本发明公开了一种SiOx基锂离子电池复合负极材料的制备方法，包括如下步骤：对SiOx材料进行高能球磨处理，减小SiOx材料的尺寸；按照一定比例将球磨处理后的SiOx材料与C前驱体聚丙烯腈(PAN)均匀混合，制成浆料，涂覆到铜集流体上，干...

一种980nm半导体激光器结构，包括：一n‑GaAs衬底；一n‑GaAs缓冲层制作在n‑GaAs衬底上；一n‑AlGaAs无源波导芯层制作在n‑GaAs缓冲层上；一n‑GaAs空间层制作在n‑AlGaAs无源波导芯层上；一InGaAs/...

一种混沌伪随机数发生器电路，包括第一混沌源生成器(2)、第二混沌源生成器(3)、选择模块(4)和序列生成模块(5)；第一混沌源生成器(2)，使用混沌系统产生第一路原始混沌序列；第二混沌源生成器(3)，使用混沌系统产生第二路原始混沌序列；...

一种高掺杂宽光谱的铒镱共掺超荧光光纤光源集成装置，包括：一管壳，为一方形体结构；一制冷器，其制作在管壳内部的底面；一热沉，其制作在制冷器上面的表面；一980nm激光器管芯、一自聚焦透镜、一高掺杂的铒镱共掺磷酸盐玻璃光纤和一拉锥透镜光纤，...

一种可变电阻器及包含该可变电阻器的集成电路，包括第一滑动触头和第一电阻，所述第一电阻两端分别为第一端点和第二端点，所述第一滑动触头在所述第一端点和第二端点之间滑动，所述可变电阻器进一步包括：第二电阻，所述第二电阻的两端分别为第三端点和第...

一种可编程控制多晶熔丝电路，包括：熔丝单元，包含多晶熔丝，是能对所述多晶熔丝进行烧录的电路单元；伪熔丝单元，是不实际烧录所述多晶熔丝，但能读取所述多晶熔丝状态的电路单元；第一多路选择器，一路输入接外部编程指令端口，另一路输入连接控制选择...

本发明提供一种光纤耦合慢轴夹具装置，包括：两支架，该两支架概似Y形；一底板，该底板为矩形，其上开有一燕尾槽，该底板燕尾槽的两侧分别与两Y形支架的其中一端固定连接；一滑块，该滑块是一燕尾块，与底板上的燕尾槽滑动配合，该滑块的一端与两个Y形...

本发明公开了一种光纤湍流传感器及湍流测量系统，所述光纤湍流传感器包括：探针、悬臂梁、两根光纤以及耦合器，其中所述探针与所述悬臂梁连接，所述悬臂梁固定连接所述两根光纤，所述两根光纤分别含有应变敏感元件，所述两根光纤通过所述耦合器连接在一起...

一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座，包括：一圆盘状的反应基座，该反应基座上开有三个圆形凹槽，该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构，该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构，使得反应基座表面中心处高于其他部分，该反应基座的材料为镀有一层...

本发明提供一种压电执行梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极上背面纵向的一侧；一压电层，其制作在衬底电极上；一第一上电极，其制作在压电层上横向的一侧；一第二上电极，其制作在压电层上横向的另一侧，该第一上电极...

一种应力调控波导层绿光激光器外延片，包括：一衬底；一高温n型GaN层制作在衬底上；一高温n型AlGaN限制层制作在高温n型GaN层上；一应力调控下波导层制作在高温n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN多量子阱发光层制作在应力调控下...

本发明公开了一种数据接口，包括：控制芯片，负责从与数据接口相连的设备接收输入数据和向该设备提供输出数据，管理数据接口的供电和时序控制；调制电路，与控制芯片相连，实现来自控制芯片的表示输入数据的电调制；LED，与调制电路的调制发送信号线相...

本发明公开了一种远程测量待测路基水平位移的方法，包括：步骤1、在参考平面上沿水平方向任意选取两个固定的参考位置A和B；步骤2、测量距离AC′、AC、BC′、BC；其中，C′为待测路基发生水平位移后所处的位置；步骤3、在三角形ΔABC中，...

本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，该碳化硅MOSFET器件包括多个元胞，各元胞之间通过互联金属(12)相连接，每个元胞包括一个栅极、一个栅氧化层、两个源极、一个N型漂移层、一个N+缓冲层、一个N+衬底、漏极和隔离介质。...

本发明公开了一种硅基混合集成雪崩光电探测器(APD)，包括自下而上叠置的SOI(silicon‑on‑insulator)倒锥耦合结构、键合层、波导和光学匹配层，以及雪崩光电探测结构。波导和光学匹配层包括波导区和光学匹配区。本发明通过键...

一种高发光效率InGaN基多量子阱外延片，包括：一蓝宝石衬底；一低温成核层，其制作在蓝宝石衬底上；一高温非掺杂GaN层，其制作在低温成核层上；一高温n型GaN层，其制作在高温非掺杂GaN层上；一表面修复层，其制作在高温n型GaN层上；一...

一种多波段信道编码开关控制装置，包括发射部分和接收部分，发射部分包括：第一控制器，用于存储密钥，以及发出数字信号，加密单元，用于对数字信号加密，多波段发射源，用于在密钥的控制下，选择多个波段发射加密后的信号，以及开关；所述接收部分包括：...

本发明提供了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法，方法依次在一衬底上生长GaN或AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及InGaN帽层，并在AlGaN势垒层上制作源极和漏极，并在In...

一种用于单管芯激光二极管的测试老化夹具，包括：一底座，其上表面有一定位槽和两个定位柱，该底座上同时具有两个定位块和一紧固螺钉孔；一控制板，所述控制板概似一门形，其上面的一侧对称开有两个定位孔，该两个定位孔与底座上的两个定位柱相匹配，所述...

一种单片集成高速光通信收发模块，包括：一光发射部分；一光合束器，该光合束器通过波导与光发射部分连接；一光接收部分；一光分束器，该光分束器通过波导与光接收部分连接；所述光发射部分、光合束器、光接收部分和光分束器均制作在同一衬底上；所述与光...