一种双通道宽光谱探测器及其制备方法技术

一种双通道宽光谱探测器及其制备方法，该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，在中电极接触层形成有中台面，在下电极接触层形成有下台面，上电极、中电极和底电极，分别设置于上台面、中台面和下台面上，分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接，该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种双通道宽光谱探测器及其制备方法。
技术介绍
现有的红外探测器，材料体系主要有两类：碲镉汞材料以及基于GaSb基的超晶格或量子阱。对于碲镉汞材料，其对响应光谱的调节，主要是依靠三种材料的不同组分来实现的。所以对于同一组分的材料，其响应光谱也是确定，并且局限在很小的光谱范围内。且碲镉汞材料还存在着不均匀性的缺点。而基于GaSb基的超晶格如InAs/GaSb II类超晶格，主要是利用了超晶格能带便于调整的特性，只是通过改变不同层的厚度，就可以实现从短波到甚长波这样一个相当宽的光谱的响应。但是囿于超晶格的性质，这类单一吸收区的探测器并不能实现很宽的光谱响应，只是对红外中的某一波段实现探测。同时由于InAs及GaSb材料特性，无法将响应波段拓展到可见光范围内。为了实现这种宽光谱的探测，通常的做法是将两个或以上的单一波段的探测器，通过机械的方法叠加到一起，如：红外透射硅光电二极管安装在红外探测器象元之上。但这样既增加的成本，也不利于使用中的便利。所以实现宽光谱响应的探测器还需要进一步的完善。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题鉴于上述技术问题，为了克服上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双通道宽光谱探测器，其特征在于，包括：衬底(1)；台体结构，包括：依次层叠于衬底(1)上的下电极接触层(2)、第一吸收层(3)、中电极接触层(4)、隔离层(5)、第二吸收层(6)、上电极接触层(7)，其中，在上电极接触层(7)顶部形成上台面，在中电极接触层(4)形成有中台面，在下电极接触层(2)形成有下台面；上电极(8)、中电极(9)和底电极(10)，分别设置于所述上台面、中台面和下台面上，与所述上电极接触层(7)、中电极接触层(4)、上电极接触层(2)电连接。

【技术特征摘要】
1.一种双通道宽光谱探测器，其特征在于，包括：衬底(1)；台体结构，包括：依次层叠于衬底(1)上的下电极接触层(2)、第一吸收层(3)、中电极接触层(4)、隔离层(5)、第二吸收层(6)、上电极接触层(7)，其中，在上电极接触层(7)顶部形成上台面，在中电极接触层(4)形成有中台面，在下电极接触层(2)形成有下台面；上电极(8)、中电极(9)和底电极(10)，分别设置于所述上台面、中台面和下台面上，与所述上电极接触层(7)、中电极接触层(4)、上电极接触层(2)电连接。2.根据权利要求1所述的双通道宽光谱探测器，其特征在于，还包括：钝化层(11)，覆盖层叠结构的部分上表面及部分侧壁。3.根据权利要求1或2所述的双通道宽光谱探测器，其特征在于：所述下电极接触层(2)材料为n型掺杂的GaSb，掺杂浓度为1.5×1018～4×1018cm-3，厚度为450～750nm；所述中电极接触层(4)为p型掺杂的GaSb，掺杂浓度为2×1018～5×1018cm-3，厚度为500～750nm；所述上电极接触层(7)材料为n型掺杂的GaSb，掺杂浓度为2×1018～5×1018cm-3，厚度为200～400nm。4.根据权利要求1或2所述的双通道宽光谱探测器，其特征在于：所述第一吸收层(3)为非故意掺杂的GaSb，厚度为500～1000nm，用于吸收近红外及中波红外的光信号，产生光生载流子；所述第二吸收层(6)为非故意掺杂的GaAs，厚度为750～1500nm，吸收波长位于可见光...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩玺，徐应强，王国伟，向伟，郝宏玥，牛智川，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11