本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对GeSbTe合金...

一种基于无源光开关的空间激光通信转发系统，该系统由地面光信号发射终端、空间转发系统和地面光信号接收终端三部分组成；本发明是将空间光通信的发射和接收端都放置于地面，用飞行器搭载空间转发系统，且空间转发系统只对光信号进行转发，而不进行放大、...

本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层、p型栅电极、G...

一种电子输运通道为斜跃迁‑微带型的量子级联红外探测器，包括：一衬底；一下接触层，其外延于衬底上；一功能层，其外延于下接触层上面；一上接触层，其外延于功能层上；一上接触电极，其制作在上接触层的表面；一下接触电极，其制作在下接触层的表面，位...

一种基于边带滤光片的拉曼光谱仪，在其光路上包括特殊带通滤光片和特殊边带滤光片，其中，所述特殊带通滤光片和特殊边带滤光片分别设置于可调节支架上，从而能够对所述单光栅拉曼光谱仪发出的激光束经过的位置和角度进行精确调节。本实用新型可以方便地进...

一种共面电极的边发射半导体激光器，包括一衬底、两个N电极和一个P电极，所述P电极位于两个N电极中间，其中，两个N电极的顶面与所述P电极的上表面位于同一水平面。本发明通过将边发射的半导体激光器的N极制备在衬底的上表面，通过绝缘材料将N极与...

本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波谐振器相比，此种...

本发明提供了一种体声波器件的制备方法。采用垂直结构发光二极管工艺中常见的激光剥离、电镀铜和倒装焊工艺，有效解决了单晶体声波器件制备过程中难以在底部金属电极上制备高质量单晶氮化物材料这一技术难题，为高性能体声波器件的制备奠定了基础。

一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED芯片的方法，包括：在衬底的正面生长外延层，并形成多个LED单元；将所述衬底减薄；将激光焦点聚焦在衬底的内部，切割，形成第一道改质层及第二道改质层；使形成的跑道左向及右向多道改质层位于跑道左侧及右侧的...

本发明公开了一种激光对铝化物基板金属化的方法及相应的铝化物基板。激光通过以二元光学为基础的光学整型元件对相位调制，得到平顶光，平顶光再通过振镜场镜系统聚焦照射到铝化物基板上。激光产生的超高温将铝化物分解出金属铝，从而获得铝化物表面特定形...

本发明提供一种大功率1.8‑4μm半导体激光器及其制备方法，涉及中红外激光器技术领域。本发明所述的激光器包括：有源区(包括InGaAsSb量子阱或AlGaInAsSb势垒层)、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层等结构。同时，本发...

本发明公开了一种基于多通道信号碎片化传输技术的保密通信方法，在信息发送端将通信数据分散成为小碎片，然后按照一定的规则通过多个信息通道进行传输；在信息接收端，接收由多个通道传输的碎片化数据，按照信息发送时被碎片化的规则重新进行整合，从而得...

一种基于光纤的多记录点透明光电极结构，包括：一多模光纤，该多模光纤包括纤芯、包层和保护层；一柔性电极，该柔性电极的中间有一小孔，该柔性电极的小孔对准多模光纤的纤芯，并包裹住多模光纤。本发明所形成的结构解决了目前光刺激位置与记录点不同步的...

一种仿生三维信息生成系统及方法，所述系统包括：两图像采集装置，分别用于获取一幅图像；双目视觉信息获取单元，用于对所述两图像采集装置获取的图像进行格式转换，使其转换为特定图像格式；双目标定单元，用于对所述两图像采集装置及两图像采集装置组成...

本发明提供一种铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法，所述铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器结构，包括：一GaSb衬底；一第一GaSb缓冲层，其生长在GaSb衬底上；一InGaAsSb PIN型短波器件，其生长在第一GaSb缓冲层上；...

一种叠层并联的太阳能电池组件，包括由下至上依次机械层叠的N层电池层，所述N层电池层并联连接且工作电压相同，其中各层电池层的带隙由下至上依次变大，用于吸收不同波段的光，其中N为正整数，且N大于等于2。

本发明公开了一种用于激光光谱学研究应用的波长扫描外腔半导体激光器。所述激光器包括：增益芯片、输出端准直透镜、反馈端准直透镜、扫描振镜、闪耀光栅、驱动及控制电路。由驱动及控制电路激励增益芯片发光，增益芯片反馈端发射光经反馈端准直透镜准直后...

本发明公开了一种用于激光器芯片阵列封装的热沉，包括：热沉基板、定位墙、阵列芯片定位槽以及传输线阵列板定位槽。在本发明中，阵列芯片定位槽和传输线阵列板定位槽的尺寸分别与阵列芯片和传输线阵列板的尺寸相对应；并且传输线阵列板定位槽的深度要大于...

本发明提供一种GaSb基单管双区结构短脉冲激光器包括N型GaSb衬底，以及依次沉积在N型GaSb衬底上的N型GaSb缓冲层、N型AlGaAsSb下限制层、AlGaAsSb下波导层、有源区、AlGaAsSb上波导层、P型AlGaAsSb上...

本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层(70)。将低温GaN缓冲层...