【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体技术，主要是一种对半导体光电器件的表面钝化方法。本专利技术可以应用在例如锑化物红外光电子器件制造过程中，达到提高光电器件性能的目的。
技术介绍
随着科学技术的进步，半导体光电器件，如半导体激光器，探测器等的应用日渐广泛。半导体光电器件在光通信、光信息接收和处理等方面，有着其他器件所无法代替的优越性能，在军用、民用方面有着非常广阔的前景。但是在以半导体PN结为基础的光电器件在制造过程中，表面处理工艺对器件的性能有着非常大的影响。器件的表面漏电流是限制器件工作效率的主要因素之一。由于在材料生长和器件的制造过程中，在半导体-空气界面形成悬键，在表面形成电子通道，降低了电子-空穴的产生复合率，从而降低了光电器件的效率。因此，减少表面漏电流，是表面处理工艺中提高器件性能非常重要的一步。现有的器件制备过程中，应用的表面钝化方法有很多，但钝化效果有好有坏，且部分工艺较为复杂。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的目...
【技术保护点】
一种半导体光电器件的表面钝化方法，包括如下步骤：在所述半导体光电器件的表面覆盖一层硫原子层，在所述硫原子层上覆盖一层介质膜。
【技术特征摘要】
1.一种半导体光电器件的表面钝化方法，包括如下步骤：
在所述半导体光电器件的表面覆盖一层硫原子层，在所述硫原子层上
覆盖一层介质膜。
2.如权利要求1所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在
于，所述硫原子层通过电镀形成。
3.如权利要求2所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在
于，所述电镀过程采用的电镀液为Na2S的乙二醇溶液或NH4S的水溶液。
4.如权利要求3所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在
于，所述电镀液的浓度为0.1～0.2mol/L。
5.如权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝宏玥，王国伟，向伟，蒋洞微，邢军亮，徐应强，牛智川，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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