一种基于相位偏振动态调制的大范围可调谐倍频式光电振荡器，包括：依序循环连接的波长可调谐半导体激光光源、光偏振旋转器、铌酸锂光相位调制器、保偏光耦合器、第二起偏器、可调谐光带通滤波器、单模光纤、第二光电探测器、微波放大器和电分束器，其中保...

一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周期的砷化铟量子点...

本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发明利用四元材料作...

一种基于CIE Lab彩色空间的灰度阈值分割方法，包括如下步骤：步骤1：将RGB彩色空间的图像变换至CIE Lab彩色空间；步骤2：对CIE Lab彩色空间的各个灰度通道进行高斯直方图滤波；步骤3：采用Otsu阈值法计算出各个灰度通道的...

一种测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置，包括：一光源；一偏振控制器，其输入端与光源的输出端相连；一光隔离器，其输入端与偏振控制器的输出端相连；一半导体光发大器，其输入端与光隔离器的输出端相连；一光功率测试仪，其输入端与半导体光发大器的输...

本发明公开了一种基于SURF算法的遥控器面板印刷缺陷自动检测方法，通过制作遥控器模板图像，对待检测样品图像进行直方图均衡化，通过SURF算法分别求得模板图和待测图的特征点，利用分块加速后的最近邻匹配法来匹配特征点，根据匹配的结果求得单应...

本发明涉及通信信息安全领域，公开了一种基于AES加密系统的密钥更新方法。该方法包括：第一终端A为信息加密端，应用AES加密算法和预设定的密钥将明文转为密文；第二终端B为信息解密端，应用AES解密算法和预设定的密钥将密文转为对应的明文；第...

一种LED芯片的封装方法，包括下述步骤：步骤1：制作具有阵列式排布通孔的基板；步骤2：将带阵列式排布通孔的基板背面贴上粘性薄膜；步骤3：将待封装的LED芯片摆放并粘贴在基板通孔露出的粘性薄膜的中心位置；步骤4：向通孔内填充胶体，每个通孔...

本发明公开了一种的氮化物外延装置，包括真空腔室、溅射腔室和至少一个外延生长腔室；所述溅射腔室和至少一个外延生长腔室位于所述真空腔室内，所述溅射腔室用于在衬底上生长缓冲层，所述至少一个外延生长腔室用于在生长了缓冲层的衬底上外延生长氮化物。...

本发明公开了一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法。所述制作方法包括：提供SiC晶圆材料，并对所述SiC晶圆表面进行清洁；在所述SiC晶圆表面上淀积欧姆接触金属Ni；在所述欧姆接触金属Ni上面淀积TiW合金；对欧姆接触进行高温退火，完成Si...

一种基于锁相控制的稳定宽带光学频率梳产生系统，包括：一窄线宽激光器及依序连接的光分束器、FP腔电光相位调制器、光分束器、第一光电探测器、第二光电探测器、偏置Tree、参考微波信号和点锁相控制模块，其输入端与参考微波信号的输出端连接，其输...

一种基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极，包括：一手柄，形状为T型，中空；4个微针阵列电极片，其固定在手柄的底部，该4个微针阵列电极片通过4条导线与外部的阻抗测试设备连接。本发明中的手持电极用于侵入式无痛检测肌肉阻抗，操作简便，检测灵敏度高。

一种转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在衬底上依次生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层；在氮化镓帽层的表面制备硅、铜或氮化铝的第一导电衬底；将衬底与低温成核层分离；将...

本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四：将高温炉腔室内...

一种倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，形成外延片；浸泡、清洗；在台面和氮化镓帽层上制作金属层；制作两个窗口...

本发明公开了一种具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法，所述结构在N+衬底上形成有N-漂移区，在该N-漂移区的上方形成有P型基极区和JFET区，所述JFET区由所述P型基极区环绕；所述P型基极区的内部形成有P+区和...

一种提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法，所述结构，包括：一衬底和依次制作在其上的BP反光层、氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层和多量子阱层，该多量子阱层制作在n型导电氮化镓层上面的一侧，另一侧形成一台面；一p型氮...

一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；之其上二次外延InP上包层、...

一种高光功率密度LED光源模块，包括：一基板，该基板的中间有一凹槽；多个LED发光芯片，该多个LED发光芯片制作在基板上的凹槽内，组成LED发光芯片阵列；一远程荧光粉层，该远程荧光粉层制作在基板凹槽的上方；一散热器，该散热器为一槽体，该...

本发明公开了一种半导体材料生长制造装置，包括：主腔室，进气系统，石墨托，感应加热线圈，旋转系统和排气系统；所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体；所述石墨托用于放置衬底材料，位于所述进气系统下方；所述感应加热线圈用于加热，位...