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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种基于三极管输出特性的热敏电阻线性补偿电路制造技术
本发明公开了一种基于三极管输出特性的热敏电阻线性补偿电路,包含:感测模块用于对外界温度进行实时检测,并将检测到的温度信号转换成电流信号;恒流模块用于控制和调节第二PNP型三极管的集电极电流,从而实现对第一NPN型三极管的集电极电流的控制...
一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统及其方法技术方案
本发明公开了一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统,其是可以在定位样品中的单量字点位置后,直接切换至直写光刻功能,达到很好衔接的光刻系统。为了实现在定位量子点后直接进行微纳结构的制作,需要这样一套结合单量子点定位功能的激光直写光刻系...
柔性发光器件阵列及其制作方法技术
一种柔性发光器件阵列及其制作方法,其中柔性发光器件阵列,其包括:一位于同一衬底上的多个发光器件单元和柔性支撑衬底,其特征在于,所述柔性支撑衬底具有中腔体体,所述腔体中填充有液体,用于散热;在所述柔性支撑衬底的表面形成柔性导电的焊盘和互连...
可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构制造技术
一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构,包括:一n型SiC衬底;一n型金属电极,其制作在n型SiC衬底下表面;一AlN冷阴极,其外延生长在n型SiC衬底上;一金属阳极;一二氧化硅绝缘层,其制作在金属阳极上,该二氧化硅绝缘层的中间...
一种光信号同步系统技术方案
本发明公开了一种光信号同步系统,其包括:被动调Q固体激光器和光电探测器;所述被动调Q固体激光器包括:泵浦源、激光晶体、调Q晶体和腔镜;所述激光晶体、调Q晶体和腔镜构成激光器的谐振腔;所述泵浦源从正面发出泵浦光,注入所述激光晶体后产生激光...
一种空气中稳定的钙钛矿薄膜的制备方法技术
本发明公开了一种空气中稳定存在的钙钛矿薄膜的制备方法,包括两种方案:方案一:配制IV、VII族化合物溶液;将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面,形成第一薄溶液层;采用气体将之吹干,形成第一薄膜;配制甲基卤化铵溶液,将之喷淋、滴定、旋涂或...
小型化、集成化的硅基场发射-接收器件制造技术
一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件,包括:一n型硅衬底;一纳米尖端结构,其制作于n型硅衬底上表面的中间部位,其材料与n型硅衬底的材料相同;一二氧化硅绝缘层,其制作于n型硅衬底上,其中间有一电子发射-接收窗口,该电子发射-接收窗口围...
基于Ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器制造技术
一种基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器,包括:一衬底;一发射极接触层,其制作在衬底上;一发射区,其制作在发射极接触层上,发射极接触层另一侧形成一台面;一隔离层,其制作在发射极上;一双势垒结构,其制作在隔离层上;一吸收层,其制...
一种电容式超声传感器及其制作方法技术
本发明公开了一种电容式超声传感器,包括:低阻硅衬底;在低阻硅衬底上形成的氧化硅层;于氧化硅层中形成的二维空腔阵列结构;在二维空腔阵列结构之上形成的振膜;以及在振膜上沉积金属铝形成的上电极,该上电极为图形阵列,并且上电极图形阵列中的图形与...
碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构制造技术
一种碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构,包括:一n型SiC衬底;一n型金属电极,其制作在n型SiC衬底下表面;一SiC纳米尖端结构,其制作在n型SiC衬底上表面,其与n型SiC衬底的材料相同;一AlN冷阴极薄膜,其制作在SiC纳米尖端结构的...
将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法技术
一种将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法,该方法包括:步骤1:清洗薄膜太阳电池器件和外加转移衬底;步骤2:在外加转移衬底上蒸镀一层金属;步骤3:在薄膜太阳电池器件上蒸镀背电极;步骤4:采用热压键合的方法将外加转移衬底和薄膜太阳电池器...
一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法和校准方法技术
本发明公开了一种基于转换电容的自适应电荷再分布模数转换器及转换方法、校准方法。本发明中的模数转换器,通过引入转换电容,在自适应滤波器的支持下,能够完成模数转换器的自适应校准。本发明的校准方法,能够实时跟踪环境变化校准电容失配引入的非线性...
低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器制造技术
一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器,包括:一衬底;一发射极接触层,其制作在衬底上;一发射区,其制作在发射极接触层上,发射极接触层另一侧形成一台面;一隔离层,其制作在发射区上;一双势垒结构,其制作在隔离层上;一吸收层,其制作在双势...
阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极制造技术
一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极,包括:一n型SiC衬底;一n型金属电极,其制作在n型SiC衬底下表面;一AlN薄膜型冷阴极,其外延生长在n型SiC衬底上;一金属阳极,其位于AlN薄膜型冷阴极的上面,且不与AlN薄膜型冷阴极接触;...
基于氧化锌键合III‑V族和硅混合型激光器结构和方法技术
本发明公开了一种基于氧化锌键合III‑V族和硅混合型激光器结构和方法,所述方法包括:在硅片上制作硅波导;在硅波导一端深刻蚀键合区域,该键合区域沿着所述硅波导一端的方向延伸第一尺寸,垂直于硅波导方向延伸第二尺寸;并在所述键合区域以所述硅波...
基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件及制备方法技术
一种基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件,包括:一N型或P型硅(100)的衬底;一随机分布的正金字塔结构,其制作在衬底上;一缓冲反射层,其制作在正金字塔结构的表面,该缓冲反射层的材料为高温AlN或低温AlN;一发光层,其制作在缓冲反射层...
红光LED倒装芯片的制作方法技术
一种红光LED倒装芯片的制作方法,包括如下步骤:步骤1:采用激光钻孔工艺在基板上得到两个通孔;步骤2:在两个通孔的侧壁制备金属,形成导电通孔;步骤3:在两个通孔上下面的周围制作金属电极,使上下面的金属电极连通;步骤4:将一红光LED垂直...
数字音频PDM信号直流滤除电路制造技术
一种数字音频PDM信号直流滤除电路,包括:一一阶无限冲击响应高通滤波器,用于实现滤除输入到数字音频PDM信号直流滤除电路的PDM信号中直流分量,并将输入到数字音频PDM信号直流滤除电路的单bit PDM信号转换为多bit数据;一二阶si...
大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法技术
一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一InP衬底;步骤2:在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层;步骤3:在InP盖层上外延Zn扩散缓冲层;...
基于双通道的多光谱荧光成像显微系统和方法技术方案
本发明适用于光学、生物医学、生命科学等领域,提出了以一种基于双通道的多光谱荧光成像显微系统和方法,其中基于双通道的多光谱荧光成像显微系统包括:皮秒脉冲激光器,荧光激发和收集光路,显微物镜,分束镜,双ICCD探测器,控制与处理模块。本发明...
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