中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 基于光谱组合的宽带泵浦方式的激光器
    一种基于光谱组合的宽带泵浦方式的激光器,包含:一半导体激光器阵列;一耦合透镜组,该耦合透镜组位于半导体激光器阵列的输出光路上;一光学镜片,在耦合透镜组之后,位于半导体激光器阵列的输出光路上;一激光晶体,在光学镜片之后,位于半导体激光器阵...
  • 激光脉冲压缩与展宽系统
    一种激光脉冲压缩与展宽系统,包括:一光开关,该光开关具有一个输入端口a和两个输出端口b、c以及一个控制端口;一光放大器,该光放大器的输入端与光开关的输出端口b相连接;一色散介质,该色散介质的一端与光放大器的输出端相连接;一延时光纤,该延...
  • 本发明公开了一种氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法,包括:在氮化镓同质衬底上依次外延生长n型GaN同质外延层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN...
  • 本发明公开了一种可调谐级联微环滤波器,包括:输入波导,其为第一级微环谐振腔的输入波导;第一级微环谐振腔;第一加热器,其位于第一级微环谐振腔上;连接波导,其为第一级微环谐振腔和第二级微环谐振腔之间的连接波导;第二级微环谐振腔;第二加热器,...
  • 一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法,其中氮化镓基发光器件,包括:一透明衬底;一第一半导体层,一有源层和一第二半导体层,所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反;一P型接触层,位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的...
  • 兼容测距的高速CMOS图像传感器像素单元及制作方法
    本发明公开了一种兼容测距的高速CMOS图像传感器像素单元,包括:单晶硅衬底、在单晶硅衬底内沿对称轴对称设置的浅槽隔离区、在浅槽隔离区之间设置的感光单元和信号读出电路;其中,所述感光单元包括在浅槽隔离区之间沿对称轴对称设置的掩埋型感光二极...
  • 一种单芯片多电极调控多波长发光二极管结构,包括:一衬底;一缓冲/成核层,其制作在衬底上;多个交替生长的p型欧姆接触层和n型欧姆接触层,该多个交替生长的p型欧姆接触层和n型欧姆接触层制作在缓冲/成核层上,且每个p型欧姆接触层和n型欧姆接触...
  • 本发明涉及一种电化学检测dPCR扩增产物的芯片及方法,本发明属于生物检测领域。所述电化学检测dPCR扩增产物的芯片,其由上盖、微反应舱阵列、电化学微电极和底座组成,在上盖上包含进液口和出液口;所述电化学微电极位于底座上表面。所述方法为:...
  • 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法
    本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法,包括:单晶硅衬底表面清洗,装入磁控溅射装置生长室;在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜;在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜;在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜;在硫化锌薄膜上沉积一层氧化钒薄膜;对所...
  • 一种光开关阵列模块倒装焊的封装方法,包括如下步骤:步骤1:将驱动电路芯片和光开关阵列芯片采用倒装焊的方式放置在载板上,形成与载板的电连接;步骤2:将一光纤阵列模块放置在载板上,该纤阵列模块位于光纤阵列模块的一侧;步骤3:采用显微对准的方...
  • 单片集成式多波长半导体锁模激光器
    本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列,相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱...
  • 频率可调的MEMS滤波器
    一种频率可调的MEMS滤波器,包括:多个谐振单元,该多个谐振单元通过振动位移节点处的支撑梁或者锚点支撑;多个耦合梁,该每一耦合梁的两端连接至相邻的谐振单元;多个电极,该多个电极位于谐振单元的周围,与谐振单元之间有一间隙。本发明能够适用于...
  • 一种阳光导入系统,包括:一采光机;一室内阳光投射装置,其通过传导光纤与采光机连接;一通信和控制模块,其与室内阳光投射装置连接。本发明可以远程控制调节紫外线的强度,可以调节太阳光的强度。
  • 一种共晶焊方法,包括如下步骤:步骤1:在基板上表面制作线路;步骤2:将钢网图形与基板上表面线路对准,并固定钢网和基板;步骤3:将LED芯片摆放于基板上表面钢网的图形中;步骤4:对LED芯片加压;步骤5:对基板进行加热,完成共晶焊。本发明...
  • 一种基于集成外腔半导体激光器的宽带混沌光发射器,包括:一集成外腔半导体激光器;一三端口光环形器,其端口2与集成外腔半导体激光器连接,用于接收反馈回路的光信号传递给集成外腔半导体激光器,同时接收集成外腔半导体激光器产生的光信号送入反馈回路...
  • 本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法,包括以下步骤:步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层;步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形;步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述碳化硅晶体进行刻...
  • 太赫兹波探测器
    本发明公开了一种太赫兹波探测器,以氮化镓高电子迁移率晶体管为基本结构,包括晶体管部分、源漏接触测试电极及引线部分、太赫兹波耦合天线部分,其中:所述太赫兹波耦合天线部分为耦合特定频率的天线,同时作为接触电极与所述晶体管部分的纳米结构栅极相...
  • 一种基于近红外漫透射光谱的种子自动鉴别分选装置,包括:一进料斗;一数粒仪,其安装在进料斗的下方;一样品台,其前端与通数粒仪出口直接连接;一光源,其位于样品台的上方;一近红外光谱仪,其位于样品台的下方;一近红外光谱分析系统,其与近红外光谱...
  • 一种基于铌酸锂调制器偏振特性的高稳定倍频光电振荡器,包括:依序循环连接的半导体激光光源、光偏振旋转器、铌酸锂马赫曾德尔光电调制器、保偏光耦合器、第二起偏器、单模光纤、第二光电探测器、微波放大器、窄带滤波器和电分束器,其中铌酸锂马赫曾德尔...
  • 一种光开关阵列模块与切角光纤阵列的封装方法,包括:步骤1:在V型槽夹具中放置光纤,形成光纤阵列;步骤2:将V型槽夹具中形成的光纤阵列的端面经过一次性切割形成一致的切角;步骤3:将经过一次性切割形成的切角进行研磨;步骤4:在一载板或载板上...