一种双异质氮化镓基场效应晶体管结构，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面；一Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层制作在成核层上面；一非有意掺杂高质量铝镓氮外延层制作在Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层上面；一非有意掺杂氮化镓沟道层制作在非有意掺杂高质量铝镓氮...

一种InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法，该红外探测器在表面吸收区形成光子晶体阵列，所述光子晶体阵列的排列间距小于所述红外探测器的截止波长；所述光子晶体阵列是在InAs/GaSb超晶格材料层的表面吸收区制备的圆锥形、金...

一种全半导体中红外可调频吸收器，包括：一n(p)型掺杂半导体层，为矩形；两个第一偏压控制部分，其制作在n(p)型掺杂半导体层相对的两端；一本征半导体介质隔离层，其制作在n(p)型掺杂半导体层的上面，该本征半导体介质隔离层的长度小于两个第...

本实用新型公开了一种多功能显微共焦光谱仪，包括激光器模块、光路耦合与输出主模块、照明观测模块、显微模块和信号检测模块；其中，该光路耦合与输出主模块、照明观测模块二者共用同一基座，激光器模块固定在该基座后侧面，显微模块固定在该基座前侧面，...

一种带基片加热和气氛处理的匀胶机，包括：一圆筒；一立轴位于圆筒的中间并穿过圆筒的底部；一升降支架位于立轴上，该升降支架的上端为置物台，该升降支架可以旋转；一进气管道从圆筒外部通入圆筒内；一活动喷嘴的一端与进气管道相连，另一端对准该升降支...

一种用于光电子集成芯片的封装结构，包括：介质基板，其表面设置有用于与外部电连接的地电极G和信号电极S，以及用于阻抗匹配的匹配电阻；金属导通柱，用于连接所述信号电极与所述光电子集成芯片的电极，实现两者之间的信号传输；匹配电阻，串联在所述信...

一种Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结，包括：一衬底，是实现多层膜外延生长的基础；一缓冲层，其制作在衬底上，用于平滑衬底表面并减小晶格失配度；一下电极，其制作在缓冲层上，外延生长；一下插层，其制作在下电极上，外延生长；一势...

一种用于激光模式剥离的光纤及应用其的激光模式剥离器，该光纤至少包括：模式剥离段；该模式剥离段包括：纤芯；以及依次包覆于所述纤芯外侧的内包层和外包层，其中，所述内包层和/或外包层上加工有多个用于激光模式剥离的散射孔，该光纤及激光模式剥离器...

本发明提供了一种宽带线性调频微波信号发生器。其中，压控振荡器产生线性调频信号；其被功分器分为三路，其中A路信号直接输出，B路信号直接输入混频器的第一输入端口，C路信号由延迟线进行时间延迟后输入混频器的第二输入端口；混频器的输出信号进行模...

本发明提供了一种基于动态路由机制的无线传感器网络和基于动态路由机制的无线传感器网络拓扑控制方法。其中基于动态路由机制的无线传感器网络由传感器节点、汇聚节点和上位机软件三个部分组成。而基于动态路由机制的无线传感器网络拓扑控制方法主要分为三...

本发明涉及一种并行传输形式的并联型面探测器阵列结构，所有的探测器放置于一个大的公共地电极上，衰减并且变宽的信号光从远处传输被探测器阵列的多个探测器接收，传输的光信号变为多路电信号由金属电极输出，通过设计电信号的微带线长度以及将各路输出的...

本发明公开了一种在硅基体上刻蚀孔洞的方法，包括以下步骤：在硅基体上镀上一层银膜；将镀有银膜的硅基体进行退火处理得到具有银颗粒表面的硅基体；将具有银颗粒表面的硅基体进行金属辅助化学刻蚀；利用硝酸溶液去除银颗粒。还提供含孔洞的硅基体以及基于...

一种基于步进扫描积分吸收法的烷烃类气体检测系统及方法，包括：控制单元，用于以步进方式控制可调谐激光器和红外探测器的发射和检测，并对检测信号进行处理；可调谐激光器，用于发射检测激光；红外探测器，用于检测经过参比气体或待检测的烷烃类气体的激...

本发明提供了一种氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法，方法首先在一衬底上依次沉积氮化镓层、掩模层和光刻胶层，然后在光刻胶层上排列一层紧密排列的聚苯乙烯小球，并以聚苯乙烯小球为透镜，对光刻胶层进行曝光并显影，以在光刻胶层形成圆形孔...

本发明公开了一种降低额外增益噪音的倍增区控制的雪崩二极管及其制造方法。该雪崩二极管包括衬底(1)，在衬底(1)的上方形成有增益层(4)、电荷控制层(5)和吸收层(7)，吸收层(7)位于增益层(4)的上方，电荷控制层(5)位于增益层(4)...

一种基于arm9嵌入式平台的线宽测量仪，包括：一第一光纤耦合器；一光纤延时线，其输入端与光纤耦合器的第一输出端连接；一声光调制器，其输入端与光纤耦合器的第二输出端连接；一第二光纤耦合器，其第一输入端与光纤延时线的输出端连接，其第二输入端...

一种双通道宽光谱探测器及其制备方法，该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，在中电极接触层形...

一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/InSb/GaSb/...

一种流体静压力的加压装置，包括：一圆筒，该圆筒开口朝下，该圆筒的上底部中心有一光学窗口，用于激发光的入射和测量样品信号的收集窗口；一上底座，其位于圆筒内的上底部处；一第一金刚石，其位于圆筒内的上底座的中心处；一第二金刚石，其位于第一金刚...

本发明提供了一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法，方法在衬底依次生长GaN或AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及AlGaN极化掺杂层，并对AlGaN极化掺杂层刻蚀后制作源极、漏极及栅极，以得...