一种采用晶圆级封装的MEMS器件，包括：一衬底；一第一电极、一第二电极、一第三电极和一第四电极，其分别制作在衬底的上表面，并相隔一预定距离；一锚点，其键合在衬底的上表面，并与第三电极相连；一敏感结构，其固定在锚点上；一互连结构，为口字形...

一种降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括如下步骤：步骤1：在p-GaN层上生长重掺杂的p-GaN薄层；步骤2：对p-GaN层和p-GaN薄层进行Mg激活退火；步骤3：在p-GaN薄层上生长重掺杂的p-InGaN薄...

一种增强聚对二甲苯薄膜与金属层粘附性的方法，包括如下步骤：步骤1：取一待沉积的衬底；步骤2：在衬底上生长聚对二甲苯薄膜；步骤3：采用氧反应离子刻蚀工艺，将聚对二甲苯薄膜的表面制备成绒毛状纳米结构；步骤4：在制备成绒毛状纳米结构的聚对二甲...

一种基于梯形铝纳米栅状电极的太阳能电池结构，包括：一梯形铝纳米栅状电极层，其表面具有多条等间距分布并凸起的铝栅线；一阴极缓冲层，其制作在梯形铝纳米栅状电极层上；一有源层，其制作在阴极缓冲层上；一阳极缓冲层，其制作在有源层上；一上电极层，...

一种基于注入锁定量子点锁模激光器的多微波本振源产生装置，包括：一窄线宽激光器，一光分束器，其输入端口1与窄线宽激光器的输出端连接；一第一光隔离器，其输入端与光分束器的输出端口2连接；一第二光隔离器，其输入端与光分束器的输出端口3连接；一...

本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中...

本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中：高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下至上依次包括P型...

一种绿光LED外延层结构及生长方法，其中绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN...

本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高...

一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该...

本发明公开了一种倒装结构发光二极管及其制作方法。所述发光二极管包括：衬底、缓冲层、n型接触层、活性发光层、电子阻挡层和p型接触层；其中，所述衬底与活性发光层之间具有多孔状或者柱状的纳米结构层。本发明中所述发光二极管用于倒装结构芯片制作，...

一种用于高效纳米偶极子太阳能电池的强极化装置，包括：一下电极；一对象薄膜，该对象薄膜制作在下电极上；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在对象薄膜上；一上电极，该上电极制作在薄膜上；一高压直流电源，其一端与下电极连接，另一端与上电极连接。本发明具...

一种制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，包括如下步骤：步骤1：准备一衬底；步骤2：在衬底上生长低温成核层；步骤3：在低温成核层上生长非故意掺杂GaN层；步骤4：在非故意掺杂GaN层上生长中度Mg掺杂的p-GaN层；步骤5：在中...

本发明公开了一种近红外定性鉴别方法，该方法包括：步骤1：采集样本的近红外光谱数据；步骤2：确定建模样本数据并进行预处理；步骤3：对建模样本数据进行偏最小二乘特征提取；步骤4：对建模样本数据进行正交线性判别分析特征提取；步骤5：用仿生模式...

本发明公开了一种近红外定性分析模型的建立方法，该方法包括：步骤1：采集样本的近红外光谱数据，并确定建模样本数据；步骤2：对建模样本数据进行预处理；步骤3：对建模样本数据进行偏最小二乘特征提取；步骤4：对建模样本数据进行正交线性判别分析特...

本发明公开了一种半导体激光器引脚式封装结构及方法。所述封装结构包括：正极管舌、负极管舌、环氧树脂透镜；半导体激光器芯片的负极通过焊料粘结在负极管舌上，芯片与负极管舌平行；所述半导体激光器芯片的正极通过金线与正极管舌相连；所述正极管舌和负...

一种大失配体系无位错异质外延方法，包括以下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：清洗，将清洗干净的硅衬底装入高真空生长室中；步骤3：对硅衬底进行脱氧处理；步骤4：在硅衬底上生长金属催化剂；步骤5：退火；步骤6：在生长了金属催化剂的硅衬底上外...

本发明公开了一种基于近红外提高鉴别结果的定性分析方法，该方法包括：步骤1：采集样本的近红外光谱数据，并确定建模集和测试集；步骤2：对建模集和测试集依次进行预处理、偏最小二乘特征提取和正交线性鉴别特征提取；步骤3：采用直接模型传递方法计算...

本发明公开了一种基于近红外定性分析的种子品种真实性鉴别方法，该方法包括：采集种子样本的近红外光谱数据，并确定建模集和测试集；对建模集和测试集依次进行预处理、偏最小二乘特征提取和线性鉴别分析特征提取；从建模集和测试集中选取光谱校正集，并计...

一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法，包括以下步骤：1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属；2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，制作图形；3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属，在易腐蚀金...