一种波长可任意调谐的双色、微区反射式瞬态光谱测量系统，包括：一掺钛蓝宝石飞秒脉冲激光器、一超连续白光产生套件、一宽带1/2波片、一偏振分光棱镜、一第一带通滤光片、一第一反射镜、一第一分光棱镜、一第二分光棱镜、一第一显微物镜、一光斑监视系...

本发明提供了一种关节式光纤深部位移传感器及传感器阵列，传感器包括保护软管、上关节、下关节、轴及光纤光栅，上关节和下关节设于腔体中，上关节和下关节的身部与保护软管的管壁紧贴，上关节的头部与下关节的头部通过轴铰接，并且上关节的头部、下关节的...

一种准三维光子晶体窄线宽激光器，包括：一n型衬底；一外延结构，其制作在n型衬底上；一有源层，其制作在外延结构上；一覆盖层，其制作在有源层上，该覆盖层上面的一侧形成多个凸起的宽条光栅，该覆盖层上面的中间为一平面区域，该覆盖层上面的另一侧形...

本发明公开了一种2μm单模大功率GaSb基金属光栅主振荡功率放大器集成半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、...

本发明提供了一种光纤心内压导丝，包括光纤和固定在光纤端面上的测压腔，测压腔包括反射镜和测压面，其中，反射镜与测压面和光纤端面均成45度角，使测压面与光纤端面构成一个光学法布里-珀罗(Fabry-Perot)腔，进而在光纤端面发生光干涉，...

一种SOI叉指结构衬底的III‑V族材料沟道薄膜晶体管，包括：一SOI衬底，其顶层硅上的一侧包括一源区，另一侧为漏区，中间为叉指结构的硅亚微米线；一绝缘介质层制作在该源区和漏区的表面，该源区和漏区上的绝缘介质层上分别开有电极窗口；一II...

一种InP基波分‑模分复用少模光通信光子集成发射芯片，包括多个不同波长的单模半导体激光器作为光源；多个不同功能的多模干涉耦合器(MMI)用于实现光功率分配、模式转换以及多波长多模式复用；多个可以对基模信号进行调制的调制器结构，各器件之间...

本发明公开了一种基于微腔孤子实现的多波长光源，该多波长光源包括入射光源、输入光控制模块、第二合束器、微环谐振腔、波分复用器、反馈系统、滤波器和控制模块，其中入射光源、输入光控制模块、第二合束器、微环谐振腔、波分复用器和滤波器依次连接，反...

本发明涉及一种含金属的光纤结构，在光纤的纤芯里埋入一恨金属芯，位于中心或偏心，该结构适用于普通光纤、双包层光纤、光子晶体光纤，实心和空心光纤均适用。本发明能够提高增益光纤的自聚焦阈值功率，减少对材料的光损伤，提高单纤激光系统的放大能力。

本发明公开了一种使用户快速获取互联网服务的系统及方法。所述系统包括媒介和控制终端，其中：所述媒介上显示有二维码，所述二维码所记录的二维码信息中包括用于提供互联网服务的目标网站的地址；所述控制终端包括：读取单元，用于获取所述二维码信息；解...

本发明公开了一种互参考的光纤激光静态应变传感解调系统，该系统包括980nm泵浦源光源、980nm耦合器、第一波分复用器、第二波分复用器、第一偏振控制器、第二偏振控制器、传感用光纤激光器、参考用光纤激光器、第一1550nm隔离器、第二15...

一种近红外定性鉴别特征提取方法，包括如下步骤：步骤1：使用近红外光谱仪采集建模样本的近红外光谱数据；步骤2：添加同种物质样本的历史近红外光谱数据；步骤3：对建模样本的近红外光谱数据及历史近红外光谱数据样本数据进行预处理；步骤4：对预处理...

一种具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器，包括：一SOI衬底；一二氧化硅层，其制作在SOI层的n型顶层硅上，该二氧化硅层刻蚀有二氧化硅光栅，该二氧化硅光栅为一圆形或矩形结构，在二氧化硅光栅的空隙处制作有本征锗层，在本征锗层上制作有...

一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长第一电热绝缘材料层，旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层；在第一电热绝缘层上淀积第一功能材料层，并形成第一功能材料层缝隙；之其上制备一层相变材料层；退火、腐蚀，将相变材...

本发明属于PCR技术领域，具体涉及一种硅基阵列微反应池数字PCR芯片及其制备方法。该芯片主要包括上盖和芯片，其中在芯片上有蜂窝状排列的微孔，上盖固定于芯片槽上。具体步骤为选择一单面抛光的硅片，清洗，在硅片抛光面上旋涂一层均匀的光刻胶，通...

一种绿光LED芯片外延层的结构，包括：一衬底；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一第一阶梯层，其生长在N型GaN层上；一多量子阱区，其生长在第一阶梯层上；...

一种冷却小通道热沉，其中包括：一上层，该上层为内凹的矩形，其上面中间的一侧开有一圆形进水道，另一侧是多层连通水道；一下层，该下层为内凹的矩形，左右为进出水道，所述上层固定在下层的上面。本发明是对高密度激光二极管叠层阵列封装，起到高效散热...

本发明公开了栅极与源漏极异面的GaN基HEMT(高电子迁移率晶体管)的结构与制作方法，能够降低栅极表面漏电，降低导通电阻。所述栅极与源漏极异面的GaN基HEMT，包括一个源极，一个漏极与一个栅极，其中栅极处于外延片的一面，而源漏两极处于...

本发明公开了一种硅基集成化的差分电光调制器及其制备方法，其光学基本结构为马赫-曾德干涉仪结构，采用硅基微纳波导制作。电极结构采用电容耦合式的共面波导结构，形式是“地极-信号极-地极”(G-S-G)。马赫-曾德干涉仪的两个相移臂(内部通过...

本发明提供一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底；步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层。本发明可以用在SiC基开关器件的制造，与已有的SiC...