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本发明提出一种半导体光电器件的表面钝化方法，该方法在半导体光电器件的表面覆盖一层硫原子层，在该硫原子层上覆盖一层介质膜。该原子层可通过阳极硫化方法形成。介质层可以是SiO2或ZnS。本发明在电化学反应过程中，硫原子与器件表面的悬挂键结合，从...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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