本发明提供一种基于共振隧穿效应的近红外探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，但将共振隧穿二极管通常采用的双势垒结构变更为三势垒结构，以此抑制探测器的散粒噪声，并在三势垒结构和集电极之间外延生长吸收层。探测器工作时加正向偏压，近红外光从...

本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法。所述方法包括以下步骤：步骤1：在氮化镓衬底上依次制作n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、插入层、p型波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法...

本发明公开了一种人脸活体检测方法及系统，其中所述人脸活体检测方法包括步骤：同时通过两个摄像头分别获取识别对象的两幅图像；采用人脸分类器定位出两幅图像中的人脸区域，获得分别与两幅图像对应的人脸图像；对两幅人脸图像进行特征点定位；对特征点定...

本发明公开了一种驻极体电容式超声传感器，包括低阻衬底、驻极体材料层、绝缘层、支撑层、振动薄膜、上电极。其中，在支撑层中形成圆形或其他形状空腔二维阵列，成排、列对齐分布；在振动薄膜上沉积金属作为上电极，该上电极为图形阵列，并且与衬底空腔阵...

本发明公开了一种基于双电吸收调制激光器实现单边带调制的系统，包括直接调制激光器、电吸收调制器、待测器件、光电探测器、矢量网络分析仪、宽带电功分器、可调电衰减器和电延迟线，直接调制激光器与电吸收调制器单片集成在一起，利用双电吸收调制激光器...

本发明公开了一种用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列的制备方法，该制备方法包括：铜箔/镍箔基底的石墨烯转移到PDMS；将PDMS上的石墨烯转移到预拉伸胶带；预拉伸胶带回缩；利用半导体工艺技术，在LED外延片上形成同面电极开口LE...

一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括：取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺杂源，使熔化的第...

本发明公开了一种互联网购物导航系统，该互联网购物导航系统包括：应用入口单元，用于提供购物环节所需的各种服务入口；产品信息单元，用于提供购物环节所需的各种产品信息；网站链接单元，用于提供购物环节所需的各种链接服务；定制信息单元，用于提供与...

一种适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源，包括：一N型衬底；一N型光子晶体波导层，其制作在N型衬底上；一有源层，其制作在N型光子晶体波导层上；一P型波导层，其制作在有源层上，该P型波导层上面的中间有一凸起的脊形波导结构，该波导...

一种保护硅片单面图形不受到湿法腐蚀影响的保护罩及其使用方法。保护罩采用顶板和底板将需要图形保护的芯片夹在中间，项板和底板之间通过紧固螺钉来密封连接；顶板、底板和芯片之间分别放置橡胶圈，通过橡胶圈的压缩形变来实现密封；底板中心有一圆形通孔...

一种基于表面等离激元效应的有机太阳电池结构，包括：一阳极透明导电衬底；一三明治结构的空穴传输层，其制作在阳极透明导电衬底上，该空穴传输层的中间为一层金属纳米颗粒，形成三明治结构；一有源层，其制作在空穴传输层上；一缓冲层，其制作在有源层上...

本发明公开了一种单模激射圆环微腔激光器，其包括：圆环形微腔谐振腔，所述圆环形微腔谐振腔的内壁上分布光栅结构。所述光栅结构的光栅周期数目等于所述单模激射圆环微腔激光器的单模激射模的角向量子数。所述圆环形微腔谐振腔包括上限制层、有源区和下限...

本发明公开了一种基于受激布里渊散射的单边带光载微波信号产生装置，包括：主激光器、第一光耦合器、第二光耦合器、第一可调光衰减器、第二可调光衰减器、光偏振控制器、第一光环形器、第二光环形器、从激光器、单模光纤、马赫增德尔调制器、光放大器、光...

本发明提供了一种大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底外延生长表面上形成一掩膜层，通过光刻和刻蚀工艺使掩膜层形成图形结构，随后生长非极性A面GaN厚膜，通过GaN横向合...

一种基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管，包括：一SOI衬底；一源区、一漏区和多根硅纳米线，该多根硅纳米线位于SOI衬底的顶层硅上，交替连接该源区和漏区并形成叉指结构；多根III-V族纳米线桥接在多根硅纳米线的侧壁硅晶面上；一SiO...

本发明公开了一种波导结构，其至下而上依次叠置有二氧化硅衬底层、氮化硅下条形层、聚氨酯丙烯酸酯狭缝层、氮化硅上条形层，其中，下条形层、该狭缝层以及该上条形层的宽度相等，该下条形层及该上条形层采用正热光系数材料，该狭缝层采用负热光系数材料。...

本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基...

一种基于SiC材料的HEMT器件的制备方法，包括：清洗SiC衬底；将AlN薄膜淀积到SiC衬底上；将AlxGa1-xN薄膜淀积到AlN薄膜上；将GaN薄膜淀积到AlxGa1-xN薄膜上；对所述的AlN薄膜、AlxGa1-xN薄膜、GaN...

本发明提供了一种石墨烯场效应器件的制备方法。该制备方法包括：步骤A：对硅基氧化硅衬底进行无机清洗和有机清洗；步骤B：将石墨烯转移到清洗后的硅基氧化硅衬底的上表面，使石墨烯与硅基氧化硅衬底结合；步骤C：采用电子束曝光方法在石墨烯上刻出石墨...

一种基于钙钛矿电池和HIT电池的叠层太阳能电池，包括：一背金属电极；一HIT电池，其制作在背金属电极上；一ITO连接层，其制作在HIT电池上；一电子传输层，其制作在ITO连接层上；一钙钛矿活性吸收层，其制作在电子传输层上；一空穴传输层，...