其制作在基底上面的一侧，一端探入到凹槽上；一输出光路，其制作在基底上面的另一侧，一端探入到凹槽上，该输入光路和输出光路之间有一狭缝，形成镜面微腔；一光输入端，其与输入光路...

本发明公开了一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源，该激光光源包括叠层设置的锥形(Taper)增益结构和SOI脊型波导结构，其中该锥形增益结构通过回流焊技术倒装贴合于该SOI脊型波导结构之上。本发明通过在周期性微槽混合激光器中引入III-...

本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为肖特基二极管的阴...

本发明公开了一种基于波导耦合微盘光子分子激光器的光脉冲同步信号源，其包括：衬底和上层结构，其中：上层结构形成在衬底上；上层结构包括电注入或光注入的微盘光子分子激光器和两个条形输出波导，微盘光子分子激光器制作在衬底上的中间部分；两个条形输...

本发明公开了一种多标准性能可重构式I/Q正交载波发生器，该发生器通过合理的频率分配，可实现0.1～5GHz连续覆盖的I/Q载波输出以及5～10GHz、1.5～3GHz连续覆盖的差分信号输出；同时，通过配置可编程电荷泵(102)、环路滤波...

本发明公开了一种基于希尔伯特变换和双谱估计的高精度光纤光栅解调方法，包括：截取两路光纤光栅反射谱数据；对反射谱数据分别进行希尔伯特变换，并分别将变换后的反射谱数据取绝对值后与原数据相叠加得X(n)、Y(n)；利用X(n)、Y(n)分别计...