一种半导体激光器工作温度测试校准夹具，包括：一导热铜片；一激光器管壳，固定在导热铜片上的中间部位；一热电制冷器，位于激光器管壳的一侧，并与激光器管壳紧紧贴在一起，用于控制激光器管壳的温度；一标准热敏电阻，位于热电制冷器的一侧，并与激光器...

一种基于波长扫描的光真延时平面相控阵发射天线系统，包括：一射频振荡器；多个可调激光器；多个电光调制器，每一电光调制器的电输入端与射频振荡器的输出端连接，每一电光调制器的光输入端分别与每一可调激光器的输出端连接；多个色散补偿单元及依序连接...

本发明提供了一种逐次逼近模数转换器系统。该逐次逼近模数转换器系统中，模数转换器阵列采用分组设计，并采用链式循环的估计方法，可以消除单通道SAR ADC本身的电容失配，SAR ADC阵列之间的增益失配和失调电压失配等非理想因素引入的非线性...

本发明提供了一种单目内窥镜系统。该单目内窥镜系统包括：透明护罩，由透明材料制备，呈圆筒状结构；图像传感器芯片，固定于透明护罩的后端，其所在平面与透明护罩的中心轴线垂直；鱼眼透镜，固定于透明护罩内，图像传感器芯片的正前方；以及二次曲面反射...

本发明公开了一种电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法。该芯片包括外部连接端口，具有导电能力的透明电极层，绝缘介质填充层以及发光光源发光二极管芯片。通过将一定数量的发光二极管芯片与绝缘介质层形成电容器结构，在绝缘电介质层两层为导电介...

本发明公开了一种无线能量传输发光系统，该系统包括：无线能量发送装置和无线能量接收及发光装置，其中：无线能量发射装置用于将电能转换为可在空间范围内自由传播的自由能量，并利用无线能量传输方式将所述自由能量发射出去；无线能量接收及发光装置用于...

本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高...

一种重复频率可控的被动调Q产生激光脉冲的方法，包括如下步骤：步骤1：控制器打开泵浦源，泵浦源发出的泵浦光通过耦合装置和谐振腔的前腔镜入射到激光工作介质；激光工作介质产生的激光在谐振腔内振荡；经过一预定时间，振荡后的激光光束经过被动调Q元...

本发明提供了一种掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法。该掩模板包括：第一条形图案；以及辅助对准窗口，为与所述第一条形图案垂直的条形图案；其中，所述第一条形图案与辅助对准窗口均为透明图案，在曝光之前，通过所述辅助对准窗口可观察所...

一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括：在衬底上生长掩膜层；旋涂第一层光刻胶，刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，刻蚀在掩膜层得到第二沟槽；依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上...

本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制作方法。所述二极管包括：在衬底上至少外延生长的缓冲层，N型欧姆接触层，光吸收层，雪崩倍增层和P型欧姆接触层。本发明采用不同厚度的InAs层、GaSb层的超晶格制成光吸收层，可以吸收从短波到长波的红外，...

本发明公开了一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法，包括：在透明面板正面的四周边缘制备金属电极，所述金属电极包括行金属电极和列金属电极；将正装LED芯片直接固晶到透明面板正面的中间区域，排成阵列；通过打金线方式连接每行芯片的P电极，并与...

本发明公开了一种气体遥测装置，用于检测待测气体(5)中的目标气体，包括脉冲激光器(1)、白聚焦透镜(2)、红外热像仪(6)和判定装置(7)，其中，所述脉冲激光器(1)用于产生激光，该激光的波长锁定在待测气体(5)的一个吸收峰上；所述白聚...

本发明公开了一种大功率低阈值基横模975nm半导体激光器管芯，其中包括：一镓砷衬底，用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，制作于衬底上；一下限制层，制作于缓冲层上；一下波导层，制作于下限制层上；一有源区，制作于下波导层上；一上波导...

本发明提供了一种自适应电荷再分布模数转换器的校准方法。该校准方法通过在MSBs(Most Significant Bits)位引入两种不同的逐次逼近方案(相应的传输函数为HO和H1)，在冗余模数转换器及白适应滤波器的支持下，能够快速完成...

本发明公开了一种应用于显示设备中的手势控制装置，包括：红外信号发射装置、安放在显示设备多个不同位置处的红外信号接收装置、轨迹识别模块和控制模块，所述红外信号发射装置用于发出红外信号；所述多个红外信号接收装置接收所述红外信号，并分别记录接...

本发明提出一种半导体光电器件的表面钝化方法，该方法在半导体光电器件的表面覆盖一层硫原子层，在该硫原子层上覆盖一层介质膜。该原子层可通过阳极硫化方法形成。介质层可以是SiO2或ZnS。本发明在电化学反应过程中，硫原子与器件表面的悬挂键结合...

本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出...

本发明提供了一种透镜光纤阵列耦合件。该透镜光纤阵列耦合件包括:光纤阵列，包括:由上、下基板夹置固定的若干条光纤；透镜阵列，为一整体结构的透镜，包括若干个透镜单元；以及透镜阵列套壳，为具有预设厚度的长方形框架，其两侧具有台阶状方形孔，两侧...

一种基于Kerr效应的电场无源测量装置，包括：一激光器；一第一保偏光纤，其一端与激光器的输出端连接；一偏振控制器，其输入端与第一保偏光纤的另一端连接；一电场传感器，其一端与偏振控制器的输出端连接；一第二保偏光纤，其一端与电场传感器的另一...