本发明公开了一种三维波导模斑转换器及其制作方法，这种模斑转换器包含平板形状的衬底、设置在所述衬底上的下包层以及设置在所述下包层上传输、转换光模斑的芯层。利用高度和宽度的变化实现在水平和竖直面上对光进行扩展或压缩。这种波导模斑转换器的设计...

一种Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜，所述复合GaN薄膜自下而上依次包括Si衬底、AlN缓冲层、GaN缓冲层、第一GaN层、AlN插入层和第二GaN层，其中所述GaN缓冲层包括2-3个三维和二维GaN子层，其中三维GaN子...

本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法，该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层...

本发明公开了一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法，包括：步骤1：取一零偏角衬底并清洗；步骤2：在零偏角衬底之上外延硅层；步骤3：升高温度使硅层熔化形成熔融硅层；步骤4：通入碳源，使熔融硅层转变成碳化硅层；步骤5：判断碳化硅层是否达到所需厚...

本发明公开了一种GaN发光器件及其制备方法，GaN发光器件包括基片、上电极层及下电极层，上电极层形成在基片的上方，下电极层形成在基片的下方，其中，基片自下而上包括正金字塔结构层、缓冲反射层、发光层、透明导电氧化物层。正金字塔结构层包括周...

本发明公开了一种无阻塞波长选择型光波导开关，该光开关包括：N个输入端、用于选择波长的微环组、用于选择路径的波分复用器件和N个输出端。通过改变微环的谐振波长，使光信号进入不同路径，建立任意两个输入输出端口之间的数据连接。该光开关最少只需要...

一种消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法，包括如下步骤：步骤1：取一碳化硅衬底，并清洗干净；步骤2：对衬底的表面进行腐蚀，直至显露缺陷坑；步骤3：在衬底上制作硅层；步骤4：升高温度使硅层熔化，使之填满缺陷坑，并使外表面平整；步骤5：通入碳源，...

本发明公开了一种阵列波导光栅光谱平坦化的方法，该方法基于平面光波导技术，对阵列波导光栅的通道带宽有改善作用。该方法包括，在阵列波导光栅的脊形或条形波导(包括输入波导、输出波导和波导阵列)和平板波导连接处(6)，设计制作带孔洞结构(7)的...

一种多边形-环硅基激光器，包括：一带有波导结构的SOI片；一键合层，位于所述SOI片之上；一半导体多边形-环谐振腔，位于所述键合层之上；其中，所述键合层用于将半导体多边形-环谐振腔和所述SOI片连接在一起，使得所述半导体多边形-环谐振腔...

一种制作InSb红外探测器的材料结构及制备方法，其中所述制作InSb红外探测器的材料结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一n型InSb重掺杂层，其生长在缓冲层上；一InSb本征吸收层，其生长在n型InSb重掺杂层上；一p...

本发明描述了一种基于洛伦兹力执行的双向串联MEMS执行器，其由两个可动的弹性结构串联而成，可以在电流和磁场的作用下，利用洛伦兹力实现结构的双向运动。执行器只需很小的驱动电流，就能实现很大的位移。通过控制电流的方向，两个结构既可以实现相向...

本发明提供了一种AWG输出波导与探测器的集成器件及其制备方法。该集成器件包括：衬底；AWG输出波导，呈条状，位于衬底上的AWG区域，自下而上包括：AWG下包层、AWG芯层和AWG上包层，其中，AWG下包层和AWG芯层延伸至PD区域；以及...

本发明公开了一种提高光时域反射计动态范围的信号检测装置及方法，该信号检测装置包括雪崩光电二极管、跨阻放大器、分频电路、高电压放大电路、低电压放大电路、高模数转换器、低模数转换器、现场可编程门阵列、数模转换器和升压芯片。经过分频电路分频后...

本发明提供一种采用连续、脉冲双模式激光，以气体击穿方式产生等离子火花，从而进行点火的装置及方法。其中，装备主要具备连续激光发射端、脉冲激光发射端、燃料喷射装置、汽缸盖、燃烧室、活塞等，且激光发射端不伸入燃烧室内。根据本发明采用连续、脉冲...

本发明提供一种采用连续、脉冲双模式激光，以靶部击穿方式产生等离子火花，从而进行点火的装置及方法。其中，装置主要具备脉冲激光发射端、连续激光发射端、燃料喷射装置、靶部、燃烧室、汽缸盖、活塞等，且激光发射端不伸入燃烧室内。根据本发明采用连续...

本发明提供一种具有温度测量功能的道岔密贴监测装置，包括密贴传感器和固定器，固定器用于将密贴传感器固定在道岔的基本轨的内侧轨腰，密贴传感器包括上盖、弹簧、底盖、简支梁及至少一光纤光栅，尖轨移动时，推动上盖与底盖相对滑动，使弹簧压缩，其恢复...

本发明公开了一种基于参考光纤激光器的高精度静态应变拍频解调系统，包括窄线宽可调谐激光器、第一隔离器、1550nm光纤耦合器、第一合束器、第二合束器、980nm泵浦源、980nm光纤耦合器、第一波分复用器、第二波分复用器、第二隔离器、第三...

一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极生长于衬底的正面；一金属电极制作在衬底的背面；形成阴极；一玻璃基板；一透明导电层制作在玻璃基板上；一第一绝缘层制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极制作在第一绝缘层上，...

本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括：刻蚀垂直台面至In0.53Ga0.47As牺牲层；钝化台面侧壁及上表面；腐蚀去除In0.53Ga0.47As牺牲层实现衬底剥离；在N型InP欧姆接触层表...

本发明公开了一种基于单边带扫频调制的光纤激光静态应变拍频解调系统，包括泵浦源、耦合器、第一波分复用器、第二波分复用器、第一偏振控制器、第二偏振控制器、传感用光纤激光器、参考用光纤激光器、第一隔离器、第二隔离器、第一合束器、第二合束器、第...