采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法技术

一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法，其中采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；一GaN层，其制作在纳米尺寸同质外延层上。本发明专利技术可以提高氮化镓外延薄膜的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
由于很难得到大尺寸的GaN体单晶材料，到目前为止，高质量GaN材料一般都通过异质衬底外延方法获得。高质量的外延薄膜一般需衬底满足晶格常数匹配、热膨胀系数匹配、可大尺寸和价格适宜等原则。迄今为止，还没有一种异质衬底能同时满足上述所有条件。目前已经商品化的LED按照衬底划分有三条技术路线，即蓝宝石衬底技术路线、SiC衬底技术路线和Si衬底技术路线。随着信息社会的发展，微机械加工技术被越来越广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)，尤其是应用于各种微传感器的制作过程中。微结构的制作是微机械加工技术中的一项关键技术，将其利用在GaN外延技术当中，制备具有纳米结构的基底并在其上进行二次同质外延，能够得到无裂纹、低位错的高质量GaN薄膜。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种，可以提高氮化镓外延薄膜的质量。本专利技术提供一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括:一衬底材料层；—缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；— GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；—纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；— GaN层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；一GaN层，其制作在纳米尺寸同质外延层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁国栋，王克超，张璐，吴瑞伟，王军喜，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11