本发明公开了一种基于全光积分器的三角形脉冲微波信号产生装置，该装置包括：多波长激光器、第一强度调制器，第一码型发生器，光滤波器，光放大器，光纤，第二强度调制器，第二码型发生器，可调色散补偿器，光电探测器和采样示波器。本发明采用全光信号处...

一种InP基单片集成少模光通信接收器芯片，包括：一模式解复用器结构；一探测器阵列结构；一光波导结构，其输入端与模式解复用器结构的输出端连接，其输出端与探测器阵列结构的输入端连接。本发明的芯片紧凑，使得器件体积减小，相对于分立器件，缩小了...

一种锂离子电池负极的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将硅基粉末分散于有机溶剂中，得到硅基粉末的分散液；步骤2：将聚丙烯腈或沥青聚合物与有机溶剂混合，并在一预定温度下搅拌直到溶解，得到有机溶剂混合物；步骤3：将硅基粉末的分散液和有机溶剂混...

本发明公开了一种中心波长及滤波带宽独立可调的集成化光滤波器，该滤波器的基本组成单元为可调谐微环谐振器，其包括输入光波导、第一级高阶光滤波、中间光波导、第二级高阶光滤波器和输出光波导。所述第一级高阶光滤波器对输入波导中传导的光进行第一次滤...

一种以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器，包括:底层硅、二氧化硅层、顶层硅，位于二氧化硅层之上，底层硅、二氧化硅层、顶层硅三层形成完整的SOI结构，该SOI结构的顶层硅上刻蚀形成硅波导、石墨烯覆盖层，覆盖于硅波导的一端、过量金属容纳区...

本发明公开了一种基于高功率密度发光阵列的投影式照明系统，包括：高功率密度发光阵列，其由多个LED发光芯片阵列式的制作在线路基板上形成；散热元件，其放置在所述线路基板下方或附近，用以散热；集光匀光元件，其放置在所述高功率密度发光阵列的光路...

本发明公开了一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法，包含以下步骤：步骤1：在图形衬底上沉积低折射率材料；步骤2：在低折射率材料表面旋涂第一光刻胶；步骤3：利用光刻技术，对没有图形的地方进行光刻，而使图形衬底上的图形被光刻胶保护...

一种石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法，包括如下步骤：在SOI片的顶层硅上制作硅波导；在制作完硅波导的SOI片上制作石墨烯选区光栅，形成基片；进行金属剥离，得到键合前的SOI部分；在一衬底上依次外延生长下分离限制层、有源区...

本发明公开了一种数字微镜阵列编码闪光三维成像装置及方法。所述装置包括：计算机；中心控制器生成编码闪光工作时序；脉冲激光器产生激光脉冲；照明镜头视场内的成像目标进行照明；成像镜头收集所述成像目标经过所述激光脉冲照射后形成的目标回波信号；选...

本发明公开了一种基于可调谐微环谐振器的波长选择光开关，其中的每个可调谐微环谐振器只作用于一个特定波长。每个可调谐微环谐振器使进入其输入端的具有特定波长的光的传播方向保持或偏转，即完成光的路径切换功能。本发明包含两部分可调谐微环谐振器阵列...

一种基于偏振反馈的超窄线宽半导体激光器装置，包括：一半导体激光器；一驱动电路和一温控电路，该驱动电路和温控电路分别与半导体激光器连接；一第一光纤耦合器，其端口a与半导体激光器的输出端连接；一鉴频器，其输入端与光纤耦合器的端口c连接；一光...

本发明提供了一种制备六方氮化硼(h-BN)二维原子晶体的方法，其特征在于先在反应腔室中通入还原性气体，对铜箔衬底进行原位退火，去除其表面氧化层；再利用离子束溅射沉积(Ion Beam Sputtering Deposition，IBSD...

一种基于OTG的光通信接收系统，包括：一信号光源；一传感器，其接收信号光源的光信号；一放大整形电路，其输入端与传感器的输出端连接，是用于接收，放大，整形调理光信号的电路；一接口电路，其与放大整形电路，是用于转换OTG接口信号的电路；一O...

本发明提出了一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及制作方法。所述方法包括：衬底；背电极，其制作在衬底的背面；平面冷阴极，其制作在衬底的正面；第一绝缘层，其制作在平面冷阴极上；栅层，其制作在第一绝缘层上；第二绝缘层，其制作在氧化铟锡薄膜...

一种抑制GaAs基激光器高阶模的方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型高折射率插入层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型高折射率插入层、p型限制层和p型接触层；...

一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层；步骤2：采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，将P型接...

一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制...

本发明公开了一种具有高抗损伤能力的激光器关闸系统，其包括偏转控制系统、全反镜、位于全反镜光路上的吸收体；其中，所述偏转控制系统利用旋转的方式控制全反镜移入和移出激光光路；所述吸收体为空心柱体结构，其一端为封闭端，另一端为激光入射端，所述...

本发明公开了一种基于金属限制散热结构的硅基微腔激光器及其制作方法。所述激光器包括：带有硅波导的SOI晶片；半导体外延片，其包括底部接触层和半导体激光器谐振腔；所述半导体激光器谐振腔位于所述底部接触层上方，且其中间刻蚀形成有散热通道；键合...

本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口...