中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本发明提供了一种大容差耦合波导装置,包括依次叠置的衬底层、下包层、波导层及上包层,所述下包层、波导层及上包层在结构上均包括输入端和输出端,激光光束从波导输入端照射,从输出端出射,其中,所述波导层包括具有预定图形分布的二氧化硅和硅。该大容...
  • 基于场效应晶体管的太赫兹波探测器
    一种基于场效应晶体管的太赫兹波探测器,所述太赫兹波探测器包括天线、匹配网络以及用于探测的场效应晶体管。其中,天线用来接收太赫兹波信号,天线将接收到的太赫兹波信号经过一匹配网络传输到场效应晶体管的源极,在场效应晶体管的栅极外接电源偏置并且...
  • 用于激光距离选通成像高脉宽精度脉冲发生器的实现方法
    一种用于激光距离选通成像高脉宽精度脉冲发生器的实现方法,包括:将时钟信号倍频并分为两路;将得到的多路具有不同相位的时时钟信号作为触发时钟信号,输出多路具有相对延时的信号;将不同延时信号进行脉宽扩宽并输出脉宽扩宽信号;将其中一部分信号输入...
  • 本发明公开了一种选择性结构太阳电池的制备方法,步骤如下:1.利用氢氧化钾溶液腐蚀硅片制绒;2.在硅片表面旋涂磷墨并烘干;3.激光扫描磷墨实现部分重掺杂;4.管式炉热扩散完成轻掺杂及重掺杂的进一步扩散;5.氢氟酸及氟化氨水溶液去除磷硅玻璃...
  • 一种带有读出电路的太赫兹波探测器,包括太赫兹波探测元件、放大器电路、模数转换器和低通数字滤波器。其中,太赫兹波探测元件包括天线、匹配网络以及用于探测的场效应晶体管;其中,天线将接收到的太赫兹波信号经过匹配网络传输给场效应晶体管的源极,场...
  • 环形检测电极面内伸缩谐振器设计及其制备方法
    本发明公开了一种环形检测电极面内伸缩谐振器及其制备方法。所述谐振器包括:依次生长在衬底上的下电极缓冲层、下电极层、压电层、绝缘保护层和上电极层,该面内伸缩谐振器的主体结构包括通过中间的耦合梁连接的圆形平板驱动单元和检测单元,驱动单元从底...
  • 本发明公开了一种基于多通道信号碎片化传输技术的手机通信保密机制,在信息发送端将每一次业务数据分散成许多信息碎片,与随机数据碎片混合,通过2张或者2张以上SIM卡由手机天线发射出去;在信息接收端,再通过同样数目的SIM卡接收这些信息碎片,...
  • 一种避免水下激光测探器被杂散光损伤的装置,包括:一调Q器件;一信号光接收窗口,其位于调Q器件的同轴光路上;一信号接收器件,其位于调Q器件和信号光接收窗口的同轴光路上,且在信号光接收窗口之后;一光电分析/控制模块,其位于调Q器件的同轴光路...
  • 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法
    本发明公开了一种基于动态电容的自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法。本发明中的模数转换器,通过引入动态电容,在白适应滤波器的支持下,能够完成模数转换器的白适应校准。本发明的校准方法,能够实时跟踪环境变化校准电容失配引入的非线性...
  • 基于FPGA的可配置浮点向量范数求解IP核
    本发明提供一种基于FPGA的可配置浮点向量范数求解IP核,包括:一总线接口,用于系统与外部进行数据通信;一浮点向量范数求解电路,该浮点向量范数求解电路与总线接口连接,实现范数求解。本发明,具有独立性强、可移植性强、可配置性强、精度高的优点。
  • 一种算法式模数转换器,包括:一开关,用于控制模数转换器采样输入信号;一开关,其一端与开关的一端相连,用于控制模数转换器采样反馈信号;一采样保持与加法电路,其输入端与开关和开关的连接点相连,实现采样保持输入信号和反馈信号,及加上正参考电压...
  • 一种基于萨格纳克环的光矢量网络分析仪装置,包括:一窄线宽激光器;一第一偏振控制器,其输入端与窄线宽激光器的光输出端相连;一环形器,其输入端口①与第一偏振控制器的输出端相连;一偏振分束器,其输入端与环形器的端口②相连;一第二偏振控制器,其...
  • 本发明公开了一种基于肌肉阻抗技术的电极及其制备方法、测量系统和方法,所述电极基于微电极阵列,包括:电极底座;外圈电极,设置在所述电极底座的外圈,所述外圈电极包含若干电流电极对;内圈电极,设置在所述外圈电极与所述电极底座的中心之间,包含由...
  • 一种基于AFM的高频谐振子的谐振频率和/或品质因子测量方法,包括:将谐振子器件放于压电陶瓷上,将激励信号加到压电陶瓷上;将压电陶瓷及谐振子器件放于AFM样品台上,扫描谐振子以确定探针在器件表面位置,然后将探针精确定位于谐振子振幅较大的结...
  • 一种双路脉冲激光器驱动芯片,包括:内部振荡源、选择通道、第一施密特触发器、第二施密特触发器、第一驱动单元、第一MOS管、第三施密特触发器、第四施密特触发器,该第四施密特触发器的输入端与该第二电容的另一端连接、第二驱动单元,该第一驱动单元...
  • 本发明提供了一种复合纳米材料及其制备方法,复合纳米材料由包括CdSe和Bi2Se3的复合结构纳米晶组成,并且该复合结构纳米晶是以Bi(NO3)3·5H2O为Bi源,以CdSe纳米晶溶液为基体,在超声波作用下进行阳离子交换而制得的。本发明...
  • 一种全光谱LED光源单元模组,其特征在于,包括:一基板,由铝质材料制成的圆形或多边形的平板,起到支撑作用;多个光源,其分布于基板上,发出模拟的太阳光线;多个电子元件,为电阻,其分布于基板上,所述多个光源与多个电子元件串连。本实用新型可以...
  • 本实用新型提供了一种光纤心内压导丝,包括光纤和固定在光纤端面上的测压腔,测压腔包括反射镜和测压面,其中,反射镜与测压面和光纤端面均成45度角,使测压面与光纤端面构成一个光学法布里-珀罗(Fabry-Perot)腔,进而在光纤端面发生光干...
  • 共振隧穿二极管近红外探测器
    一种共振隧穿二极管近红外探测器,包括:一衬底;一集电区接触层,其制作在衬底上,集电区接触层一侧的上面形成一台面;一集电区,其制作在集电区接触层上台面的一侧,该集电区为圆形;一吸收层,其制作在集电区上;一空穴堆积层,其制作在吸收层上,其直...
  • 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法
    一种量子级联激光器相干阵列结构,包括:一衬底;一下波导层;一有源层,该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列,中间的微米条最宽,向两侧微米条宽度依次递减;一半绝缘InP:Fe层,该半绝缘InP:Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔...