本发明公开了一种基于宽谱光源偏振处理结合光谱陷波相移和色散积分效应产生的可调谐单通带微波光子希尔伯特变换滤波系统，包括：放大自发辐射宽谱光源和与之相连的光纤布拉格光栅、第一偏振起偏器、第一偏振控制器、偏振分束器、可调光延迟线、可调光衰减...

一种纳秒量级光开关，其特征在于，包括：一第一偏振棱镜；一第一普克耳盒，其位于第一偏振棱镜的输出光路上；一第二普克耳盒，其位于第一偏振棱镜的折射光路上；一第一45°反射镜，其位于第一普克耳盒的输出光路上；一第二45°反射镜，其位于第二普克...

本发明提供一种集成的全光开关，包括：一光电流探测器；一光开关，其控制端端与光电流探测器的输出端连接。本发明具有效率高，易实现，全集成的优点。

本发明提出了一种具有紫外杀菌消毒功能的水表，包括计量装置、感应装置和发光装置，其中，通过在计量装置中水表本体上设置一个透明窗口，正对该透明窗口固定一个发光装置的紫外光源，紫外光源能够产生紫外光线并透过透明窗口对流经水表本体的水进行杀菌消...

本发明公开了一种具有p型埋层和沟槽底部n型掺杂的SiC基UMOSFET的制备方法，其特征在于，在n‑漂移层(3)上外延生长形成p型埋层(4)，在p型埋层(4)上外延生长形成n‑漂移层(30)，在n‑漂移层(30)上外延生长形成p型基区层...

一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导...

本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层(...

一种集成的全光逻辑器件，包括：一第一逻辑单元器件和第二逻辑单元器件，该第一逻辑单元器件的输出端口2与该第二逻辑单元器件的端口5连接，形成与门，所述第一逻辑单元器件和第二逻辑单元器件的端口1为输入端口，第二逻辑单元器件的端口2作为与门的输...

一种用于金丝键合的电极结构，包括依次叠置的地电极、介质层和共面波导电极，其特征在于，还包括带状线，所述带状线位于所述介质层垂直方向的中间，且与所述共面波导电极的位置相对应，所述金丝键合处位于共面波导电极处与带状线相对应的位置。其中，带状...

本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的...

本发明公开了一种基于钙钛矿(CH3NH3PbClxI3‑x)纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法，它是采用化学溶液反应的方法在玻璃衬底上以聚3，4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)为缓冲层，滴落涂布醋酸铅(PbAc2)薄...

一种可变电阻器，包括第一滑动触头和第一电阻，所述第一电阻两端分别为第一端点和第二端点，所述第一滑动触头在所述第一端点和第二端点之间滑动，所述可变电阻器进一步包括：第二电阻，所述第二电阻的两端分别为第三端点和第四端点；第二滑动触头和第三滑...

一种双沟宽脊型半导体光放大器，包括衬底以及生长其上的外延层，外延层上部包括n型波导层、n型波导层上部的有源区量子阱层、有源区量子阱层上部的p型包层和欧姆接触层，其中所述欧姆接触层部分区域垂直向下刻蚀至n型波导层中，形成双沟限制的脊型结构...

本发明公开了一种低电阻率P型氮化镓材料的制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外...

一种用于谐振式微纳生化器件的集成系统，包括：一固定支架；一底板，其制作在固定支架的上面的中间；一盖片，其中间的一侧开有凹槽，便于固定压制微纳生化器件，该盖片位于底板的一侧；一顶板，其制作在盖片的上面；该盖片和顶板的上面开有连通的微流道，...

一种阵列波导型光路转换互联芯片，包括：一衬底，为矩形；一阵列波导芯区，该阵列波导芯区包括多个波导，每一个波导为带锥度的条形，其依序排列在衬底的上面；一上包层，其覆盖衬底的上表面，并包覆阵列波导芯区，形成阵列波导型光路转换互联芯片。本发明...

一种基于偏振调制器的可调谐二倍频光电振荡器系统，包括：一可调谐激光器，和依序环形连接的偏振调制器、耦合器、第一偏振控制器、第一起偏器，其输入端接第一偏振控制器的另一端、光带通滤波器，其输入端接第一起偏器的输出端、单模光纤、第一光电探测器...

一种单晶体声波器件及制备方法，属于体声波滤波器领域。其中制备方法包括：步骤A：在第一衬底上制备压电薄膜；步骤B：去除所述第一衬底；以及步骤C：在压电薄膜下制备底部电极。本发明在硅衬底上制备了高质量单晶氮化物压电薄膜，进一步制备高性能单晶...

一种带有聚光性能的探测器阵列接收系统，其中包括：一探测器阵列，是以多种形式排列，该探测器阵列的排列方式为放射型或者方阵型；一透射聚光板，该透射聚光板为弧形或锅形，其是将透射的光聚焦到探测器阵列上；一支架，该支架用于连接探测器阵列和透射聚...

本发明公开了一种无机柔性LED阵列的制备方法，包括：在半导体衬底上生长具有牺牲层的LED外延片，光刻形成环形图形化的光刻胶掩膜，刻蚀至LED外延片下接触层；光刻刻蚀工艺制作侧面钝化层；形成图形化的金属图形，退火合金化之后形成欧姆接触；刻...