本发明公开了一种产品封装外观缺陷检测系统及方法。所述系统包括图像获取模块，采集被检测的产品封装外观图像；多层次并行处理架构，其包括：二维全并行处理单元阵列，包括多个像素处理单元，用于并行处理产品封装外观图像，对其进行低级图像处理；一维全...

一种InGaN量子点的外延结构及生长方法，其中InGaN量子点的外延结构，包括：一衬底，该衬底的表面具有原子级的台阶形貌，台阶斜切角为0.05°-10°；一低温GaN缓冲层，其生长在衬底上，其表面具有与衬底相同的台阶形貌；一高温GaN层...

本发明一种用于碳化硅生长的高温装置及方法，该装置包括：一外壳，为筒形结构；一生长室，为筒形结构，其位于外壳的中间；一出气管，其固定在生长室的顶部；一温度探测器，其固定在生长室的顶部；一生长源进气管，其位于生长室内的侧壁，且通向生长室的底...

一种斜腔半导体光放大器的耦合方法，包括以下步骤：步骤1：根据半导体光放大器芯片中的斜波导的倾斜角计算光的出射角；步骤2：以出射角顺时针旋转半导体光放大器的芯片，使出射光为水平方向；步骤3：芯片出射光的耦合光纤分别对准芯片两端腔面的出射光...

本发明提供了一种用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘。该进气顶盘包括：上层进气盘和下层匀气盘，下层匀气盘为三层台阶盘体，在上层进气盘和下层匀气盘之间形成三个独立的进气腔-第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔，该三个进气腔彼此...

本发明提供了一种光弹调制测量系统。该光弹调制测量系统中，引入一参考信号，该参考信号中包含了光弹调制器对偏振状态的调制偏差的信息，通过该参考信号抑制因光弹调制器调制状态偏差导致的数据噪声。

一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间...

本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管芯切裂过程中，裂...

本发明公开了一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片，该芯片包括：InP基半导体激光器阵列，将待传输信号转换成基模光信号；多模干涉功率分束器，对基模光信号进行分束处理；光波导连接结构，连接InP基半导体激光器阵列和多模干涉功率分束...

本发明公开了一种兼容测距的CMOS图像传感器像素单元及其制作方法，所述像素单元包括衬底、两个浅槽隔离区、感光单元和信号读出电路，感光单元包括在浅槽隔离区之间沿对称轴对称设置的掩埋型光电二极管；信号读出电路包括在浅槽隔离区之间的两个边缘转...

本发明公开了一种微区荧光扫描测量系统，包括：激发光光源；激发光路部分，输入端与激发光光源连接，输出端与真空样品室相连，用于引导激光入射至真空样品室内的样品；荧光信号收集光路部分，收集样品上发出的荧光信号；微区成像光路部分，与激发光路和荧...

本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中，在氮化后的衬底...

本发明公开了一种芯片外观缺陷检测系统，其包括：平台，其上放置被检测芯片；光源，用于提供芯片成像所需的光；平面镜，其位于被检测芯片的上方，用于将光源提供的光投射至被检测芯片，并将经被检测芯片反射后的光原路返回；镜头，其位于光源后方，用于检...

本发明公开了一种光电探测器光谱响应分析系统。所述光电探测器光谱响应分析系统包括：可控单色光源，用于在一定波段内以连续可调的方式输出固定频率的单色光波；探测器室，用于取得参考光电探测器和待测光电探测器对所述单色光波的光谱响应信号；以及控制...

一种基于全光交叉偏振调制效应的空间方向角测量系统，包括：与第一激光源连接的第一马赫增德尔强度调制器和偏振控制器；与第二激光源连接的第二马赫增德尔强度调制器和偏振控制器；与微波信号源连接的电耦合器和微波移相器；与光耦合器依序连接的偏振控制...

一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构，包括：一耦合梁；一第一支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的一侧；一第二支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧；该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小，结构简单、可靠性高的...

一种具有氮化镓系高阻层的HEMT，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层生长在衬底上；一高阻层，该高阻层生长在氮化镓成核层上；一氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层生长在高阻层上；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层生长在氮化镓沟道层上；一势...

本发明提供了一种采用距离选通反卷积法测量选通像增强器光学门宽的装置及方法。该方法根据距离选通图像序列形成距离灰度矩阵，通过该距离灰度矩阵与激光脉冲能量矩阵进行离散反卷积运算可获得选通脉冲增益矩阵，从而基于该选通脉冲增益矩阵可获得选通脉冲...

本发明提出采用曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制造方法。其包括衬底和位于衬底上的量子点增益介质，以及波导结构，包括直段部分和弯曲部分，弯曲部分的曲线分别是多项式的一部分、双曲线的一部分、椭圆的一部分。本发明的弯曲损耗随着曲率半径...

本发明公开了一种基于可见光通信的煤矿人员定位系统，该系统包括多个移动接收模块和多个分布式布置的中央控制模块，且多个中央控制模块同时连接于矿井巷道的照明供电电缆和矿用通信电缆上，其中：每个中央控制模块安装有多个第一探测器和两盏LED矿灯，...