一种电容式超声传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种电容式超声传感器，包括：低阻硅衬底；在低阻硅衬底上形成的氧化硅层；于氧化硅层中形成的二维空腔阵列结构；在二维空腔阵列结构之上形成的振膜；以及在振膜上沉积金属铝形成的上电极，该上电极为图形阵列，并且上电极图形阵列中的图形与二维空腔阵列结构的图形一一对应分布，彼此连接在一起。本发明专利技术将硅衬底与SOI片进行湿法和干法表面活化处理，采用低温硅片直接键合技术，制备的电容式超声传感器具有微型化、可靠性高、重复性好、工艺步骤较少、制作周期短等优点，并且工艺温度较低，易与IC电路集成，实现芯片的整体封装。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电容式超声传感器，其特征在于，包括：低阻硅衬底(13)；在低阻硅衬底(13)上形成的氧化硅层(12)；于氧化硅层(12)中形成的二维空腔阵列结构；在二维空腔阵列结构之上形成的振膜(11)；以及在振膜(11)上沉积金属铝形成的上电极(10)，该上电极(10)为图形阵列，并且上电极(10)图形阵列中的图形与二维空腔阵列结构的图形一一对应分布，彼此连接在一起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王小青，孙英男，宁瑾，俞育德，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11