本发明公开一种保护半导体激光测距机光敏面的方法，该方法通过在激光测距机接收探测器前放置声光Q开关，使其激光测距过程中被散射介质返回的漫反射信号先被声光Q开关接收，在利用声光Q开关工作原理使漫反射信号在声光Q开关内形成衍射光，这样就有效阻...

本发明公开了一种表面增强的相干反斯托克斯拉曼散射(SECARS)的结构，该结构包括：衬底层和非对称Au纳米圆柱阵列。非对称Au纳米圆柱阵列的每个单元包含两个直径为150到300nm，高度为100到200nm的圆柱颗粒，两个圆柱颗粒相互紧...

本发明提出了一种用光学方法精确自组织量子点空间位置的方法。该方法利用金圆盘作标记，用共聚焦扫描显微镜测量标记样品的反射信号和荧光信号，通过分析成像数据，仔细校正系统误差之后，得到量子点相对金属标记的空间位置，实现单个量子点的定位。该方法...

一种可编程控制多晶熔丝电路，包括：熔丝单元，包含多晶熔丝，是能对所述多晶熔丝进行烧录的电路单元；伪熔丝单元，是不实际烧录所述多晶熔丝，但能读取所述多晶熔丝状态的电路单元；第一多路选择器，一路输入接外部编程指令端口，另一路输入连接控制选择...

一种驻极体电容式超声传感器及其制备方法，该驻极体电容式超声传感器，包括：一玻璃衬底，该玻璃衬底的中间为下凹的空腔；一金属下电极，其制作在玻璃衬底下凹的空腔的底部；一二氧化硅层，其制作在玻璃衬底上，且覆盖在空腔上，该二氧化硅层为驻极体振动...

本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺实施难度低；另一...

一种直接调制激光器微带的制备方法，方法包括：确定负载的等效负载的电路元件值，选择微带等效电路模型及元件参数值X0，使实际反射系数小于最大反射值Smax；求出微波信号加载到激光器中引起的反射系数S11和微带等效电路模型中电路元件参数X的关...

本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将铜源放入反应舟内，反应舟放入石英反应管内；步骤2，将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤3，打开铜源气路，让惰性气体通过反应舟进入石英反应管，反应舟的出口...

本发明公开了一种Cu@SiO2核壳结构的制备方法，包括：Cu(NO3)2作为铜源，以纳米Si颗粒作为硅源。在水浴加热条件下，将纳米Si加入LiOH溶液中，得到Li(SiO3)2溶液。加入Cu(NO3)2，通过在上述碱性环境中水解得到Cu...

本发明公开了一种基于微环谐振器的可调谐光学陷波滤波器，该可调谐光学陷波滤波器由N个微环谐振器(MRRi)级联而成，该N个微环谐振器共用一个主要直波导(L0)，该N个微环谐振器中的每个微环谐振器还分别具有一个辅助直波导(Li)和至少一个环...

一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法，其中采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄...

本发明公开了一种半导体超短脉冲高重频激光器，包括：激光器谐振腔(1)；激光器可饱和吸收区(2)和光子晶体反射镜(3)，其中，在激光器谐振腔(1)和饱和吸收区(2)之间设置有电隔离区(4)，用以将激光器谐振腔(1)和饱和吸收区(2)进行电...

本发明公开了一种基于砷化镓二维异质结结构的线型霍尔传感器及其制备方法，其元件设计以Siδ掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱为基本结构，并通过钝化，光刻，腐蚀，蒸金，退火等半导体工艺进行制备。本发明针对一般金属化合物气相外延(MOCVD)...

本发明公开了一种绿光激光器外延片，其从下向上的顺序依次包括：蓝宝石衬底、低温成核层、高温非掺杂GaN层、高温n型GaN层、高温n型AlGaN限制层、非掺杂下波导层、InGaN/GaN多量子阱发光层结构、p型AlGaN电子阻挡层、非掺杂上...

本发明公开了一种基于生物免疫机制的胚胎阵列故障诊断系统，所述故障诊断系统包括故障诊断装置和加设在监测对象处的免疫判断模块，其中：所述故障诊断装置用于判断监测对象的故障状态向其发回反馈信号，根据监测对象发回的反馈信号判断自身故障状态，其包...

本发明公开了一种基于多个应用碎片化传输的保密通信方法及装置，方法包括：步骤1、信息发送端产生待发送应用数据；步骤2、利用加密密钥将所述待发送应用数据分解成多个应用数据片段；步骤3、将所述多个应用数据片段通过多个应用通道发送出去；步骤4、...

本发明公开了一种半导体激光器失效分析方法，该方法包括以下步骤：对半导体激光器从低电压到高电压逐级进行ESD测试，通过比较半导体激光器ESD测试前后的光电特性曲线判断该半导体激光器是否失效，并确定其失效等级；使用高倍光学显微镜对失效半导体...

本发明公开了一种外腔窄线宽激光器，该激光器包括：半导体光放大器、平面波导光栅和衬底，其中：所述半导体光放大器和平面波导光栅键合到所述衬底上；所述半导体光放大器的一端镀有高反射膜，另一端镀有高透膜；所述平面波导光栅的两侧均镀有高透膜；所述...

本发明公开了一种柔性微渗电极，其包括柔性软管(21)、微渗接触头(22)、和导电引线(23)，柔性软管(21)包括前端和后端，前端与微渗接触头(22)相连，后端与存储导电液的液囊(1)连接，柔性软管(21)中充满导电液体，导电引线(23...

一种基于扇形周期极化晶体可调谐蓝光激光装置，包括：一红外半导体激光器；一准直聚焦系统，该准直聚焦系统位于红外半导体激光器的输出光路上；一扇形周期极化晶体，该扇形周期极化晶体位于准直聚焦系统的光路上。本发明可以获得404nm-N/2nm和...