中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本发明公开了一种无线隔离驱动式的照明系统,包括:无线能量发射模块,用于接收外部电源,并将其转换为无线能量后输出;无线能量接收模块,用于接收无线能量发射模块输出的无线能量,并将其转换成电能后输出;光源驱动模块,其接收无线能量接收模块输出的...
  • 一种悬挂式双面外延生长装置,包括:一悬挂式片架,该悬挂式片架包括:三个立柱,每一立柱上开有凹槽,每个立柱上的凹槽有一个或多个,三个立柱相同高度位置的凹槽构成一组;其中将三个立柱等距竖立排列,使三个立柱分别位于一等边三角形三个顶点处,将一...
  • 本发明公开了一种LED阵列光源结构,包括:绝缘基板;多个焊盘,其阵列分布在绝缘基板正面,它们之间通过金属线连接成多排和多列;通孔,其开设在绝缘基板上,且连接每一排和每一列的焊盘的金属线通过所述通孔被引至绝缘基板背面;金属管脚,其设置在绝...
  • 一种降低线偏振激光脉冲重复频率提高脉冲能量的结构,包括:一线偏振脉冲激光源,用于发出线偏振的脉冲激光;一高速光偏振转换器件,其位于线偏振脉冲激光源输出的光路上,用于选出不同周期的偏振旋转激光脉冲序列;一激光脉冲延时光路,其位于高速光偏振...
  • 本发明公开了一种LED阵列,包括:绝缘基板;多个焊盘,其阵列分布在绝缘基板正面,位于奇数列的焊盘通过金属线竖向连接成多列,位于偶数列的焊盘通过金属线横向连接成多排;通孔,其开设在绝缘基板上,且连接每一排和每一列焊盘的金属线通过所述通孔被...
  • 本发明公开了一种自支撑LED阵列光源结构,包括:衬底;开设在衬底上的多组通孔,每组通孔之一与LED芯片的第一电极电连接,每组通孔之另一与LED芯片的第二电极电连接;制备在衬底正面的LED芯片阵列;设置在衬底背面的金属焊盘和金属线路,所述...
  • 本发明公开了一种基于波长再利用的微波信号光纤稳相传输装置,该装置包括:通过光纤通信的基站和中心站,基站包括:第一窄线宽激光器、强度调制器、微波源、波分复用器、第二光耦合器、第一偏振控制器、第一起偏器、第二光电探测器、第二偏振控制器、第二...
  • 一种基于三杆支撑式转台的自动捕光可见光通信装置
    本发明公开了一种自动捕光可见光通信装置,其特征在于,包括:捕光通信转向盘、转向云台;其中捕光通信转向盘用于探测目标光源方向,并将探测到的光源方向信息输出给转向云台,转向云台根据所述光源方向进行转向;其中,所述转向云台具有多个丝杠传动装置...
  • 本发明公开了一种基于往返相位校正的微波信号光纤稳相传输装置,该装置包括:通过光纤传输信号的中心站和基站,所述中心站包括:第一直调激光器、第一波分复用器、第一微波源、第一电功分器、微波倍频器、第一电滤波器、第一电混频器、第二光电探测器、第...
  • 一种激光二极管测试老化夹具
    本发明公开了一种适用于激光二极管的测试老化夹具,包括:水座;底座,其固定在所述水座上,一端固定激光二极管;另一端具有两个引线孔;绝缘块,固定在所述底座上表面的中部;负极引线片,其第一端与激光二极管的负极连接,第二端将激光二极管的负极引出...
  • 本发明公开了一种光子晶体的制造方法,其包括:设计制作光子晶体的掩膜板,所述掩膜板上的图形或图形组合必须是周期分布的;布置光路,将用于制作光子晶体的材料置于所述掩膜板的一侧,将所述平面光光源置于所述掩膜板的另一侧;其中,所述材料距离掩膜板...
  • 基于受激布里渊散射的高灵敏度光矢量网络分析仪
    本发明公开了一种基于受激布里渊散射的光矢量网络分析仪,所述分析仪包括窄线宽激光器、光耦合器、偏振控制器、强度调制器、光隔离器、滤波器、色散位移光纤、环形器、光电探测器、矢量网络分析仪、微波信号源、光放大器。本发明基于光纤中的受激布里渊散...
  • 基于SOA的交叉偏振调制效应的宽带移相器
    本发明公开了一种基于SOA的交叉偏振调制效应的宽带移相器,其中,偏振调制器(c)接收激光源(a)输出的光信号和微波源(b)输出的微波信号,并对光信号进行两个垂直偏振态的相位调制;光放大器(d)调制后的光信号;可调谐光衰减器(e)调谐光信...
  • 本发明公开了一种能量自给的可见光无线通信系统,计算机发送信号至信号发送调制模块,信号发送调制模块对该信号进行调制并加载到LED直流驱动电源,使得直流驱动电源的输出电流包含直流分量和调制电流分量;直流分量为LED光源供电,调制电流分量对应...
  • 本发明公开了一种基于量子点锁模激光器的光采样系统,该系统包括:多个量子点锁模激光器、波分复用器、偏振控制器、光放大器、第一环形器、色散位移光纤、第二环形器、任意波形发生器、采样器、波分解复用器、多个光电探测器和多个电信号处理模块。本发明...
  • 高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法
    一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法,其中高密度高均匀InGaN量子点结构,包括:一衬底;一窗口阵列,其制作在衬底上;一GaN纳米柱,其生长在窗口阵列的开孔处,并与衬底表面接触;一第一InGaN量子点,其生长在GaN纳米柱的顶...
  • 基于分布布拉格反射激光器的波长可调谐窄线宽光源
    本发明公开了一种基于分布布拉格反射激光器的波长可调谐窄线宽光源。该光源中,将单片集成的分布布拉格反射半导体激光器(Distributed Bragg Reflector semiconductor laser)激射的光作为种子光,通过外...
  • 一种在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,包括:在一硅片上生长一层第一Parylene薄膜后旋涂一层柔性聚合物层,加热固化;将其揭下;在与第一Parylene薄膜接触的那一面的柔性聚合物层上生长一层第二Parylene薄膜后旋涂一层聚二...
  • 本发明公开了一种智能停车管理系统,该系统包括:停车服务终端,用于对停车位信息采集系统和车辆身份信息采集系统采集得到的各种数据进行统计、计算和预测,并对诱导信息发布系统和智能车位锁系统进行控制;停车位信息采集系统,用于采集每个停车位的车位...
  • 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
    本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法,包括下列步骤:在SiC衬底上生长LED外延片;制备出P面具有反射金属膜的外延片,与新的衬底键合,形成倒装结构的LED外延片;采用机械研磨工艺将SiC衬底减薄;在SiC...