基于Ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器制造技术

一种基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射极上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明专利技术能够更好地影响双势垒结构的电势，进而增大光生电流，产生明显的可探测电信号。探测器在室温下具有很高的响应度和灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射极上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：裴康明，倪海桥，詹锋，董宇，牛智川，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11