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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
用于编码成像的在线可编码同步控制系统和控制方法技术方案
本发明公开了一种用于编码成像的在线可编码同步控制系统和方法,该同步控制系统由上位机、微控制器和现场可编程门阵列组成。该同步控制系统通过串口通信实现上位机向微控制器发送时序控制参数,微控制器对得到的时序参数进行解码、译码;然后微控制器根据...
一种三结叠层太阳能电池及其制造方法技术
本发明公开了一种三结叠层太阳能电池及其制造方法,采用分子束外延方法,以p型GaSb单晶片为衬底材料依次外延生长底电池(p-GaSb,n-GaSb)、第一隧穿结(n++GaSb、p++GaSb)、中间电池(p-CdSe、n-CdSe)、第...
采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构及制备方法技术
一种采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构,包括:一阴极透明导电衬底:一电子传输层,其制作在阴极透明导电衬底上;一金属-半导体核壳纳米颗粒层,其制作在电子传输层上;一有源层,其制作在金属-半导体核壳纳米颗粒层上;一空穴传输层,其制作在有...
一种核壳量子点材料及其制备方法技术
本发明公开了一种核壳量子点结构及其制备方法,该方法包括下以下步骤:先制备一带隙宽度相对较宽的核材料CdS,然后包覆一层带隙宽度相对较窄的材料CdSe作为第一层壳层,在此基础上再包覆宽带隙材料CdZnSeS及ZnS作为第二层及第三层壳层。...
硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法技术
一种硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法,其中硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池结构,包括:一导电玻璃;一n型电子传输层,其制作在导电玻璃上;一钙钛矿光敏层,其制作在n型电子传输层上;一p型空穴传输层,其制作在钙钛矿光敏层上;一金属对电极...
一种激光器及其制作方法技术
本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括:N型砷化镓衬底;N型覆盖层,制作N型砷化镓衬底正面;第一超晶格层,制作在N型覆盖层上;N型波导层,制作在超晶格层上;有源层,制作在N型波导层上;P型波导层,制作在有源层上;第二超晶格层...
测量土壤含水量和温度的装置制造方法及图纸
本实用新型提供了一种测量土壤含水量和温度的装置。该装置包括:含水量检测探头;振荡器,其产生高频交流电流;水分检测单元,其前端连接至含水量检测探头,利用高频交流电流,获得包含土壤含水量信息的电压信号;信号提取单元,其提取包含土壤含水量信息...
一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法技术
本发明公开了一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法,包括:将衬底放入真空薄膜沉积系统;在衬底上生长缓冲层;将衬底保持在一定温度,在缓冲层上沉积一种能够形成液滴或颗粒状的元素X1,并形成多个液滴或颗粒;在液滴或颗粒上继续沉积能够与元...
降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法技术
本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法,其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构,其包括:一衬底;一n型集电区,其制作在衬底上;一p型组分渐变基区,其制作在n型集电区上;一n型发射区,其制作在p型基区上。本发明...
红外光电探测器及其制造方法技术
本发明公开了一种红外探测器及其制造方法,该红外探测器包括衬底、下接触层、周期性的量子点量子阱混杂结构、上接触层、顶部环状电极及底部环状电极;其中,下接触层外延于衬底上;周期性的量子点量子阱混杂结构外延于下接触层上;上接触层外延于周期性的...
LED光源模组制造技术
本发明公开了一种LED光源模组,包括相变液体冷却散热器以及高功率LED阵列封装体,其中,高功率LED阵列封装体嵌入在相变液体冷却散热器的凹槽中,相变液体冷却散热器包括相变散热液体腔和金属散热片,其中,相变散热液体腔用于构成凹槽的底部,金...
分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法技术
一种分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法,包括如下步骤:步骤1:取一外延片;步骤2:在该外延片的表面涂覆光刻胶,通过纳米压印工艺,在该外延片表面的光刻胶上制作出光栅图形;步骤3:清洁感应耦合等离子体反应室;步骤4:将制作有光栅...
无源射频识别温度标签制造技术
本发明公开了一种无源射频识别温度标签。所述无源射频识别温度标签包括:温差发电片,其具有冷端和热端;无源射频识别温度子标签,其与所述冷端连接,用于测量所述冷端的温度;子标签外温度传感芯片,其与所述发热设备接触,用于测量所述发热设备的温度;...
提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法技术
一种提高量子阱载流子限制能力的激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在衬底上依次制作n型限制层、下波导层、下n型掺杂层、量子阱有源区、上n型掺杂层、上波导层、p型限制层和p型接触层;步骤2:将p型接触层和部分p型限制层采用湿法腐蚀或干...
材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法技术
一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法,包括如下步骤:步骤1:取一第一碳化硅片;步骤2:采用电子束蒸发或磁控溅射的方法,在第一碳化硅片上制备薄膜层;步骤3:取一第二碳化硅片;步骤4:采用电子束蒸发或磁控溅射的方法,在第二碳化硅片上制备薄膜...
一种检测肿瘤标志物的生物传感器及其制作方法技术
本发明公开了一种用于检测肿瘤标志物的GaAs基HEMT生物传感器及其制作方法。该传感器包括GaAs基HEMT(10),源、漏极电极(20)分别与所述GaAs基HEMT(10)的源极区域和漏极区域欧姆接触,栅极电极(40)形成于所述GaA...
AlN单晶衬底生产设备及其使用方法技术
一种AlN单晶衬底生产设备及其使用方法,其主体是一耐高温坩埚,坩埚分为两个部分:晶体生长室和原料室。晶体生长室侧壁有一氨气或氮气或二者混合气体的气管,与之相对位置有一气体出口;衬底固定于反应室的顶部;原料室底部有一载气气管,原料放置于原...
一种无机有机杂化电致发光元件及其制造方法技术
本发明公开了一种有机无机杂化电致发光元件及其制备方法,依次包括:带有透明阳极的衬底、聚合物空穴注入层、聚合物空穴传输层、有机无机杂化有源层、无机量子点电子传输层和金属电极,其中除金属电极外其余各层均通过旋涂法形成。本发明除金属电极外的各...
InP基HEMT肿瘤标志物传感器及制作方法技术
本发明公开了一种InP基HEMT肿瘤标志物传感器及其和制作方法,其包括InP基HEMT换能器、生物分子载体和生物敏感膜,换能器包括源极、漏极和栅极,生物分子载体形成于所述换能器的栅极,生物敏感膜附着于所述生物分子载体,该生物敏感膜能特异...
制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法技术
一种制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法,包括如下步骤:步骤1:在一量子级联激光器外延片上制备掩模层;步骤2:采用光刻的方法在掩模层制备图形,开出窗口;步骤3:使用非选择性腐蚀液,腐蚀腐蚀掉窗口内量子级联激光器外延片的盖层...
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