【技术实现步骤摘要】
本专利技术所属半导体
，特别涉及一种在高温、高频、中高压电力电子等领域中有重要作用的SiC VDMOSFET结构及其制造方法。
技术介绍
长久以来，Si材料一直在半导体领域占据着主导地位，并应用于高温、高频电路当中。但随着技术的进步和应用领域的扩展，Si基器件越来越难以胜任更苛刻的环境和更高性能的要求，于是人们把目光转向宽禁带半导体。SiC材料被认为是很有潜力的第三代半导体材料，SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率，使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高和高温性能好的特点。SiC材料在比较苛刻的条件下，比如高温、高频、尤其是在大功率和高辐射条件下仍有着非常优越的性能，因此在未来的航空航天、通讯、电力、军事等应用领域有着比其他半导体材料更为广阔的应用前景。另外，SiC材料是宽禁带半导体中唯一能够热氧化生长S12的半导体，这就使得制备良好性能的SiC基的MOS器件成为可能，并能够很好的与Si工艺兼容，这是SiC工艺上的一个天然优势。目前常用Si基功率器件主要有SCR、GT...
【技术保护点】
一种VDMOSFET结构，包括N+衬底，在所述N+衬底上形成有N‑漂移区，在该N‑漂移区的上方形成有P型基极区和JFET区，所述JFET区由所述P型基极区环绕；所述P型基极区的内部形成有P+区和N+区；所述JFET区上方形成有栅介质层；所述N+衬底的一端作为漏极，所述栅介质层的一端作为栅极，所述P+区和N+区的一端作为源极；在所述栅介质层与所述P型基极区之间，围绕所述JFET区形成有N‑导电沟道层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王进泽，杨香，颜伟，刘胜北，赵继聪，何志，王晓东，杨富华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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