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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片制造技术
一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片,包括:一下限制层;一有源层,其制作在下限制层上;一上限制层,其制作在有源层上;一波导层,为条状,其纵向制作在上限制层上面的中间;一P+电极层,其是用隔离沟将其分为三段,其制作在波导层...
一种激光夜视光源系统技术方案
本发明公开了一种光场均匀无条纹和散斑的激光夜视光源系统,其包括一半导体激光器,一同轴放置的扩束准直透镜组,一窗口镜片。半导体激光器为垂直腔面发射激光器,透镜组和窗口镜片均镀有增透膜,激光器、透镜组和窗口镜片依次安装在散热密封的壳体中。垂...
一种双面散热量子级联激光器器件结构制造技术
本发明公开了一种双面散热量子级联激光器器件结构,包括:衬底;有源区,其均匀生长在衬底的上表面;上波导,其均匀生长在有源区的上表面;正面金属电极层,其均匀生长在上波导上表面;热沉,其与器件的上波导层通过所述正面金属电极层键合连接;绝缘层,...
一种生理电信号尖峰奇异点检测方法技术
本发明公开了一种生理电信号尖峰奇异点检测方法。所述方法包括:采样得到生理电信号序列;对采样得到的生理电信号序列进行小波变换,获得对应的小波变换系数;根据所述小波变换系数筛选得到对应于生理电信号中尖峰脉冲顶点;根据筛选得到的尖峰脉冲顶点寻...
一种超高频无线传感标签制造技术
本发明公开了一种结合无源与半有源工作模式的超高频无线传感标签。此传感标签包括了射频整流电路,ASK信号解调电路和能够改变天线输入阻抗的背射调制电路,使得标签能够以无源的方式实现传感数据的无线收发,从而降低功耗和成本。当标签启动无源工作模...
远距离六维夜视方法技术
本发明提供了一种夜视方法。该夜视方法基于一距离选通成像模块实现,该距离选通成像模块利用所述脉冲激光器作为照明光源,利用所述选通成像器件作为图像传感器,通过控制脉冲激光器产生的激光脉冲和选通成像器件产生的选通脉冲间的选通延时实现空间切片成...
基于双通道马赫曾德尔调制器的光矢量网络分析仪系统技术方案
一种基于双通道马赫曾德尔调制器的光矢量网络分析仪系统,包括:一光源;一微波源;一三通道直流电压源;一双通道马赫曾德尔调制器的光输入端与光源的输出端相连,该双通道马赫曾德尔调制器的射频信号输入端与微波源的输出端相连,该双通道马赫曾德尔调制...
一种MOCVD设备中的石墨盘制造技术
本发明公开了一种MOCVD设备的石墨盘,其包括至少一个片坑,所述片坑面积大于衬底面积,且为衬底面积的整数倍,所述至少一个片坑边缘具有与衬底的角相吻合的凸角,且一定数量的衬底紧密排列后正好覆盖住所述至少一个片坑。本发明提出的石墨盘上衬底和...
一种多功能组合型纳米图形制作方法技术
本发明公开了一种多功能组合型纳米图形阵列制作方法,包含以下步骤:在衬底上旋涂一层光刻胶;在光刻胶上涂一单层透明微纳米球;在预定波长的光照下,利用透明微纳米球的聚光作用,将涂覆在衬底上的光刻胶曝光,形成图形阵列;将整个样品连带透明微纳米球...
基于受激布里渊散射效应的三角波产生装置制造方法及图纸
本发明公开了一种受激布里渊散射效应产生三角波的装置,包括第一激光源(a)、第一强度调制器(b)、第一微波源(c)、色散位移光纤(d)、第二激光源(e)、第二强度调制器(f)、第二微波源(g)、掺饵光纤放大器(h)、第一光滤波器(g)、掺...
一种LED显示模组系统技术方案
本发明公开了一种LED显示模组系统,其包括;驱动模块,其用于驱动光源模块;光源模块,其包括中介层和固定在中介层上的LED阵列,所述LED阵列在驱动模块的驱动下发光;光学模块,其包括集光元件和透镜组,用于对光源模块发出的光进行聚光、分光后...
基于超宽带光频率梳产生奈奎斯特光脉冲的装置制造方法及图纸
一种基于超宽带光频率梳产生奈奎斯特光脉冲的装置,本发明包括以下各部件:窄线宽激光器,及第一波分复用器、偏振控制器、法布里-珀罗电光调制器、温控装置、光耦合器、环形器、相移光纤布拉格光栅、光放大器、光电探测器、电放大器、电移相器、偏置T、...
一种SBS宽带可调谐光纤延迟系统技术方案
本发明公开了一种受激布里渊散射的宽带可调谐光纤延迟系统,包括:主激光器;第一光耦合器,将激光分成第一束激光和第二束激光;第一可调光衰减器,调节第一束激光的激光功率;第一光环形器,将第一束激光注入从激光器;从激光器,在第一束激光的激发下产...
基于受激布里渊散射效应的四倍频微波信号产生系统技术方案
本发明公开了一种基于受激布里渊散射的四倍频微波信号产生系统,该系统包括:窄线宽激光器、光耦合器、第一偏振控制器、第一强度调制器、光隔离器、色散位移光纤、环形器、光电探测器、矢量网络分析仪、第二偏振控制器、第二强度调制器、微波信号源、光滤...
THz天线阵列的制作方法技术
一种THz天线阵列的制作方法,包括如下步骤:1)选择一衬底;2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料;3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层,刻蚀的形状为四边形结...
基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法技术
一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器,包括:一衬底支撑层;一左金属源电极,该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧;一右金属漏电极,该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧,与金属源电极相隔一预定距离;一绝缘层,该绝缘层制...
显示通信两用的可见光模块制造技术
一种显示通信两用的可见光模块,包括:一LED两用模块,作为可见光显示光源及通信系统的发射端;一LED两用模块显示控制电路,位于LED两用模块背面的一侧,用于控制LED阵列实现显示的功能;一LED两用模块光通信发射端电路,位于LED两用模...
低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法技术
本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法,该制备方法包括:对衬底升温,在氢气环境下热处理,去除衬底表面的杂质;在衬底上生长低温成核层,为后续生长材料提供成核中心;在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层;在非故意掺杂模板层上低温...
一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜的方法技术
本发明公开了一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜的方法,包括:在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层;降低生长温度,在GaAs缓冲层上生长(In,Ga)As缓冲层;降低生长温度,在(...
通讯波段GaN基量子级联高速激光器制造技术
一种通讯波段GaN基量子级联高速激光器,包括:一衬底;一半导体材料缓冲层;一下半导体材料接触层;一下光学限制层,为圆形、环形或矩形,其制作在下半导体材料接触层上面的一侧,该下半导体材料接触层上面的另一侧形成一台面;一半导体材料有源层,其...
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